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铟掺杂ZnO体单晶的生长及其性质

open access: yes, 2008
研究了In掺杂n型ZnO体单晶的化学气相传输法生长和材料性质.利用霍尔效应、X射线光电子能谱、光吸收谱、喇曼散射、阴极荧光谱等手段对晶体的特性和缺陷进行了分析.掺In后容易获得浓度为10~(18)~10~(19)cm~(-3)的n型ZnO单晶,掺入杂质的激活效率很高.随着掺杂浓度的提高,ZnO单晶的带边吸收和电学性质等发生明显的变化.分析了掺In ...
董志远   +4 more
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Mo的掺杂方式对TiO2光催化活性的影响

open access: yes, 2004
通过溶胶凝胶法制备了以不同方式和不同浓度掺Mo的TiO2薄膜。通过X射线衍射(XRD)、UV—VIS透射光谱、电化学阻抗谱分析了Mo对TiO2薄膜晶粒结构、光吸收性能、阻抗的影响。甲基橙光催化降解实验表明,钼的最佳掺杂方式为在薄膜底层掺杂,在表层及体相掺杂的效果均比未掺杂的TiO2差;其中以Mo的摩尔分数为1.0%、在薄膜底层掺杂时TiO2薄膜的光催化活性最佳 ...
陈俊涛   +4 more
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共掺杂的硅基杂质中间带材料的制备方法

open access: yes
 一种共掺杂的硅基杂质中间带材料的制备方法,包括如下步骤:步骤1:取一硅片;步骤2:在硅片中注入Al;步骤3:将过渡性金属元素注入到含Al的硅片中;步骤4:将含有Al和过渡性金属元素的硅片进行退火处理 ...
左玉华   +5 more
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热塑复合材料的焊接方法及其中所用到的掺杂树脂

open access: yes, 2016
本发明涉及一种碳纤维热塑复合材料的焊接方法及其中所用到的掺杂树脂,属于复合材料连接固定技术领域。该掺杂树脂包括基体材料和掺杂材料,所述基体材料为透明的热塑性树脂,所述掺杂材料为能够吸收光能转换为热能的有色颗粒,所述掺杂材料在所述掺杂树脂中的体积百分比为0.01%-1%。该掺杂树脂可用做碳纤维热塑复合材料焊接的填充树脂,在焊接时,于待焊接的碳纤维热塑复合材料之间填充一层上述掺杂树脂,并以激光照射该掺杂树脂,激光束在此掺杂树脂内部传输,被该掺杂树脂吸收形成一条热源带 ...
王强   +4 more
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一种制备n型掺杂的立方氮化硼薄膜的方法

open access: yes
本发明公开了一种制备n型掺杂的立方氮化硼薄膜的方法,该方法包括;选用Si(001)单晶作为衬底;用B靶作为立方氮化硼薄膜沉积的溅射靶,在该B靶上覆盖有一位置可调的Si靶作为Si掺杂立方氮化硼薄膜生长的掺杂源;采用两个考夫曼宽束离子源沉积Si掺杂立方氮化硼薄膜,主离子源采用Ar+离子轰击B靶和Si靶,同时以Ar+及N2+的混合离子束作为辅助离子源轰击薄膜;对制备的Si掺杂立方氮化硼薄膜在N2保护下进行高温快速热退火。本发明提供的这种制备n型掺杂的立方氮化硼薄膜的方法,过程简单、成本低 ...
范亚明, 应杰, 张兴旺
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银纳米掺杂的碲酸盐玻璃及其制备方法

open access: yes, 2012
本发明涉及一种银纳米掺杂的碲酸盐玻璃及其制备方法,该银纳米掺杂的碲酸盐玻璃是由65~90mol%的TeO2、5~25mol%的ZnO、 1~20mol%的Na2O以及质量百分比浓度是2%~10%的银离子化合物制备而成。本发明根据银纳米掺杂具有较好物理性质的原理提供了一种熔制工艺简 单、可获得高非线性以及高响应时间光学玻璃材料的银纳米掺杂的碲酸盐玻璃及其制备方法。
林傲祥, 周志广, 湛欢, 何建丽
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[T1-weighted magnetic resonance imaging contrast agents and their theranostic nanoprobes]. [PDF]

open access: yesNan Fang Yi Ke Da Xue Xue Bao, 2020
Zhou H, Qiu X, Shen Z.
europepmc   +1 more source

一种稀土掺杂聚磷酸盐纳米晶体的制备方法

open access: yes, 2012
本发明提供了一种稀土掺杂聚磷酸盐纳米晶体的制备方法,解决了纳米材料极易发生团聚的技术问题,具体制备方法如下:1)将原料加入到玻碳坩埚中混合均匀,搅拌条件下在200~250℃反应10~24h;2)将步骤1)中的反应体系的温度升高至320~350℃,搅拌条件下反应3~8h后,对产物进行离心获得沉淀,然后洗涤该沉淀,获得稀土掺杂聚磷酸盐纳米晶体。本发明的反应温度较低,反应条件温和,所获得的稀土掺杂聚磷酸盐纳米晶体不易发生团聚,通过低温反应——水热合成法制备的稀土掺杂聚磷酸盐纳米晶体分散均匀、晶型完美 ...
崔晓霞, 韦玮, 王中跃, 彭波
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GSMBE生长SiGe/Si材料的原位掺杂控制技术

open access: yes, 2003
在特定温控下对掺杂气体分子的状态和活性进行控制,建立了一套具有自主知识产权的气源分子束外延工艺生长SiGe/Si材料的原位掺杂控制技术。采用该技术生长的SiGe/Si HBT外延材料,可将硼杂质较好地限制在SiGe合金基区内,并能有效地提高磷烷对N型掺杂的浓度和外延硅层的生长速率,获得了理想N,P型杂质分布的SiGe/Si ...
朱世荣   +6 more
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SnO2掺杂对TiO2压敏电阻器性能的影响

open access: yes, 2007
采用固相合成法制备了SnO2掺杂的TiO2基压敏电阻系列样品,并通过XRD和SEM分析,以及I-V曲线测量对材料的结构和电学性能进行了研究。结果表明:SnO2的掺杂抑制了晶粒的生长,晶界相含量增加。电性能测试结果显示,SnO2的掺杂量在0~1.5 mo1%内,击穿场强随SnO2掺杂量的增加单调递增;非线性系数先增加后又减小,掺杂量为0.8 mo1% 的样品具有最大的非线性系数(α=8.3 ...
李志祥   +7 more
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