Results 1 to 10 of about 128 (110)

Ефект поглинання мікрохвиль нестехіометричним карбідом кремнію

Доповiдi Нацiональної академiї наук України
Взаємодія терморозширеного графіту та нафтококсу із дисперсним кремнієм за температури 1200 °C спричиняє утворення твердого розчину вуглецю в карбіді кремнію, що супроводжується зниженням величини параметра ґратки щодо стандартного значення β-SiC (а = 0,
M.P. Gadzyra, N.K. Davydchuk, Yа.G. Tymoshenko, M.O. Pinchuk, V.B. Galyamin   +4 more
doaj   +2 more sources

Короткий порівняльний аналіз перспектив використання тривимірних FIN FET-транзисторів для сенсорної електроніки

Фізика і хімія твердого тіла
Розвиток сучасної електроніки ґрунтується на впровадженні сучасних мікро- та наноелектронних технологій. Традиційні комплементарні метал-оксид-напівпровідникові (КМОН)  планарні транзисторні структури на основі масивного кремнію поступово поступаються ...
I. Kohut, O. Samarchuk
doaj   +2 more sources

Особливості фізичних процесів формування кремнієвих поверхнево-бар’єрних структур

Доповiдi Нацiональної академiї наук України
Напівпровідникові детектори займають чільне місце серед приладів ядерної спектрометрії і використовуються для дослідження спектрального складу, інтенсивності, просторового й кутового розподілів іонізуючих частинок.
G.P. Gaidar, S.V. Berdnichenko, V.G. Vorobyov, V.I. Kochkin, V.F. Lastovetskiy, P.G. Litovchenko   +5 more
doaj   +2 more sources

Моделювання багатошарової високотехнологічної плівки для фотодетектора інфрачервоного діапазону (3.5-5.0 мкм)

Фізика і хімія твердого тіла
У роботі проведене дослідження властивостей антивідбиваючої плівки для фотодетектора, виготовленого із антимоніду індію (InSb), налаштованого на пропускання у інфрачервоному діапазоні (3.5-5.0 мкм), що співпадає з піком поглинання вуглекислого газу (СО2).
Ruslan Politanskyi, Ihor Kogut, Maria Vistak, Zinoviy Mykytyuk, Olha Shymchyshyn, Ivan Diskovskyi   +5 more
doaj   +2 more sources

ОПТИМІЗАЦІЯ УДОБРЕННЯ ТА ПОЗАКОРЕНЕВОГО ПІДЖИВЛЕННЯ РІПАКУ ОЗИМОГО (BRASSICA NAPUS L.) В УМОВАХ ЗАХІДНОГО ПОЛІССЯ [PDF]

Зернові культури, 2023
Актуальність. Суттєва зміна кон’юнктури ринку, порушення структури посівних площ в Україні зумовлює проведення досліджень з пошуку оптимальних і економічно вигідних систем удобрення та догляду за посівами для сучасних сортів і гібридів ріпаку озимого ...
Курач Оксана Володимирівна, Лукащук Людмила Яківна, Злотенко Ольга Юріївна, Гень Світлана Петрівна   +3 more
doaj   +1 more source

Технологічні причини пробою p-n-переходу кремнієвих p-i-n фотодіодів

Mìkrosistemi, Elektronìka ta Akustika, 2022
Під час виготовлення координатних квадрантних p-i-n фотодіодів з високою напругою зворотного зміщення Uзм≥200 В було спостережено наявність систематичного браку виробів по рівню темнового струму одного (рідше кількох) фоточутливого елемента.
Mykola Stepanovych Kukurudziak
doaj   +1 more source

Триєдність «електрод–ізолюючий поліфункціональний шар–електроліт» – підґрунтя для використання конверсійних типів реакцій у літій–іонних акумуляторах

Хімія, фізика та технологія поверхні, 2021
Вирішенням проблеми негативного впливу на екологію споживання викопного палива є застосування електрохімічних джерел енергії. Висвітлена особлива привабливість літієвих джерел струму та показана необхідность розробки нових дешевих електродних матеріалів
S. P. Kuksenko, H. O. Kaleniuk, Yu. O. Tarasenko, M. T. Kartel   +3 more
doaj   +1 more source

Аналіз спектральної характеристики чутливості дифузійних p-i-n фотодіодів на основі високоомного р-Si

Mìkrosistemi, Elektronìka ta Akustika, 2023
Зважаючи на потребу ринку в високочутливих кремнієвих p-i-n фотодіодах (ФД) для детектування випромінювання YAG-лазера (довжина хвилі 1,064 мкм), вирішено дослідити методи збільшення їх чутливості, зокрема зміщення максимуму спектральної характеристики ...
Mykola Stepanovych Kukurudziak
doaj   +1 more source

Метод «очищення» поверхні фоточутливих елементів кремнієвих p-i-n фотодіодів від дислокацій

Хімія, фізика та технологія поверхні, 2023
Досліджуючи утворення інверсійних шарів (ІШ) на межі поділу Si-SiO2 в технології виготовлення кремнієвих фотоприймачів, було виявлено деяку динаміку дислокацій після ізотермічних відпалів, яка була відсутня в зразків без інверсії.
M. S. Kukurudziak
doaj   +1 more source

Проблеми хіміко-динамічного полірування в технології кремнієвих p-i-n фотодіодів

Хімія, фізика та технологія поверхні, 2023
При підготовці підкладок кремнію для виготовлення кремнієвих p-i-n фотодіодів (ФД) виявлено вплив наявності хімічко-динамічного полірування (ХДП) та глибини травлення на електричні параметри ФД. Якість операції полірування в даному випадку впливала і на
M. S. Kukurudziak
doaj   +1 more source