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NOVA ROTA DE SINTERIZAÇÃO DO CARBETO DE SÍLICIO EM ATMOSFERA OXIDANTE
O método convencional de sinterização do carbeto de silício (SiC) apresenta custos consideravelmente inviáveis, uma vez que demanda a aplicação de elevadas temperaturas e uso de atmosfera inerte. Portanto, uma abordagem alternativa de sinterização foi estudada, utilizando fornos com temperaturas abaixo de 1700°C e atmosfera oxidante.
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