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Gaoya dianqi, 2017 文中研究目标是确定126 kV真空断路器触头合闸冲击力的大小以及相关因素的影响。利用PVDF压电传感器测量了合闸过程中触头冲击力曲线。得到合闸速度约为1.5 m/s时冲击力峰值为97 995 N,持续时间为0.487 ms。通过Ansys/LS-DYNA软件仿真研究了触头的凸台直径、材料弹性模量、合闸速度以及触头弹簧力对合闸冲击力的影响。仿真结果表明:触头凸台直径对触头冲击力基本无影响;触头材料弹性模量增大时,触头冲击力峰值增大,冲击力持续时间减小;触头合闸速度以及触头弹簧力增大时,触头冲击力峰值增大 ...
韩国辉 +9 more
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Gaoya dianqi, 2013 介绍了隔离开关外压板簧触头结构与内拉弹簧触头结构的特点和优劣,重点论述了外压板簧型触头在设计中的若干问题。外压板簧型触头的设计要点在于对触指接触压力的计算,同时文中给出了触指的动稳定性校验公式、短时触点温升计算式和触头软化时的电压降的计算式,在设计触头结构时均能够起到参考的作用。
常林晶 +3 more
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Gaoya dianqi, 1996 通过计算分析讨论了真空灭弧室线圈式触头产生的纵向磁场的大小与线圈结构尺寸的关系;触头间磁场的均匀性与触头半径、触头开距的关系及触头分开过程中空间纵向磁场强度的变化,以为触头设计提供参考。
王仲奕, 王季梅
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Gaoya dianqi, 2012 近年来,纳米CuCr触头材料在截流水平、耐压能力等方面的表现优于微晶CuCr触头材料。笔者利用真空触点模拟装置和基于虚拟仪器的电器电寿命测试系统,研究了直流低电压、小电流下的纳米CuCr50触头材料的电弧侵蚀量与分断燃弧时间和触头表面形貌之间的关系,同时采用两种微晶CuCr50触头材料作为对比。利用电光分析天平纳米CuCr50触头材料的侵蚀量,利用电子扫描显微镜测量触头表面形貌。结果表明:纳米CuCr50触头材料的平均分断燃弧时间和侵蚀量均高于两种微晶CuCr50触头材料 ...
赵来军 +4 more
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Gaoya dianqi, 2006 研究了杯状纵磁真空灭弧室的极限电流开断能力与触头直径和触头开距间的规律,建立便于设计时应用的计算公式。从合成回路上开断能力的试验结果出发,将三维有限元法对杯状纵磁触头的纵向磁场的计算结果引入到开断能力与触头直径和触头开距的关系式中,初步得到极限电流开断能力与触头直径和触头开距的关系为I=k×D2×Bz0.4,式中k是系数。该式的物理意义是开断能力随触头直径的增加而增大,随触头开距的增加而减小。
刘志远, 王仲奕, 张炫, 王季梅
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Gaoya dianqi, 2005 用三维有限元法研究了7个设计参数对杯状纵磁触头的纵向磁感应强度、纵向磁场滞后时间、杯中和触头片中电流密度最大值以及导体电阻值的影响。研究表明:譹增加触头直径或开距会减弱纵向磁感应强度,增加杯指旋转角或杯指数目可使其增强,而杯指和水平面夹角、触头片上开槽数及触头材料采用CuCr50或CuCr25对其影响不大。譺设计参数在较大范围内变化时,纵向磁场滞后时间的变化很小。譻增加触头直径或触头片开槽数、减小杯指旋转角、合理选择杯指与水平面夹角和杯指数目或采用CuCr50触头材料可减少杯中或触头片中的电流集中 ...
张炫, 刘志远, 王仲奕
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Gaoya dianqi, 1996 高压隔离插头是手车式开关柜的关键部件。隔离插头（动触头）的触片与静触头的接触压力靠弹簧拉力产生,结构如图1所示。触片2与联接板3为单圆弧联接,在自重力的作用下触头会下垂 ...
王恩林
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基于场路耦合有限元的1 250 A插入式梅花触头暂态温升数值计算与分析
Gaoya dianqi, 2020 为研究电力系统不同故障电流对1 250 A插入式梅花触头触点位置暂态温升特性的影响,文中采用导电桥来模拟触指与导体杆之间的表面接触,基于A-φ法建立了外电路约束下梅花触头三维电路—电磁场有限元计算模型求解触头各部位的功率损耗,将功率损耗作为载荷传递到温度场有限元模型计算获取了梅花触头的温升分布。搭建了梅花触头原型物理温升试验平台,开展物理模拟试验验证了所建立数值计算模型的有效性。基于该模型分析了短路故障电流和变压器合闸励磁涌流冲击下梅花触头触点的暂态温升特性。结果表明 ...
彭辉 +4 more
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Gaoya dianqi, 2010 设计了一种新型真空灭弧室线圈式纵向磁场触头结构,这种不对称式结构中,静触头具有两层以串联方式相连接的线圈,而动触头侧无任何线圈,使动触头结构大为简化,机械强度得以加强,而动触头质量的减轻将有利于触头开断速度的提高。利用有限元方法建立三维结构模型并仿真,在电流分别处于峰值和电流过零时,得出静触头表面、触头间隙中心平面和动触头表面上的纵向磁场分布以及纵向磁场的滞后时间。仿真结果表明,该不对称式触头结构具有较强的纵向磁场,电流过零后的剩余磁场小、滞后时间短,且导电回路电阻较小。
孙鹏, 邵淑文
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Gaoya dianqi, 1986 本文根据几十年来真空电弧基础现象的研究和真空开关触头结构的发展,阐明了两者之间相互促进的关系。文中,对现有商品真空开关应用的触头和种类繁多的专利结构,从真空开关发展的三个时期出发,将这些触头划分为三类,进而分析了三类真空开关触头设计思想的共同点,指出了真空开关触头不同于一般开关触头的设计思想。最后,对三类触头的外形尺寸、触头内部切缝宽度等问题,引用近年的研究结果作了比较和分析。
程礼椿
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