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, 2018 本公开涉及高电子迁移率晶体管。HEMT包括缓冲层、缓冲层上的空穴供应层、空穴供应层上的异质结构、以及源极电极。空穴供应层由P型掺杂半导体材料制成，缓冲层掺杂有碳，并且源极电极与空穴供应层直接电接触，使得空穴供应层可以被偏置以促进空穴从空穴供应层到缓冲层的传输。本公开的实施例使得能够在不降低击穿阈值以及在应力之前不增加通态电阻的值的情况下，消除应力对通态电阻的影响。This disclosure relates to high electron mobility transistor.HEMT ...
Alessandro Chini, Ferdinando Iucolano
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Epitaxy of Strain-relaxed SiGe, Ge Films and Fabrication of Ge Photodetectors on Si Substrates [PDF]
, 2009 硅基硅锗材料因其优越的性能，特别是与成熟硅微电子工艺相兼容，在硅基光电子器件如光电探测器、场效应晶体管等方面得到了广泛的应用，硅基硅锗薄膜生长及相关器件的研制引起了人们浓厚的兴趣。然而由于锗与硅的晶格失配度较大，在硅基上生长高质量硅锗和锗薄膜仍然是一个挑战性的课题，需要引入缓冲层技术。本论文采用低温缓冲层技术在UHV/CVD系统上生长出高质量硅基硅锗和锗弛豫衬底，并在此基础上研制出硅基长波长锗光电探测器。主要工作和研究成果如下： 为了促进外延层应变弛豫、改善表面形貌 ...
周志文
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Zhongshan Daxue xuebao. Yixue kexue ban, 2004 【目的】 制备稳定性好?包封率高?缓释性能优的哌仑西平脂质体?【方法】采用均匀设计等方法筛选制备哌仑西平脂质体的处方和工艺,并对其形态?粒径?包封率?加速实验结果及体外释放规律进行考察?【结果】 制得的哌仑西平脂质体为单层脂质体,平均粒径为480 nm,包封率为77.24%±9.83%,其稳定性好,缓释效果优于哌仑西平磷酸缓冲液?【结论】 哌仑西平脂质体达到设计要求?
戴淑真
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Shuitu Baochi Xuebao, 2020 为了解喀斯特山区生态恢复模式对土壤盐基离子的交换及分布特征的影响，以喀斯特山区典型黄色石灰土为对象，研究了耕地、草地、林草间作地、退耕还草地生态恢复模式下土壤阳离子交换量（CEC）和盐基离子的分布规律。结果表明：该区土壤CEC为26.52~44.90 cmol/kg，且基本随土层深度的增加逐渐减小；各土壤层次阳离子交换量均表现为退耕还草地显著低于其他生态恢复模式（P Mg2+ > K+ > Na+的规律，且以Ca2+、Mg2+为主（占TEB的比例平均为91.92%，6.04%），K+、Na ...
陈忠柳, 舒英格, 周鹏鹏
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First-principles calculations of perpendicular magnetic anisotropy in Fe1-xCox/MgO(001) [PDF]
, 2015 近年来，垂直磁隧道结由于在磁记录、磁随机存储器、微波探测器以及磁敏传感器等方面的广阔应用前景引起人们广泛的关注。其中由单质Fe或者FeCo基合金与单晶MgO(001)结合形成的垂直磁隧道结具有高隧穿磁电阻、高热稳定性、低临界翻转电流的优点，是人们研究的重点。虽然大量的研究取得了丰硕的成果，但是横亘在FeCo/MgO隧道结应用之前的一个重要问题是铁磁层的垂直各向异性难以在较高厚度下保持，提高了材料制备工艺的难度。为此，本文拟研究Fe/MgO中垂直磁各向异性随Fe厚度变化的内在机制，通过优化Fe ...
