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Study on efficiency improvement of concentrated triple junction solar cell [PDF]
, 2015 GaInP/InGaAs/Ge三结太阳能电池，是一种Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体光电转换器 件。与目前广泛使用的硅太阳电池相比，具有更高的光电转换效率、更强的抗辐 照能力、更好的耐高温性能，是目前世界上最具竞争力的新一代太阳电池，正在 地面聚光领域和航天逐步得到广泛的应用。 本文针对MM结构三结电池的MOCVD外延生长开展研究，对MM结构的 重要组成部分：应力渐变缓冲层、Ge底电池、InGaAs中电池、GaInP顶电池的 外延生长条件与结构设计进行优化实验，最终摸索得到了光谱响应正常的各个子 电池生长条件 ...
刘建庆
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平颏海蛇(Lapemis hardwickii)毒的分离和毒理
Zhongshan Daxue xuebao. Yixue kexue ban, 1988 用CM-Sephadex C-50柱层析,醋酸铵缓冲液洗脱,从平颏海蛇毒腺提取物中分得15个蛋白组分。其中2个有磷脂酶A2活性的用免疫学的方法证实的肌肉毒组分。10个能作用突触后膜的神经毒组分。肌肉毒的蛋白量占粗毒总蛋白量的32.2％。神经毒的蛋白量占粗毒总蛋白量的52.3％。神经毒的毒性比肌肉毒的毒性强。这些结果提示,平颏海蛇毒有肌肉毒和神经毒,神经毒是平颏海蛇毒的主要毒性成分。
陈家树
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Growth and Property of High-performance AlN / GaN DBR [PDF]
, 2010 由于与传统边发射激光器相比，垂直腔面发射激光器（VCSEL）具有发散角小、阈值电流低、功耗低、与光纤耦合效率高、自发辐射因子高、易于实现高密度二维面阵的集成和更高功率输出等诸多优点，故自1977年该概念被提出后，就迅速受到研究人员的关注，并取得一系列进展。1998年后，由于在高密度光学信息存储、激光医疗、通信、高功率光显示等领域广阔的应用前景，GaN系列的VCSEL研究成为主流。而高反射率氮化物分布布拉格反射镜（DBR）作为实现GaN基VCSEL的关键技术之一，得到了广泛的研究。目前 ...
吴超敏
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Fabrication and Characterization of Si-based SiGe Relaxed Buffer Layer by Oxidation [PDF]
, 2008 摘要 Si基SiGe异质结构因其优良的性质，与成熟的Si工艺相兼容，成为制备高性能硅基微电子与光电子器件的重要材料。SiGe弛豫衬底克服了SiGe晶格失配的限制，是实现高性能Si基SiGe光电子与微电子器件集成的理想平台。传统的SiGe弛豫衬底的制备方法是采用Ge组分渐变缓冲层，为了获得较高的Ge组分，其外延厚度达数μm，外延非常耗时，且表面粗糙度较大，需进行化学机械抛光，成本很高。因此需要寻找一种能够制备表面平整、表面Ge组份较高、厚度较薄的有效的弛豫衬底的方法，以降低成本和方便后续器件制作工艺 ...
蔡坤煌
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Shuitu Baochi Xuebao, 2004 利用Arc／Info和“压力-状态-响应”(PSR)模型，选取土壤污染综合指数作为一个压力指标，对江汉平原后湖地区农用地进行了环境质量评价，从而为该地区合理的土地利用规划和环境保护提供依据。引入PSR模型和特尔菲法确定样区评价因子，层次分析法计算相应因子的权系数；利用Arc／Info矢量化相关图层和进行缓冲区分析后建立空间数据库；然后根据各评价因子的属性确定其分值函数，通过对样点数据进行量化后采用多因子综合指数和法计算环境质量指数，划分级别；应用Arc／Info实现相关结果的输出。结果表明 ...
