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Study of ICP-induced In doping and the properties of GaN-based LED wafers and devices [PDF]
, 2015 GaN材料属于第三代半导体材料，具有宽的直接带隙以及优异的物理和化学性质，是制作发光器件和光伏器件的理想材料。在信息显示领域，GaN基高亮度蓝、绿发光二极管可以用于户外大屏幕全色显示以及交通信号灯等方面；在照明领域，GaN基白光LED可以用于背光源、路灯和景观照明以及通用照明等。GaN基器件的研究已经取得巨大进展，但是在器件的制备过程中仍存在一些问题，如GaN材料的p型欧姆接触问题则是限制GaN器件发展的主要因素之一。有两方面的原因阻碍低阻p-GaN欧姆接触的实现：一方面是难以生长高空穴浓度的p ...
曾勇平
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Shuitu Baochi Xuebao, 2011 以太湖地区典型水稻土——水耕铁渗人为土为供试材料,通过添加CaCO3和H2SO4培养及滴定的方法,研究不同pH降雨和施氮对土壤酸碱缓冲体系的影响。结果显示,土壤在添加CaCO3和H2SO4培养后进行不同量酸碱滴定,土壤在pH 4.0~7.5的突跃范围内与酸碱加入量呈显著的线性相关,表明该测定方法对供试土壤适用。同时施氮和降雨对土壤的酸化都有加速作用,各处理0-40 cm层土壤酸碱缓冲容量为1.91~2.20 cmol/kg,增加施氮量、降低降雨pH都降低土壤的酸碱缓冲容量 ...
汪吉东 +6 more
doaj
Research on Ge n+/p shallow junction and SOI-based Ge waveguide photodetector [PDF]
, 2015 Ge由于其在光纤通信波段（1.3~1.55µm）有较大的吸收系数，比Si具有更高的电子和空穴迁移率，与标准CMOS工艺兼容性好等优点，被广泛应用于Si基光电集成和微电子等领域。本文针对Ge器件制备过程中遇到的n型杂质掺杂难度大、金属与n-Ge接接触费米钉扎效应严重等问题，提出低温预退火与脉冲激光退火相结合的方法获得高掺杂浓度n型Ge以及高性能Gen+/p浅结，开展了SOI基Ge波导探测器的结构设计以及研制工作，论文的主要工作内容和创新点如下： 1 ...
王尘
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Guangtongxin yanjiu, 2007 利用扩展点匹配方法对厚电极厚缓冲层的共面波导电光调制器的结构和性能参数进行了分析和研究,通过仿真选择合适的电极厚度和缓冲层厚度,所得的特性阻抗和有效折射率与采用保角变换法得到的结果吻合,优化了调制器性能,实现了宽带调制。这一分析方法简便快捷,能够处理电极有一定厚度的多层光波导调制器结构。
任登娟, 陈名松, 黄雪明
doaj
Investigation of inverted metamorphic multi-junction solar cell epitaxy and device [PDF]
, 2017 倒装多结太阳能电池相对于传统的Si基多结太阳能电池或传统的化合物三结太阳能电池具有更高的光电转换效率和更广泛的应用方式。本论文对外延关键技术及结构，如宽禁带隧穿结技术，PIN结构，应力缓冲层技术等在聚光倒装多结太阳能电池上的应用进行了研究。进一步对空间三结太阳能电池，空间四结太阳能电池，GaInP/GaInAs//Si键合三结太阳能电池及柔性倒装三结太阳能电池等进行了探索。取得主要成果如下： 1.采用AlGaAs/GaInP宽禁带隧穿结的电池短路电流为14.27A，相对于AlGaAs ...
李森林
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Direct growth of hexagonal BN films on various substrates and induction of ZnO nanorod array for piezoelectric nanogenerators [PDF]
, 2016 近年来，随着二维材料受到广泛的关注，六角氮化硼(h-BN)由于其类石墨烯的层状晶体结构，且拥有独特的特性，如宽禁带(6.0eV)、高的热稳定性(>800ºC)、强机械强度等，成为新型材料研究的热点。在短波长光电器件、高功率和高频率电子器件的开发和需求日益提升的过程中，h-BN薄膜材料研究中也面对了几个关键性、挑战性的难题：其一，大规模生产的新型光电子器件对所需的二维材料有了更高的要求，强烈需要一个大尺寸（晶圆尺寸以上）的薄膜合成，特别是在大小有限的反应腔体中合成大尺寸的h-BN薄膜；其二 ...
ABDUL MAJID
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Shuitu Baochi Xuebao, 2019 为明确水库消落带典型草本植物根系对土壤抵抗径流侵蚀性能的影响，以裸地为对照，通过原状土冲刷试验研究了狗牙根、扁穗牛鞭草和苍耳3种草地0—20 cm土层的土壤抗冲性能，并探讨了不同草本植物的根系特征及其对土壤抗冲性能的影响。结果表明：（1）3种草本植物根系均集中分布在0—10 cm土层，扁穗牛鞭草的根重密度、根长密度、根表面积密度和根体积密度均显著高于狗牙根和苍耳（P 狗牙根 > 苍耳 > 扁穗牛鞭草，10—20 cm土层则表现为对照 > 狗牙根 > 扁穗牛鞭草 > 苍耳。（3 ...
徐文秀 +5 more
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Shuitu Baochi Xuebao, 2006 对黑龙江省东部山地樟子松人工林(P inus sy lvestr is var.m ongolica)生态系统的大气降水、穿透水、树干径流和枯透水中的pH值、溶解氧、浊度、电导率、氧化还原电位、钾、钠、钙、镁、铜、锌、锰、铁等水质指标进行了观测,结果表明:大气降水经过林冠层后,水化学特征发生了明显变化,pH逐层降低,经过枯枝落叶层后,水质的酸化得到了缓解,说明樟子松人工林的枯枝落叶层对水质酸化有很好的缓冲作用。穿透水、树干径流和枯透水的COND变化趋势相同 ...
赵雨森, 辛颖, 曾凡锁
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Roll-to-roll growth of oversize hexagonal BN films and its applications in 2D optoelectronic devices [PDF]
, 2016 随着半导体材料和器件技术地迅速发展，实际应用中，对于短波长光电器件、高功率和高频率电子器件的开发和需求日益增加，逐步揭示了限制光电子器件发展的问题。首先，大规模生产的新型光电子器件对所需的二维材料有了更高的要求，强烈需要一个大尺寸（晶圆尺寸以上）的薄膜合成。其次，从光电子器件的基本结构角度来看，为了实现光电转换功能，电注入和pn结仍然是主流结构，也就是说从材料合成走向实际器件应用，p、n型导电层的制备通常都扮演着关键性的角色。最后，就是利用材料的各项特性，将其应用到各种研究领域。本文针对这三大方面问题 ...
伍臣平
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Dianci bileiqi, 2014 残压比是衡量压敏电阻性能的一项重要指标,针对压敏电阻在冲击老化过程中残压比的变化问题,通过对压敏电阻样品进行8/20μs雷电流冲击老化试验,发现残压比在标称电流（In）冲击老化试验过程中呈现缓慢降低--缓慢增加--快速上升的变化趋势;根据双肖特基势垒理论及热老化理论分析,得出冲击过程中残压比的大小主要由晶界层状态所决定,残压比快速上升阶段是由于晶界层大量破坏的结论;提出了利用残压比变化率来衡量压敏电阻老化程度的方法,在实际应用中具有参考价值。
陈璞阳 +4 more
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