蔡官志
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裸露砒砂岩区坡面侵蚀过程中地表粗糙度与水力侵蚀特征参数的关系
Shuitu Baochi Xuebao, 2022 坡面地形起伏状况是影响土壤侵蚀状况的重要因素,深入了解地表粗糙度和产流产沙以及水动力参数之间的关系是研究坡面土壤侵蚀过程的基础。采用野外原位模拟冲刷试验,使用三维激光扫描仪结合ArcGIS提取地形因子参数,研究了裸露砒砂岩区坡面侵蚀过程中地表粗糙度与侵蚀特征参数的关系。结果表明:(1)冲刷强度的增大使得阻力特征参数逐渐降低,且随着冲刷时间的增加,弗劳德数也呈现降低趋势,其他水力学参数呈增大趋势 ...
董晓宇 +5 more
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A review of inorganic solid electrolyte/electrode interface in all-solid-state lithium batteries [PDF]
, 2017 全固态锂电池有望较好地提高电池安全性并实现高的能量密度, 因此已成为二次锂电池发展的一个重要方向.; 发展具有高锂离子电导率、低电解质/电极界面阻抗及有较好应变性的固态电解质材料是全固态电池研究的重要研究课题. 如何有效构筑电解质/电极界面,; 提高界面稳定性并显著降低界面阻抗又是其中的难点之一.; 本文综述了近年来国际上比较关注的两种无机固体电解质--硫化物与石榴石(garnet)型氧化物的最新研究进展,; 重点对这两类固体电解质与正负极材料的界面特性进行总结与评述.All-solid-state ...
杨勇 +4 more
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Gaoya dianqi波纹铝护套由于具有良好的弯曲性能而被广泛用于高压交联聚乙烯（XLPE）绝缘电缆。然而，近年来发生了多起由缓冲层开始电缆烧蚀故障，严重的会发展到绝缘屏蔽层乃至于绝缘层。文中就径向电场引起的绝缘屏蔽的烧蚀机理展开研究，通过对不同间隙下绝缘屏蔽进行放电实验模拟，推导绝缘屏蔽烧蚀机理。实验结果表明，缓冲层发生烧蚀后会向内发展导致绝缘屏蔽烧蚀。有间距的情况下发生的击穿是缓冲层和绝缘屏蔽样品与电极之间的空气击穿，无间距的情况下，发生击穿是电极直接击穿缓冲层进而导致的绝缘屏蔽烧蚀 ...
叶宽 +8 more
doaj
Growth of High-reflectivity AlN/GaN Distributed Bragg Reflectors in Blue Region [PDF]
, 2009 采用金属有机物化学气相沉积方法制备了蓝光波段高反射率Aln/gAn分布布拉格(dbr)反射镜。利用金相显微镜、扫描电子显微镜、原子力显微镜以及分光光度计等测量手段对样品的物理特性进行了分析表征。结果显示样品的表面有少量圆形台面结构和裂纹出现,但在其他区域,样品具有较为平整的表面。该样品在462.5 nM附近获得最大反射率99.4%,表面均方根粗糙度小至2.5 nM。分析表明,所得dbr达到了制备gAn基垂直腔面发射激光器的要求。One high-reflectivity AlN/GaN ...
余金中 +4 more
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Preparation and Properties of ZnO on Si(100) [PDF]
, 2013 近年来，氧化锌(ZnO)是继氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)后，受到广泛研究的新型宽禁带半导体材料，ZnO基半导体由于具有较宽的禁带宽度(3.37eV)和较大的激子束缚能(60meV)等特点，使得其在发光二极管和激光器等诸多器件中有着明显的优势，正因为如此，所以其高质量ZnO单晶薄膜的制备为当今半导体研究的热点。 本文在硅衬底Si(100)-2×1再构的基础上，利用分子束外延(MBE)在硅衬底上生长ZnO薄膜，通过引入超晶格ZnO/MgO缓冲层、超晶格ZnO/ZnMgO缓冲层、超晶格MgO ...
金昌连
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