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Conservation Biology, Volume 38, Issue 6, December 2024.Abstract Human–wildlife conflict (HWC) is a critical challenge to human development and well‐being and threatens biodiversity conservation. Ideally, HWC mitigation should benefit both wildlife and communities and limit the costs associated with living alongside wildlife.
Aalayna R. Green +8 more
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Growth and Properties of ZnO films on GaN and sapphire [PDF]
, 2012 近年来，氧化锌(ZnO)成为继氮化镓(GaN)之后，受到广泛研究的宽禁带半导体材料，其在紫外发光二极管器件和激光器等方面有良好的应用前景。高性能的器件取决于高质量的ZnO薄膜材料。所以生长高质量的ZnO单晶薄膜具有重要的意义。 本论文利用分子束外延(MBE)在蓝宝石上生长ZnO薄膜，通过引入单层MgO缓冲层，单层ZnO缓冲层及多层缓冲层，改变生长温度等，探讨提高ZnO薄膜质量的方法。分析MgO缓冲层生长在蓝宝石上的形貌结构特性，发现低温生长MgO缓冲层成六角形状 ...
吴雪峰
core
Rare Metals, Volume 43, Issue 8, Page 3702-3712, August 2024.Graphical abstract AbstractThe highly reversible insertion/extraction of large‐radius K+ into electrode materials remains a tough goal, especially for conversion‐type materials. Herein, we design a current collector‐integrated electrode (N–CoSe/CoSe2–C@Cu) as an advanced anode for potassium‐ion battery (PIBs).
Zi‐Jie Mu +9 more
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Jianzhu Gangjiegou Jinzhan, 2023 玻璃幕墙已被广泛应用于建筑结构中，但目前的设计主要针对静力荷载，对可能发生的爆炸等意外事件所产生的冲击荷载作用尚缺乏可靠研究。对爆炸冲击下的玻璃进行数值分析时，多数研究模型将边界条件过度简化，使玻璃面板直接承受爆炸冲击，忽略了支承体系中诸如框架、垫片、结构胶、滑移块等元件的缓冲作用。这种差异在中空夹层玻璃系统上更为明显，导致数值分析难以精确地模拟结构系统在冲击荷载作用下的响应。为此，对一玻璃幕墙系统进行足尺爆炸冲击试验研究，并采用LS-DYNA软件进行了精细化建模 ...
郭校宏 +4 more
doaj
The improvement and investigation of high efficiency white lighting-emitting diodes based on GaN materials [PDF]
, 2017 氮化镓基发光二极管具有较高的发光效率，蓝光LED芯片配合黄光荧光粉是当前半导体照明的最核心技术。随着技术的发展，白光LED发光效率在逐年提升。本文从GaN基LED的需求为出发点，利用金属氧化物化学气相沉积（MOCVD）系统为研究工具，采用磁控溅射生长的氮化铝(AlN)作为新型缓冲层，生长了高质量的InGaN/GaN多量子阱（MQW）外延片。主要研究内容是AlN缓冲层的生长条件，高温GaNbuffer的探索及位错对LED光电特性的影响。本论文所取得的主要的研究成果如下： 1 ...
朱学亮
core
Rare Metals, Volume 43, Issue 7, Page 3019-3031, July 2024.Graphical abstract AbstractTwo‐dimensional MoSe2 is a promising candidate for lithium‐ion battery anodes. However, its conductivity and lithium storage volumetric effect still need to be optimized. In this work, W‐doped MoSe2/rGO paper‐like microspheres are successfully prepared through ultrasonic spray pyrolysis, achieving optimization at both the ...
Wei Wang +9 more
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The preparation and growth technology of MgZnO quasi-ternary alloys [PDF]
, 2017 近几年来，随着半导体工业的不断发展，作为第三代半导体材料，宽禁带GaN和ZnO越来越受到研究人员的重视。GaN材料已经广泛应用于新型光电器件领域。相比于GaN材料，ZnO材料有着更高的激子束缚能（室温下60meV）和更加便宜的价格。这使得ZnO材料在紫外、深紫外发光与探测领域有着非常广阔的应用前景。作为ZnO基材料家族中的一员，MgZnO材料有着独特的优势，可以通过调剂Mg/Zn组分来调节MgZnO材料的带隙，推动ZnO基材料在紫外与深紫外应用的进一步发展。想要制备出高质量的ZnO基半导体器件 ...
贺钟冶
core
European Policy Analysis, Volume 10, Issue 1, Page 39-60, Winter 2024.Abstract For energy transition, infrastructure construction is often indispensable but also contested and potentially problematic for social cohesion. Through a game theoretical lens, we examine the basic configuration of infrastructure conflicts. Informed by the empirical example of German electricity grid planning, we discuss three approaches to ...
Eva Ruffing, Viktoria Brendler
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The research on optical properties of InN and InGaN films [PDF]
, 2016 随着人类社会进入信息化社会，信息量飞速增长。为适应生活的需求以及时代的要求，以半导体为代表的材料和器件迅速发展，遍及人类生活的各个领域。InN与InGaN材料因其带隙随In组分x变化从0.7到3.4eV连续可调，其对应的吸收光谱的波长从紫外部分(365nm)可以一直延伸到近红外部分(1770nm)，几乎完整地覆盖了整个太阳光谱，这为设计新型太阳能电池、超高亮度发光二极管（LED）以及全彩显示提供了极大的可能，所以InN与InGaN材料近年来逐渐成为研究的热点。由于薄膜的光学常数（如折射率、吸收系数 ...
叶春芽
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Device Quality GaN on Sapphire Grown by Three-step MOCVD [PDF]
, 2001 在传统的二步MOCVD外延生长的基础上 ,报道了一种在低压MOCVD中用三步外延生长GaN材料的新方法 ,它在生长低温缓冲层前 ,用原子层的方法生长一层高质量的AlN层来减少Al2 O3与GaN缓冲层之间的应力以提高缓冲层的质量 ,从而提高外延层GaN的质量 ,达到器件制作的要求福建省自然科学基金重点资助项目 (E982 0 0 0 ...
刘宝林
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