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, 1982 一、引言由于操作过电压和雷击,时常造成电力系统短路现象,系统容量愈大,瞬态电弧电流幅值愈大(可达数万至数百万安,持续时间约几个毫秒),造成的损害和影响范围也愈大。因此,测量瞬态电弧电流对于采取预防措施 ...
胡昌信
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Dianci bileiqi, 2005 雷电波沿着输电线路侵入变电所,对变电所设备构成了很大的威胁。在某750kVGIS变电站的基础上,建立了以气体绝缘输电线路（GIL）作为GIS出线的750kVGIS-GIL系统。通过雷击塔顶和绕击输电线路这两种雷击方式以及考虑地面倾角、接地电阻的影响,利用EMTP程序计算了当雷电波侵入GIS-GIL系统后引起的在隔离开关（DS）、断路器（CB）、电流互感器（CT）以及变压器上的雷电过电压,并根据各设备能够有效地抑制雷电侵入波,从而保证了该750kVGIS-GIL系统内部各设备的正常运行。
陈梁金, 刘青, 赵峰, 施围
doaj
, 1996 越宽。由于采用高电压输出损耗小,所以高电压和超高电压输电线路发展很快,西方发达国家的高压输电线路电压已超过800kV,我国目前的高压输电线路电压也已超过500kV。为保证高压线路安全运行 ...
曹树祥
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, 2010 本发明公开了一种用于低电压差分信号接收的接口电路，该电路包括前级差分放大器对(101)、信号选择电路(102)和双端转单端及电平转换电路(103)，其中，前级差分放大器对(101)的两个输入端子VINP、VINN接收输入整个电路的低电压差分信号LVDS;前级差分放大器对(101)的输出信号VN1、VN2、VP1、VP2进入信号选择电路(102);信号选择电路(102)的输出(CMP、CMN)进入双端转单端及电平转换电路(103);双端转单端及电平转换电路(103)输出VOUT信号。利用本发明 ...
陈陵都, 丁光新
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, 2007 本文提出了一种电源波动影响弱、低温飘、微功耗（〈1μw）的CMOS电压型积分器电路。它利用自偏置的恒流源电路结构以及MOSFETs的亚阈值特性产生一个nA级的恒流源，通过控制电路实现对电容充放电来获得积分电压。并且对电路结构、器件类型和器件尺寸进行了优化。仿真结果表明，得到了独立于电源电压、低温度系数 ...
吴杰, 石寅
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Dianci bileiqi为了研究高压单芯电缆金属护套冲击电压的影响因素，本研究用PSCAD/EMTDC建立220 kV架空线-高压单芯电缆线路模型并仿真雷电绕击架空线后沿线入侵电缆的波过程，在工频运行条件下，通过改变电缆接地方式、电缆参数以及雷电流参数，研究对金属护套雷电冲击电压幅值的降低作用。结果表明：其他条件相同时，采用首端接地方式的不接地点金属护套雷电冲击电压幅值比末端接地方式和交叉互联接地方式降低约90 %；由于金属护套在交叉互联点发生换位，导致金属护套雷电冲击电压幅值最大相在第二个互联点处由侵入相变为非侵入相 ...
孙铭, 张周胜, 谢书凝, 张磊
doaj
Dianci bileiqi, 2008 以某750kV敞开式变电站为例,建立了同杆双回架空进线方式的AIS系统模型;研究了雷电侵入波过电压计算模型的误差及其影响因素,采用ATP对雷电侵入波过电压进行了计算。结果表明,①三种杆塔模型计算结果相差近7%,最好采用多波阻杆塔模型,以免造成较大误差;②当杆塔冲击接地电阻在10Ω以上时,MOA上的残压急剧上升,对设备的安全运行造成较大威胁;③变电站接地电阻对过电压值影响不大;④地面倾角增大,变电站内部各设备的过电压值及流过MOA的最大电流也随之增加,山区线路防雷尤为重要。
许志华
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Gaoya dianqi, 2016 为综合研究避雷器配置方案对特高压GIS变电站雷电侵入波防护的经济性以及可靠性的影响,通过将某1 000 kV特高压GIS变电站进线段和变电站视为一体化模型,考虑雷击点、雷击方式、地面倾角等因素,采用国际通用暂态程序ATP-EMTP对不同避雷器配置方案、不同运行方式下变电站主要设备上雷电侵入波过电压进行计算研究。仿真结果表明:进线侧高抗和互感器共用一组避雷器、主变安装一组避雷器可以满足设备绝缘裕度要求,但保护裕度较低,可通过进线段优化进一步提高保护裕度 ...
李雍 +6 more
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Dianci bileiqi, 2016 我国"西电东送"工程中大量采用了直流输电方式,而西南地区高海拔、多山区的特点将对输电系统的绝缘配合提出更高的要求。为研究高海拔地区直流输电系统的雷电过电压特性,采用PSCAD/EMTDC仿真软件对溪洛渡工程中±500 kV昭通换流站直流侧的雷电过电压进行了计算和分析,模型考虑了海拔和山区地形的影响,根据换流站直流侧反击和绕击雷电侵入波过电压的计算结果,得出高海拔地区换流站直流侧的雷电过电压特性,为优化换流站雷电防护提供参考依据。另外,对绕击侵入波过电压 ...
周姣 +5 more
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, 2010 本发明公开了一种提高非晶硅薄膜太阳能电池开路电压的方法，该方法包括:在不透明衬底上，采用等离子体辅助化学气相沉积技术依次生长N型层、本征层和P型层，其中，P型层又分为P层和P+层;在生长P层时，将P层的生长时间延长t秒，在P层生长完毕后，保持氢气流量、温度和辉光功率不变，采用氢等离子体刻蚀方法对P层刻蚀t秒，接着生长P+层;电池从反应室取出后，用磁控溅射生长ITO透明电极。利用本发明，处理过程简便易行，既能够有效提高非晶硅薄膜太阳能电池的开路电压，得到大面积高开压的非晶硅薄膜太阳能电池，同时又具有成本低，
石明吉 +5 more
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