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Study on key fabrication process of micro F-P cavity tunable filter [PDF]
, 2016 采用表面加工工艺,AZ5214E光刻胶进行光刻并反转,磁控溅射Ni Cr合金,剥离出高度为2.3μm的金属桥墩,填充聚酰亚胺作为牺牲层,再在牺牲层上光刻、沉积金属形成金属桥面,在金属桥面的中心嵌入第二布拉格反射镜。采用O2等离子体刻蚀去除聚酰亚胺膜,制作成微法布里—珀罗(F-P)腔,不需要硅片键合,克服了传统F-P腔高度不够高、调谐范围有限、腔平整度不好以及对设备要求高的缺点,并且可以做出大阵列结构,易于探测器集成。着重对腔体关键工艺,即金属桥墩的Ni Cr剥离工艺进行研究,针对现有技术缺陷 ...
曾毅波 +4 more
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Dianci bileiqi, 2002 在对交流运行高压支柱瓷绝缘子的机械、电气事故进行分析的基础上 ,提出了解决断裂及裂纹事故的关键是控制水泥膨胀、胶合面增加胶装缓冲层和消除产品在制造过程中残留的内在缺陷 ;解决污闪问题应在预计污秽度下以其真型试验求取污耐压为基础进行污秽绝缘的设计。
吴光亚 +4 more
doaj
MOCVD growth of high-reflectivity AlN/GaN distributed Bragg reflectors [PDF]
, 2008 利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石c面衬底上制备出高反射率AlN/GaN分布布拉格反射镜(DBR)。利用分光光度计测量,在418 nm附近最大反射率达到99%。样品表面显微照片显示,有圆弧形缺陷和少量裂纹出现;在缺陷和裂纹以外的区域,DBR具有较为平坦的表面,其粗糙度在10μm×10μm面积上为3.3 nm左右。样品的截面扫描电镜(SEM)照片显示,DBR具有良好的周期性。对反射率和表面分析的结果表明,该样品达到了制备GaN基垂直腔面发射激光器(VCSEL)的要求。A high ...
余金中 +6 more
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110 kV高压平滑铝护套结构和皱纹铝护套结构交流电缆综合性能对比研究
Gaoya dianqi近年来国内高压交流电缆频繁发生由于缓冲层烧蚀引发的故障，然而该类故障在欧洲地区的发生概率较小，研究表明主要原因是国内电缆采用皱纹铝护套结构而欧洲地区采用平滑铝护套结构。为了充分了解皱纹铝护套和平滑铝护套在电缆中的性能差异，文中首先开展了不同护套结构烧蚀实验，其次通过电场仿真模拟不同护套结构电流密度大小，最后对平滑铝护套进行了力学性能测试。结果表明，在相同烧蚀条件下，皱纹铝护套结构电缆更容易发生因为径向电流集中而引发的缓冲层烧蚀，与之相应，平滑铝结构电缆由于铝护套与缓冲层紧密贴合不存在电流集中 ...
钱梦迪 +9 more
doaj
Epitaxial Growth, In Situ Doping and Optical and Electrical Properties of Ge on Si Substrates [PDF]
, 2012 硅基锗材料因其优异的光电性能，广泛应用于硅基光电集成和微电子等领域。硅基锗材料的生长及其相关器件的研制引起人们浓厚的兴趣。由于锗与硅的晶格失配度较大，在硅衬底上生长高质量锗材料仍然是一个挑战性的课题，需要引入缓冲层技术。而保持较好晶体质量下，提高原位掺杂锗材料中的掺杂浓度也是器件应用中亟待解决的课题。本论文采用低温缓冲层技术在UHV/CVD系统中生长出高质量硅基锗材料，较系统地研究了Ge的原位掺杂技术，并在此基础上研制出硅基GePN结和PIN结构。主要工作和研究成果如下： 1 ...
陈城钊
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Luminescence of Strain Compensated Si/Si_(0.62)Ge_(0.38) Quantum Well Grown on Si_(0.75)Ge_(0.25) Virtual Substrate [PDF]
, 2009 由于SI/SIgE异质结构的带阶差主要发生在价带,为实现高效率的发光,本文从理论上设计了在硅基SI1-XgEX虚衬底上外延应变补偿的SI/S1-ygEy(y>X)量子阱的能带结构,将量子阱对电子的限制势垒提高到100MEV以上。在实验上,采用300℃生长的gE量子点插入层,制备出薄的SIgE驰豫缓冲层(虚衬底),表面gE组份达到0.25,表面粗糙度小于2nM,驰豫度接近100%。在我们制备的SIgE缓冲层上外延了应变补偿SIgE/SI多量子阱结构,并初步研究了其发光特性。In this paper ...
余金中 +6 more
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Shuitu Baochi Xuebao, 2007 采用短期室内淋溶的方法研究了模拟酸雨对供试果园土壤交换性Ca^2＋、Mg^2＋、K^＋、Na^＋、交换性盐基总量（BS）、阳离子交换量（CEC）、电导率（EC）等变化的影响。试验结果表明,土壤交换性Ca^2＋（pH2.5）、Mg^2＋、K^＋、Na^＋、BS（pH2.5）、CEC（pH≥3.5）含量较酸雨淋溶前增加,且随着剖面深度表现出较好的层次性;淋出液中Ca2＋、Mg^2＋、K^＋、Na^＋含量随着模拟酸雨酸度的增强而依次增加,其中pH2.5酸雨处理与其它淋溶处理间淋出液Ca^2＋、Mg^2＋、K^＋
张俊平 +4 more
doaj +2 more sources
[Three-dimensional finite element analysis of the influence of an abutment buffer layer on implant stress distribution]. [PDF]
Hua Xi Kou Qiang Yi Xue Za Zhi, 2020 Zhang S, Lü C, Li JH, Zhu BM, Wang WQ.
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Ge growth on patterned Si substrates and Si-based Ge waveguide photodetector [PDF]
, 2014 摘要 以硅为主导的微电子技术在过去的半个世纪里取得了举世瞩目的成就，大力推动了信息技术的发展，然而由于硅是间接带隙材料，在1.1μm以上波段没有响应等特点使得硅难以应用在一些光通信的有源器件中。锗虽然同为间接带材料，但是在光通讯波段有较高的吸收系数，并且与成熟的CMOS工艺兼容，从而在硅基光电子器件如光电探测器、场效应管等方面受到了广泛的重视。Si基Ge波导型探测器集合了Ge的优良特性和波导结构的优势，量子效率和带宽得到有效提升，然而Si ...
高玮
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keff Uncertainty Analysis of Small Prismatic HTGR [PDF]
Uncertainties on results of reactor physics calculations basically originate from uncertainties of solvers, modeling parameters and nuclear data. The uncertainty quantification (UQ) of import core parameters is critical for the safety and reliability of ...
YUAN Yuan, LIU Guoming, ZHANG Peng, ZHANG Chenglong, YU Miao, YI Xuan
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