聂艳 周勇 朱海燕
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Study on GaN film by Spectroscopic Ellipsometry [PDF]
, 2011 摘要 GaN基材料具有禁带宽度大、电子漂移饱和速率高、介电常数小、导热性能好等特点，非常适合制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成电子器件，在通信、汽车、航空、航天、石油开采以及国防等方面有着广泛的应用前景，特别是GaN材料折射率和消光系数色散关系的研究对GaN基器件尤其是考虑全波段的紫外探测器的研制具有十分重要的意义。虽然有部分研究人员已经对GaN的光学性质做了探讨，但这些研究多针对GaN外延层带隙之下的波段，对带隙及带隙之上的波段的研究尚不明确。因此 ...
余养菁
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单克隆抗体TNT-1的纯化、F（ab）2片段化及其免疫活性的测定
Zhongshan Daxue xuebao. Yixue kexue ban, 1991 TNT-1是-种鼠IgG2a单抗,已用于肿瘤病人的临床试验。本文将介绍从腹水中进一步纯化TNT-1的方法及制备其F（ah′）2片段的条件。经Protein A亲和柱层析从小鼠腹水中提取出的lgG,再通过阳离子交换树脂柱Mono S,用缓冲液A（20 mmol/L MES,pH6.3）和缓冲液B（lmol/L NaCI）,在快速蛋白液相色层（FPLC）系统上进行梯度洗脱分离,可制得纯净的TNT-1抗体,其免疫活性可达80％～85％;经纯化的TNT-1,用胃蛋白酶消化,制备F（ah′）2片段,其消化条件是 ...
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Dianci bileiqi, 1984 在污秽情况下发生闪络所必须满足的两个条件是:应有含盐的污秽层,同时必须有形成电解液的溶剂.而且,必须很缓慢地喷注这种溶剂,以不致于把污物从表面冲走.本文给出了在蒙特利尔工艺学校进行湿润过程研究的试验结果.旨在鉴别诸如等值附盐密度（ESDD）、湿度、污秽表面与周围空气间温差以及惰性物质密度等因素的影响.文章第一部分将叙述湿润过程的理论,第二部分叙述用于本研究的试验装置和方法,最后将给出试验结果.
M.Leclerc, 夏艾生
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Growth and properties of ZnO thin films on MgO(111) substrates [PDF]
, 2013 半导体ZnO室温下的禁带宽度为3.37eV，激子束缚能高达60meV，使其在紫外发光二极管、太阳能电池和激光器等方面有着广泛的应用前景，成为继GaN之后受到广泛研究的第三代宽禁带直接带隙半导体材料，纳米半导体材料制备工艺决定着材料的结构和性质，是高性能器件的基础，如何制备高质量的单晶ZnO薄膜已成为当前材料研究领域的热点。 本文利用分子束外延(MBE)技术在单晶MgO(111)衬底上生长ZnO薄膜，通过引入ZnO同质缓冲层，系统研究了ZnO薄膜的外延生长和结构及其电学特性。由于ZnO(0001)跟MgO(
杜达敏
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First-principles calculations of perpendicular magnetic anisotropy in Fe1-xCox/MgO(001) [PDF]
, 2015 近年来，垂直磁隧道结由于在磁记录、磁随机存储器、微波探测器以及磁敏传感器等方面的广阔应用前景引起人们广泛的关注。其中由单质Fe或者FeCo基合金与单晶MgO(001)结合形成的垂直磁隧道结具有高隧穿磁电阻、高热稳定性、低临界翻转电流的优点，是人们研究的重点。虽然大量的研究取得了丰硕的成果，但是横亘在FeCo/MgO隧道结应用之前的一个重要问题是铁磁层的垂直各向异性难以在较高厚度下保持，提高了材料制备工艺的难度。为此，本文拟研究Fe/MgO中垂直磁各向异性随Fe厚度变化的内在机制，通过优化Fe ...
蔡官志
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