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, 2016 本发明提供了一种金属掺杂非晶碳薄膜温度传感元件。该温度传感元件由基体、金属掺杂非晶碳薄膜、电极组成，金属掺杂非晶碳薄膜位于基体表面，电极位于金属掺杂非晶碳薄膜表面。与现有的温度传感元件相比，该薄膜温度传感元件的TCR值和电阻率可调控，能够同时具有高TCR值与优异机械性能及摩擦学性能 ...
郭鹏 +5 more
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, 2015 一种锂离子型超级电容器三元复合负极材料及其制备方法，该复合材料由锶掺杂的锰酸镧、钛酸锂和碳纳米管构成，其中锶掺杂的锰酸镧、钛酸锂和碳纳米管的质量比为10:80:10-5:90:5。该复合材料的制备方法为：首先采用溶胶-凝胶法在碳纳米管表面包覆一层二氧化钛，然后通过浸渍法引入锂盐，使之生成钛酸锂/碳纳米管复合材料；用含有镧、锶、锰金属离子的溶胶进行浸渍后，经过高温处理使之在钛酸锂包覆层表面形成钙钛矿型锶掺杂的锰酸镧薄膜，从而得到锶掺杂的锰酸镧/钛酸锂/碳纳米管复合材料。本发明制备的三元复合材料 ...
李然, 高兆辉, 阎景旺, 姜靓
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MOCVD生长碳掺杂GaAs/AlGaAs大功率半导体激光器
, 2000 利用低压金属有机金属化合物汽相淀积方法,以液态CCl_4为掺杂源生长了高质量C掺杂GaAs/AlGaAs材料,并对生长机理、材料特性以及C掺杂对大功率半导体激光器的影响进行了分析。在材料研究的基础上生长了以C为P型掺杂剂的GaAs/AlGaAs/InGaAs应变量子阱半导体激光器结构,置备了高性能980 ...
马晓宇 +8 more
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, 2012 本发明公开了一种磷酸锰锂正极材料，包括LixMn1-y-zM1yM2zPO4颗粒和包覆在所述LixMn1-y-zM1yM2zPO4颗粒表面的碳层，M2的浓度从颗粒表面向中心逐渐较小。相应的，本发明还提供一种磷酸锰锂正极材料的制备方法。本发明制备的梯度结构的正极材料相对于掺杂物质呈均匀分布的正极材料而言，具有更好的表面结构稳定性，避免与电解液之间的副反应的发生，从而降低了锰的溶出量，保证了材料的安全性能和循环性能。并且，该梯度结构的正极材料中梯度分布有掺杂元素，从而很好的抑制了Jahn ...
夏永高 +3 more
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[ZIF-8@Pt Nanozyme Used for Scavenging Reactive Oxygen Species in the Treatment of Rheumatoid Arthritis]. [PDF]
Sichuan Da Xue Xue Bao Yi Xue BanLei X, Qiu L, DU F.
europepmc +1 more source
, 2013 本发明提供一种光纤预制棒的掺杂装置及掺杂方法，其包括加热系统、传输系统和改进的化学气相沉积系统。加热系统包括加热蒸发罐、连通加热蒸发罐的进气导管和出气导管，传输系统包括加热保温传输管和加热保温板，用以通入高纯氧气的氧气管和出气导管分别接入设有相应接口的加热保温传输管中；加热保温传输管的输出端与改进的化学气相沉积系统的旋转部分连通，各个加热蒸发罐内装有不同的有机金属螯合物；其中，至少有一个加热蒸发罐内的有机金属螯合物作为掺杂剂。应用本掺杂装置可以实现全气相掺杂，全程保温，使气体不易凝结 ...
林傲祥 +7 more
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[Advances in the Application of Nanozymes in Joint Disease Therapy]. [PDF]
Sichuan Da Xue Xue Bao Yi Xue BanZeng J +6 more
europepmc +1 more source
本发明公开了一种对III-V氮化物进行n型和p型掺杂的方法，在蓝宝石、SiC、GaN等衬底上外延生长的n型和p型III-V族氮化物，使用SiH4和/或Cp2Mg作为掺杂剂，使用交替供源气体的方式来实现n型和p型的有效掺杂。利用本发明，实现了利用Si和Mg对III-V氮化物进行n型和p型的有效掺杂，不但能够改善材料的晶体质量，降低材料的位错，而且能够提高III-V氮化物的n型和p型的掺杂效率和浓度。在提高了n型和p型III-V氮化物的掺杂效率和浓度之后 ...
李晋闽 +6 more
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本发明公开了一种提高镁在III-V族氮化物中掺杂效率的方法，该方法是在镁掺杂的p型III-V族氮化物的表面蒸镀一层2nm至10nm的碲，然后在N2气氛下退火，并用酸性液体洗掉蒸镀在p型III-V族氮化物上的碲。利用本发明，使镁在III-V族氮化物中的掺杂效率大大的提高，增加了p型III ...
纪攀峰, 朱峰, 李京波
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