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Dianci bileiqi, 1992 给出了ZnO压敏电阻的脉冲退化规律。研究了ZnO压敏电阻宏观性能退化与瓷体微观结构变化的对应关系,并对影响退化程度的若干因素和脉冲退化机理进行了探讨。
岳瑞峰, 李能贵
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Dianci bileiqi, 1997 根据避雷器用ZnO压敏电阻在2ms方波作用下出现的炸裂失效现象，研究了压敏电阻炸裂区域的显微形貌特征以及伴随着炸裂而出现的电弧烧蚀针孔。并对出现多个烧蚀针孔的区域，。做了岩矿相组织分析，进一步证实了；对于高电压梯度，细晶粒组织的ZnO压敏电阻，2ms方波炸裂失效模式仍然是电弧烧蚀针孔击穿机理的一种。同时还指出了Eda模式和试验现象之间的矛盾。
陈小川
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Dianci bileiqi, 2005 通过掺杂氧化镍、氧化钇,对改善ZnO压敏电阻片电气特性进行了系统研究;分析和讨论了电阻片的电位梯度E、泄漏电流IL、压比Ki、方波、大电流冲击所引起的变化以及老化试验等;掺杂后,不仅提高了电阻片的电位梯度,同时还提高了其能量吸收能力;特别是钇掺杂处于晶界上,抑制晶粒长大,使晶界电压降低,大约为2.2V,是传统电阻片晶界电压的70%。研究获得了电位梯度达260V/mm,方波为800A,能量吸收能力达到300J/cm3的直径为56mm、厚度为9mm的ZnO压敏电阻片。
王玉平, 马军
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Dianci bileiqi, 2009 综述了近年来稀土掺杂氧化锌压敏瓷中的研究进展。掺杂稀土氧化物可明显的减小ZnO晶粒尺寸,使晶粒尺寸分布均匀;其中掺杂Y2O3可使ZnO-Bi2O3系压敏瓷晶粒尺寸由11.3μm降到5.4μm,掺杂Er2O3使晶粒尺寸由1.60μm减小到1.06μm。显著提高了ZnO压敏瓷的电位梯度、降低了漏电流。其中在ZnO-Bi2O3系压敏瓷中掺杂Y2O3,可获得电位梯度约为270 V/mm、漏电流为3μA、压比为1.66的电阻片,在ZnO-PrA6O11系压敏瓷中掺杂Er2O3,电位梯度可提高到416.3 V/mm,
巫欣欣 +4 more
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[Research progress on perception and feedback technology in artificial prosthesis]. [PDF]
Sheng Wu Yi Xue Gong Cheng Xue Za Zhi, 2019 Zhu B, Chu Y, Zhao X.
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Dianci bileiqi, 1992 通过实验数据和扫描电镜照片说明,压敏电阻的压敏电压下降、漏流增大的原因是ZnO瓷体吸湿而ZnO瓷体吸湿是由于具有过多的显气孔,本文从理论上探讨这一现象.
胡永坚, 周爱国
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Dianci bileiqi采用固相烧结法制备ZnO-Bi2 O3基压敏电阻，研究了不同比例Al（NO3）·9 H2 O的掺杂对ZnO压敏电阻微观形貌、结构和电气性能的影响。通过X射线衍射仪（XRD）、场发射扫描电子显微镜（FESEM）及电化学工作站分别对样品的物相、形貌及阻抗性能进行表征。结果表明：Al （NO3）·9 H2 O的加入不仅具有促进ZnO晶粒生长和提升晶粒均匀分布的作用，而且能显著降低ZnO晶粒电阻，进而降低残压比。在Al（NO3）·9 H2 O添加量为（0 ～0.015）%（摩尔分数，下同）范围内 ...
王国群 +7 more
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[Application of nanodrug carriers in the prevention and treatment of infection around orthopedic prosthesis]. [PDF]
Sheng Wu Yi Xue Gong Cheng Xue Za Zhi, 2019 Pan Z, Wang Y, Li J, Chen J.
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侧面有机绝缘保护材料及绝缘层形状对ZnO压敏电阻片脉冲闪络特性的影响
Dianci bileiqi, 1997 研究了侧面有机绝缘保护材料涂覆厚度和绝缘层形状对ZnO压敏电阻片脉冲闪络特性的影响，研究结果表明，增大绝缘保护层厚度，尤其是端部绝缘层厚度，可以有效地提高ZnO压敏电阻片的沿面脉冲闪络电压和电流。聚酯改性有机硅树脂B的绝缘保护效果优于聚酯型聚氨酯漆A。
李盛涛, 李博, 刘辅宜
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