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Research on Si-based Ge micro-region structure and Ge lateral PIN photodetector [PDF]
, 2016 硅基光电探测器是硅基光电子技术重要的组成部分。近年来，锗（Ge）材料由于在近红外波段吸收系数高，空穴载流子迁移率大且能与硅基工艺兼容等特性在硅基探测器领域备受关注。为进一步提高光电特性，需要在Ge层中引入张应变，而张应变的引入可以通过微区结构来得到。基于硅基Ge外延材料，构造Ge微区结构的腐蚀过程一般只对Si材料的腐蚀速率有过研究，而对材料中存在的大量位错对结构制备影响的分析却并未开展。因此，研究腐蚀液中硅基Ge样品位错的影响，提高Ge微区结构应变，对提高Ge光电探测器性能有着重要的意义 ...
陈超文
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Rare Metals, Volume 45, Issue 2, February 2026.ABSTRACT Considering the multiple challenges faced by stealth coatings in complex service environments, the development of multifunctional integrated microwave absorbing materials (MAMs) that combine efficient electromagnetic (EM) attenuation with environmental tolerance has become an urgent need. In this work, coral‐like CoNi@Void@C microparticle (MP)
Jiale Wu +8 more
wiley +1 more source
Gaoya dianqi, 2023 在近10年全国的电缆事故中已发现大量的缓冲层烧蚀问题，为探索烧蚀产生因素，文中基于压力的影响建立了数学模型，考虑水汽的渗入对模型的影响，并对多组产生缓冲层现象的电缆进行了分析。计算和仿真结果表明，电缆阻水带因电缆绝缘本体重力和电缆敷设过程中的外力影响，会在1 mm2接触点上产生3.75 A的集中电流，使得在阻水带和铝套接触处温度升高到176℃，而铝和聚丙烯酸钠在80℃时会发生反应生成氧化铝粉末，产生阻水带上的“白斑”；而绝缘屏蔽层上相同的电流长时间作用，则会引起绝缘屏蔽的老化。
严有祥 +5 more
doaj
Crystalline qualities and optical properties of InGaN/GaN quantum well improved by in situ SiNx pretreatment of GaN template [PDF]
, 2016 由于存在比较大的晶格失配和热失配，以蓝宝石为衬底的GaN外延层位错密度高，晶体质量差，阻碍了GaN基器件性能的进一步提高。降低GaN外延层中的位错密度，提高GaN材料的晶体质量是提高相关器件性能的基础，也是科研人员面临的机遇和挑战。 表面/界面改性技术可有效调控GaN和InGaN材料的生长行为及特性，通过对GaN基材料的不同生长阶段（不同位置）进行SiNx处理，调控GaN的生长模式与应力分布，可大幅降低GaN薄膜的位错密度，明显改善其表面形貌，增强发光性能 ...
黄德猛
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Rare Metals, Volume 45, Issue 1, January 2026.ABSTRACT Lithium metal batteries (LMBs) promise ultrahigh energy density, yet their advancement is impeded by dendritic lithium growth and unstable interfacial behavior. Herein, for the first time, we present novel lithiophilic CoNiB quantum dots embedded in nitrogen‐doped hollow carbon nanorods (CoNiB@NC) as a multifunctional interlayer on a ...
Yu Wu +8 more
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Epitaxial growth of non-polar ZnO films and the related nitrogen-doping studies [PDF]
, 2015 近几十年来，宽禁带化合物半导体ZnO材料由于其自身拥有的诸多优点而越来越受到研究者的重视，然而其p型材料制备的困难依然是制约其在光电器件方面大力发展的瓶颈。本论文的主要研究思想在于从ZnO的结构方面寻求p型掺杂研究的突破。主要是利用分子束外延(MBE)的技术分别在ZnO(10-10)和MgO(100)两种衬底上分别同质和异质外延生长了纤锌矿ZnO(10-10)和立方ZnO(001)两种非极性的薄膜。并对ZnO(10-10)薄膜进行了掺氮的初步探索研究。采用原位的反射高能电子衍射（RHEED ...
王小丹
core
Vulnerability of tropical fish communities across depth in the central Indian Ocean
Conservation Biology, Volume 39, Issue 6, December 2025.Abstract Coral reefs and their fish communities below scuba diving depth (>30 m), in mesophotic coral ecosystems (MCEs) (∼30–150 m), in rariphotic (150–300 m), and in upper bathyal waters (300–500 m) are often underexplored, especially in the Indian Ocean.
Paris V. Stefanoudis +12 more
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A spatially explicit assessment of factors shaping attitudes toward African elephant conservation
Conservation Biology, Volume 39, Issue 1, February 2025.Abstract Conservation plans that explicitly account for the social landscape where people and wildlife co‐occur can yield more effective and equitable conservation practices and outcomes. Yet, social data remain underutilized, often because social data are treated as aspatial or are analyzed with approaches that do not quantify uncertainty or address ...
Sarah L. Carroll +9 more
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Dizhen xuebao, 2019 本文采用三种不同的俯冲带几何模型，在速率-状态依赖型摩擦律和准动态算法的框架下，对阿拉斯加库克湾的慢滑移事件进行了数值模拟，以探究断层几何形状对慢滑移特征的影响。结果表明：几何因素对慢滑移的时空演化有较大影响；慢滑移区域的宽度对数值模拟的结果起着至关重要的作用；断层几何形态更平缓的区域将导致更大、更快的事件。这一结果有助于我们进一步了解慢滑移的成因以及断层几何形态对慢滑移时空演化的影响。
Haotian Li, Shiyong Zhou
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The Study of Band Engineering and Polarization-induced Doping in AlGaN-based Deep Ultraviolet Light-Emitting Diode [PDF]
, 2016 Ⅲ族氮化物作为新一代半导体材料，具有宽直接带隙、高电子漂移率、高热导率、耐高温、抗腐蚀、抗辐射等优点，适合制作高频、高功率、耐高温和抗辐射的电子器件，比如AlGaN基紫外发光二极管。但是紫外发光二极管依然存在低量子效率、低光输出功率等问题，提高晶体质量和载流子注入效率是解决问题的两个主要思路。影响载流子注入效率的一个重要因素是内部极化场引起的能带弯曲，本文基于APSYS软件，主要围绕紫外LED的能带调控和极化诱导掺杂展开研究。 首先，本文回顾了紫外LED的发展历程，介绍了AlGaN半导体材料的结构和性质，
刘松青
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