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Gongye shui chuli, 2021 采用盐酸法制磷酸，每生产1 t磷酸约产生7~8 t氟质量浓度约4 000 mg/L的酸性氯化钙废水。采用Ca（OH）2与聚合氯化铝（PAC）+聚丙烯酰胺（PAM）对该废水进行了除氟处理。结果表明，加入5.68% Ca（OH）2、25℃下反应1 h，废水中氟质量浓度降低至37.1 mg/L。Ca（OH）2沉淀除氟后的废水加入1.5 g/L PAC+5 mL/L 1%阴离子型PAM，40℃下反应15 min后废水中氟质量浓度为9.06 mg/L。对于酸性高浓度氯化钙废水，该除氟方法具有氢氧化钙用量少 ...
廖杭, 吕莉, 唐盛伟, 张涛
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Gongye shui chuli, 2022 半导体生产过程中会产生大量含氟废水，传统双钙法除氟工艺对氟的去除程度有限，不能满足日益严格的废水排放标准。为满足出水低于1.5 mg/L的深度除氟要求，对化学沉淀-纳米材料吸附组合工艺深度处理半导体企业含氟废水进行了系统性研究。通过控制变量实验考察了不同初始pH、药剂量、氟浓度、上柱液pH、共存离子对除氟效果的影响，并进行中试扩大实验研究了吸附材料的再生条件以及稳定性能。结果表明，综合考虑出水氟离子浓度与药剂成本等因素，在调节反应初始pH为8.5，并投加自制铝盐为主的沉淀剂160 mg/L条件下 ...
卢永 +7 more
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Gongye shui chuli, 2023 含氟废水会对环境造成巨大危害，但传统钙盐法难以实现含氟废水达标排放。为解决某光伏企业的高氟废水处理问题，本研究对实际生产废水进行研究，确立了一级钙盐联合二级混凝的工艺路线，并对高氟废水进行单因素实验和正交试验，以钙盐种类及投加量、反应pH、混凝剂种类为变量，以出水残氟质量浓度为考察指标，为工程应用确定了一种合适的除氟工况。结果表明，影响除氟效果的因素依次为钙氟物质的量比>二级混凝反应pH>复合除氟剂（DAMW-03）用量>一级钙盐反应pH。最优除氟工况为：一级钙盐反应以CaCl2为钙源，
崔兵, 金怡, 杨泽坤
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Gongye shui chuli, 1994 提出了用CaO-FeS-过磷酸钙两级处理含砷含氟酸性废水的新方法。先用CaO、FeS与废水混合、沉淀,除去砷和大部分氟,再用过磷酸钙作二次混合沉淀,进-步除去废水中氟并调整了出水的ｐＨ值。本法工艺流程简单,处理效果好,具有很大的应用前景。
陶秀成, 宫世国, 邵明望
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Gongye shui chuli, 2020 以某光伏企业为例，分析了废水产生来源及水质特点，按照分类收集-分质预处理-集中生化处理的处理思路，选择钙盐沉淀法+高密度沉淀池处理含氟废水；预调节沉淀池+板框压滤机处理颗粒废水；水解酸化+生物接触氧化+活性砂过滤处理综合废水。介绍了该工艺的技术特点，并给出主要构筑物的技术参数，阐述工艺控制要点及系统运行情况，分析运行效果，供其他工程参考。工程监测结果表明，该工艺可有效去除水中污染物，处理系统运行稳定，耐冲击能力强。
冯丽霞 +5 more
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, 2005 随着中国科学院知识创新工程的实施，各研究所财政补贴收入也大量增加，货币资金存量也随之增长，因而在科研资金的管理上也出现了新的问题，如存在不同程度的“资金沉淀”现象。本文分析了“资金沉淀”现象产生的原因及其弊端，“资金沉淀”的种类 ...
董耕宇, 廖彩菊
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Gongye shui chuli, 2002 对氟化铝生产废水的处理方法进行了研究。结果表明,一级中和沉淀法和二级中和二级沉淀法均不宜用于氟化铝生产废水的处理,理想的处理方法是碱过量中和酸回调法,辅加氯化钙的石灰乳中和法也可考虑采用。
谢祖芳, 陈孟林, 何星存
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Gongye shui chuli针对含氟废水处理中传统钙盐沉淀法药剂消耗大、碳排放高及反应条件受限等问题，提出了一种电化学活化方解石除氟新方法。该方法通过电解水在阳极区原位产生氢离子，持续活化方解石溶解释放钙离子，并与溶液中的氟离子反应生成氟化钙沉淀，实现无需外加酸或二氧化碳条件下的高效除氟。系统考察了停留时间和电流密度对氟离子去除率、单位能耗、动力学特性及沉淀物形貌的影响。结果表明，在电流密度为20 A/m2、停留时间为15 min条件下，氟离子浓度由100 mg/L降至65.03 mg/L，去除率达34.97%，单位能耗为1.12
江鑫 +9 more
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, 1995 在60℃温度下,用30%硫酸与二氧化硅作用于含氟化钙85%的低品位萤石矿,反应持续1小时半,在氯化钠过量的条件下第一次沉淀可得到合格品氟硅酸钠的产率达75%以上,经后处理可使产率提高至90%
郑标练 +4 more
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, 2009 在接近氢氟酸实际应用浓度条件下,利用交流阻抗技术研究了硅片表面金属微观污染行为,在氢氟酸溶液中分别加入0.5和1μg/g的铜、铁、镍、钙四种金属离子,获得了硅片在单金属溶液中的特征交流阻抗谱,并在此基础上研究了三种金属及四种金属共存时的特征交流阻抗谱,通过等效电路的拟合估算了硅/氢氟酸界面电化学反应的动力学参数,并结合扫描电镜形貌图探讨了不同类型的单金属和多金属对硅电化学行为的影响.结果表明,多金属微观污染是各种单金属协同作用的结果,铜在硅片上发生电化学沉积,直接导致硅片表面粗糙化 ...
吕京美, 程璇, 刘海帆
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