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, 2012 本发明涉及一种银纳米掺杂的碲酸盐玻璃及其制备方法，该银纳米掺杂的碲酸盐玻璃是由65～90mol％的TeO2、5～25mol％的ZnO、 1～20mol％的Na2O以及质量百分比浓度是2％～10％的银离子化合物制备而成。本发明根据银纳米掺杂具有较好物理性质的原理提供了一种熔制工艺简 单、可获得高非线性以及高响应时间光学玻璃材料的银纳米掺杂的碲酸盐玻璃及其制备方法。
林傲祥, 周志广, 湛欢, 何建丽
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, 2020 通过氧化还原共沉淀法和共沉淀法制备了锰铈复合氧化物催化剂,用于苯的催化氧化,并结合一系列表征手段研究了催化剂的构效关系。结果表明,相对于共沉淀法,通过氧化还原共沉淀法制备的锰铈复合氧化物催化剂具有较大的孔径和比表面积,较好的低温还原性,拥有更好的苯催化氧化性能。之后采用氧化还原共沉淀法制备了不同金属元素(Co、Cu和Sn)掺杂改性的锰氧化物催化剂,并对苯进行催化氧化评价,发现不同元素(Co、Cu、Ce和Sn)掺杂均能提高锰氧化物催化剂的催化氧化活性,其中Ce、Sn掺杂之后得到的催化剂的催化氧化性能最佳 ...
王健 +5 more
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本发明公开了一种制备n型掺杂的立方氮化硼薄膜的方法，该方法包括；选用Si(001)单晶作为衬底；用B靶作为立方氮化硼薄膜沉积的溅射靶，在该B靶上覆盖有一位置可调的Si靶作为Si掺杂立方氮化硼薄膜生长的掺杂源；采用两个考夫曼宽束离子源沉积Si掺杂立方氮化硼薄膜，主离子源采用Ar+离子轰击B靶和Si靶，同时以Ar+及N2+的混合离子束作为辅助离子源轰击薄膜；对制备的Si掺杂立方氮化硼薄膜在N2保护下进行高温快速热退火。本发明提供的这种制备n型掺杂的立方氮化硼薄膜的方法，过程简单、成本低 ...
范亚明, 应杰, 张兴旺
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, 2006 采用溶胶-凝胶法通过分步控制工艺制备了镍离子不同掺杂方式的TiO2薄膜.通过甲基橙的光催化降解动力学来表征其光催化活性.结果表明：镍离子非均匀掺杂在掺杂量0.5%时可以明显增强TiO2的光催化活性,而均匀掺杂提高TiO2的光催化活性较小.光电化学表征结果显示：镍离子非均匀掺杂TiO2薄膜的瞬时光电流信号较强,说明其光生载流子易于生成且分离效果较好;循环伏安曲线表明,光照时Ni非均匀掺杂的TiO2薄膜改变了体系的氧化还原电位,说明了薄膜内建电场的建立.基于半导体的P ...
徐刚, 于华, 李新军, 郑少健
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, 2012 本发明提供了一种稀土掺杂聚磷酸盐纳米晶体的制备方法，解决了纳米材料极易发生团聚的技术问题，具体制备方法如下：1)将原料加入到玻碳坩埚中混合均匀，搅拌条件下在200～250℃反应10～24h；2)将步骤1)中的反应体系的温度升高至320～350℃，搅拌条件下反应3～8h后，对产物进行离心获得沉淀，然后洗涤该沉淀，获得稀土掺杂聚磷酸盐纳米晶体。本发明的反应温度较低，反应条件温和，所获得的稀土掺杂聚磷酸盐纳米晶体不易发生团聚，通过低温反应——水热合成法制备的稀土掺杂聚磷酸盐纳米晶体分散均匀、晶型完美 ...
崔晓霞, 韦玮, 王中跃, 彭波
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, 2014 本实用新型是一种恒温掺杂剂装置，掺杂物装置工作的恒温状态下，应用于离子迁移谱上，当恒定的气流吹过掺杂物装置时，能产生的恒定的掺杂物浓度，同时消除了环境温度对掺杂剂装置的影响。该装置结构简单，易于实现，体积小，工作可靠，性能稳定 ...
李海洋, 仓怀文, 李东明
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[Simulation of the relationship between magnetic medium parameters and heating temperature in magnetic fluid hyperthermia]. [PDF]
Sheng Wu Yi Xue Gong Cheng Xue Za Zhi, 2019 Qu Y, Lu M, Liu X, Lin Y.
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一种共掺杂的硅基杂质中间带材料的制备方法,包括如下步骤：步骤1：取一硅片；步骤2：在硅片中注入Al；步骤3：将过渡性金属元素注入到含Al的硅片中；步骤4：将含有Al和过渡性金属元素的硅片进行退火处理 ...
左玉华 +5 more
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, 2003 在特定温控下对掺杂气体分子的状态和活性进行控制，建立了一套具有自主知识产权的气源分子束外延工艺生长SiGe/Si材料的原位掺杂控制技术。采用该技术生长的SiGe/Si HBT外延材料，可将硼杂质较好地限制在SiGe合金基区内，并能有效地提高磷烷对N型掺杂的浓度和外延硅层的生长速率，获得了理想N,P型杂质分布的SiGe/Si ...
朱世荣 +6 more
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[Bifunctional biomaterials: An innovative strategy for synergistic bone tumor therapy and bone regeneration]. [PDF]
Zhongguo Xiu Fu Chong Jian Wai Ke Za ZhiFeng W, Chang B, Wang C, Fan B.
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