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Jianzhu Gangjiegou Jinzhan对接焊缝为典型的钢结构焊缝形式，其位置处的裂纹和气孔型缺陷的准确检测对于钢结构维护有着重要的意义，使用磁记忆检测技术对焊缝裂纹和气孔型缺陷进行定位时，传统的零点极值理论由于焊接残余应力的影响，难以区分残余应力、焊接裂纹和气孔型缺陷所产生的磁信号，从而在实际检测中造成缺陷定位的误判和漏判，因此，从焊接裂纹和气孔型缺陷和残余应力所在区域磁信号产生机理的不同入手，开展考虑残余应力影响下的焊接裂纹和气孔型缺陷定位检测研究。首先对焊接残余应力与裂纹和气孔型缺陷产生磁信号的机理进行分析 ...
陈悦, 潘学豪, 邓淋方
doaj
[Clinical and genetic characteristics of 14 children with sodium taurocholate co-transporting polypeptide deficiency]. [PDF]
Zhongguo Dang Dai Er Ke Za ZhiMa RX +7 more
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[Glycosylphosphatidylinositol biosynthesis deficiency 15 caused by GPAA1 gene mutation: a rare disease study]. [PDF]
Zhongguo Dang Dai Er Ke Za Zhi, 2023 Chen QR, Zhang ZJ, Lu YX, Yuan SB, Li J.
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, 2002 对NTD氢区熔单晶硅进行了不同温度下等时退火，采用Hall电学方法测量了电阻率、迁移率随退火温度的变化规律。利用红外吸收技术测量了单晶硅氢区熔退火前后及NTD氢区熔单晶硅不同退火温度下与氢、辐照缺陷有关的红外振动吸收峰变化，对辐照缺陷的退火行为进行了探讨。实验证实NTD氢区熔单晶硅在150 ～ 650 ...
王俊 +7 more
core
[Patient and family predictors of group intervention outcomes in children with attention-deficit/hyperactivity disorder: a multidimensional model analysis]. [PDF]
Nan Fang Yi Ke Da Xue Xue BaoYang X +18 more
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[Analysis of clinical and genetic variation in neonatal intrahepatic cholestasis caused by citrin deficiency]. [PDF]
Zhonghua Gan Zang Bing Za Zhi, 2023 Ge LL +6 more
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, 2008 研究了垂直梯度凝固法（VGF法）生长的掺Si低阻GaAs单晶材料的晶格缺陷和性质,并将VGF法和LEC法生长的非掺半绝缘GaAs单晶进行了比较.利用A-B腐蚀显微方法比较了两种材料中的微沉积缺陷,对其形成原因进行了分析.利用荧光光谱研究了掺Si-GaAs单晶中Si原子和B原子的占位情况和复合体缺陷.Hall测量结果表明,掺Si低阻VGF-GaAs单晶中存在很强的Si自补偿效应,造成掺杂效率降低.VGF-GaAs单晶生长过程中高的Si掺杂浓度造成晶体中产生大量杂质沉积,而杂质B的存在加重了这种现象 ...
占荣, 于会永, 赵有文, 高永亮
core
Dianci bileiqi近几年来复合绝缘子缺陷、故障问题频发，其中影响最大的就是复合绝缘子芯棒酥朽断裂问题。为进一步研究串型、温升与绝缘子内部缺陷的关联性，文中以华中地区某两条500 kV架空线路57支发热复合绝缘子为研究对象，开展了实验室红外检测、数字X射线检测（DR检测）、剖检等11项综合性试验。结果表明，该批次复合绝缘子存在严重的护套与芯棒粘接不良家族性缺陷，该缺陷是导致绝缘子异常发热的根本原因。同时紧凑型V串绝缘子受力和高场强影响，缺陷率相对I串较高。此外，通过对比分析多项试验所检出的缺陷情况和缺陷位置 ...
袁一钧 +8 more
doaj
[Compound heterozygous plasminogen mutations causing hereditary plasminogen deficiency: a family study and mechanistic analysis]. [PDF]
Zhonghua Xue Ye Xue Za ZhiLu YF +6 more
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