Results 41 to 50 of about 5,377 (159)
Shuitu Baochi Xuebao, 2022 选择黄河三角洲代表区域垦利区和无棣县，将野外调查与室内分析得到的土壤表层水盐数据，按照季节、植被类型、与渤海距离进行归类，利用经典统计分析、耦合度模型、缓冲区分析、Origin三维关系分析等方法，分析研究区土壤表层（0—15 cm）水盐时空分异特征及其耦合关系。结果表明：研究区土壤水盐含量总体较高，含盐量以中度盐渍化为主，垦利土壤表层水盐含量整体高于无棣；不同季节土壤含水量排序为夏季>春季>秋季>冬季，土壤含盐量排序为春季>秋季>冬季>夏季，耦合度关系比较为春季>秋季>冬季>夏季 ...
张术伟 +5 more
doaj
Investigation and Development of the High-Efficiency Vertical Chip [PDF]
, 2015 GaN基LED一般生长在蓝宝石衬底上，由于蓝宝石是绝缘体和不良的导热物质，使得传统的正装芯片在大功率下工作时，容易因散热不佳导致失效。本论文利用外延转移技术把蓝宝石衬底更换成更好的导热导电衬底，制备成薄膜垂直芯片，以利于大电流，大功率下应用。 本论文所述芯片，使用ICPdamage作为电流阻挡层，使用基板键合技术将导电导热衬底和GaN结合，然后用激光剥离方式将蓝宝石衬底去除，为了增加出光效率，对GaN表面进行粗化。 我们发现PCB-ICP条件会导致垂直结构LED在老化过程发生漏电 ...
梁兴华
core
Gaoya dianqi, 2018 为实现世界首条500 kV交联聚乙烯海缆的研制,对海缆交流电阻设计、绝缘缓冲层的选择、软接头电场设计等关键问题进行了分析,分析结果表明:海缆敷设后各相距离较远,临近效应对海缆交流电阻的影响可以忽略;通过绝缘线芯的热膨胀试验可以确定绝缘缓冲层的厚度;控制软接头恢复绝缘与本体绝缘之间交界面电场是对海缆软接头进行电场设计的关键;基于海缆金属护套、铠装层上的感应电压计算是进行确定中间接地位置的重要基础。
王少华 +6 more
doaj
The Study of Fabrication Technology for Absorption Layer and Mo Electrode based CIGS Thin-Film Solar Cell [PDF]
, 2015 铜铟镓硒薄膜太阳电池是现今薄膜太阳电池领域发展前景最好的电池之一。在当前的薄膜电池产业化领域中，溅射后硒化技术适合于大面积规模化制备CIGS薄膜电池。本论文分两部分内容，第一部分是围绕溅射后硒化法两步工艺制备高质量的Cu(In1-xGax)Se2(CIGS)薄膜，并对CIGS薄膜性能进行了研究。第二部分是，在CIGS吸收层与Mo电极整合过程中，系统研究了Mo电极的制备工艺在硒化热处理中存在的技术问题。 第一部分利用CuGa(3:1at%)合金靶和单质In靶双靶交替磁控溅射制备CuInGa金属预制层 ...
陈伟
core
Epitaxial growth of high quality Si-based Ge materials and interface properties of Ge MOS structures [PDF]
, 2011 Si基Ge材料具有较高的载流子迁移率，并且与传统硅工艺相兼容，是未来制备先进CMOS器件和Si基光电子器件的理想材料之一。然而，由于Si与Ge之间晶格失配度大，在Si衬底上外延生长高质量的Ge材料仍然是一个重大的挑战。在GeMOS器件的制备过程中，栅介质/Ge界面处极易形成锗氧化物(GeOx)，引入较高的界面态，使器件性能退化。因此，研究高质量Si基Ge材料外延生长和控制栅介质/Ge界面态技术对制备高性能Si基GeMOS器件具有重要的意义。 本论文首先采用UHV/CVD系统 ...
郑元宇
core
Gaoya dianqi, 2020 文中针对某110 kV电缆护层烧蚀故障案例进行了分析,在综合考虑烧蚀点形貌、电缆结构及其运行环境后,提出了缓冲层与皱纹铝护套之间存在不良接触、金属护层上存在感应电压是造成电缆护层烧蚀的主要原因。在此基础上,建立了110 kV电缆电场仿真模型,设计了皱纹铝护套模型试样并开展了烧蚀模拟实验,分别验证了上述两种原因的合理性。为探究皱纹铝护层起始放电条件,明确放电规律,对模型试样在不同间隙下的起始放电电压进行了测试,测试结果进一步论证了上述烧蚀机理。文中工作能够为电缆设计及电缆故障分析提供有效指导。
周松霖 +8 more
doaj
Research on the Chip Process of Innovative High-Efficiency Multi-Junction Concentrator Solar Cells
, 2016 多结太阳能电池在各类光伏电池中具有最高的转化效率，因此成为太阳能电池发展的重要方向，广泛应用于空间电源与聚光光伏领域。新型多结太阳能电池的发展越来越需要对芯片结构进行改进。本文对新型多结太阳能电池芯片制程中的关键工艺进行了研究，主要取得以下成果： 1、 进行了多结太阳能电池在一定光照条件下的正面电池结构设计优化。 2、 建立了多结太阳能电池的光学模拟模型，以此为基础优化了中电池window层结构，提升了中电池的外量子效率。优化了减反射膜结构，实现了对子电池电流密度的精细调整 ...
刘冠洲
core
Growth of high quality Ge epitaxial films on Si substrate by low temperature buffer technique [PDF]
, 2011 采用低温缓冲层技术,在SI衬底上生长了质量优良的gE薄膜。利用原子力显微镜(AfM)、双晶X射线衍射(Xrd)和拉曼散射等研究了薄膜的晶体质量。结果表明,由于无法抑制三维岛状生长,低温gE缓冲层的表面是起伏的。然而,gE与SI间的压应变几乎完全弛豫。当缓冲层足够厚时,后续高温gE外延层的生长能够使粗糙的表面变得平整。在90 nM低温gE缓冲层上生长的210 nM高温gE外延层,表面粗糙度仅为1.2 nM,位错密度小于5x105CM-2,Xrd的峰形对称,峰值半高宽为460 ArC SEC。High ...
余金中, 周志文, 李成, 贺敬凯
core
Gaoya dianqi缓冲层缺陷会为电缆线路的运行带来隐患，由其造成的电缆击穿事故严重危害电力系统的安全稳定运行。为研究缓冲层白斑引发放电的缺陷机理，开展人工模拟缓冲层白斑缺陷实验，测量含有白斑缺陷的电缆缓冲层间电阻，研究白斑对缓冲层电气连接的影响，建立考虑白斑缺陷的电缆等值电路模型，仿真计算缺陷情况下缓冲层的电位变化，并搭建了缓冲层放电模拟实验平台，对放电信号进行检测。研究结果表明：电缆各个铝护套波谷处含有白斑缺陷后缓冲层间电阻可增大10倍以上，严重破坏了缓冲层的电气连接作用，导致缓冲层电位提升 ...
胡丽斌 +7 more
doaj
Polarity Control and Transition of GaN in MOCVD [PDF]
, 2001 Polarity of GaN epilayer grown on nitridated sapphire substrate and the possibility of polarity manipulation are investigated.GaN films grown on nitridated sapphire substrate show N polarity,and the N polarity films can be successfully converted to Ga ...
刘宝林
core