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基于归一化自相关函数与类小波软阈值法的GIS局放信号降噪方法研究
Gaoya dianqi, 2018 针对目前利用特高频方法检测GIS典型缺陷时,存在白噪声干扰滤除效率低以及原始信号波形畸变率高等问题,构建了GIS特高频局部放电检测试验模型,经人工处理获得4种典型局部放电UHF信号,提出采用EMD分解将4种典型缺陷的特高频信号分解为有限个IMF分量,利用归一化自相关函数找到IMF分量中局部放电信号与白噪声的分界点,对含白噪声的IMF分量使用类小波软阈值进行滤波,随后重构所有IMF分量,得到各缺陷局部放电特高频信号。将文中方法所得信号与小波去噪信号进行信噪比以及波形畸变率对比 ...
张艺还, 王旭红, 郭良, 张绍海
doaj
, 2013 为了研究铝合金焊接力学性能及焊接缺陷，采用THDW-6 真空电子束焊机对6061 铝合金试样进行焊接试验研究，采用工作距离110mm、工作电用70kV、电子束流40mA、聚焦电流638mA、焊接速度540mm/min进行穿透焊，接头的抗拉强度为母材的92% ，接头的显微硬度有明显的软化，约为母材的79%。并对焊接中常产生的塌陷和顶尖缺陷、裂纹与气孔缺陷、飞溅缺陷进行了分析，提出了铝合金真空电子束焊接时相应的工艺措施 ...
乔红超, 赵吉宾, 于彦凤
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超声波局部放电检测技术在500 kV GIS盆式绝缘子上颗粒缺陷诊断中的应用
Gaoya dianqi, 2017 带电检测技术在输变电设备状态检测中发挥着越来越重要的作用。为更好地开展对电力设备的带电检测,文中重点介绍了超声波检测技术原理及常见的颗粒缺陷典型图谱。通过对某500 kV GIS变电站隔离式盆式绝缘子上颗粒检测与诊断,提供了一套与常见典型图谱有较大差异的检测图谱,总结得出了颗粒缺陷检测流程和超声波、特高频检测信号的规律,给出了危害性评估方法,完善了GIS颗粒缺陷诊断判断标准,为颗粒缺陷（特别是盆式绝缘子等非金属部件上的颗粒）检测诊断提供参考借鉴。
申强 +5 more
doaj
Aluminum profile surface defect detecting method based on machine vision
, 2015 本发明提供了一种基于机器视觉的铝型材表面缺陷检测方法，包括铝型材区域划分以及铝型材表面缺陷检测并上传缺陷信息及图片，划分的铝型材区域包括纹理区域和非纹理区域。本发明方法基于机器视觉和计算机技术，实现了铝型材表面缺陷的实时检测，与现有的人工缺陷检测相比，能更方便、快速、准确的定位缺陷部位，提高检测效率，大大减少人力投入，降低企业在生产过程中的成本；同时避免人的主观因素造成的干扰 ...
吴阳, 史海波, 周晓锋, 张宜弛
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, 2006 用正电子寿命谱和符合多普勒技术研究了电子辐照过的GaSb样品．揭示出原牛未掺杂GaSb样品中存在单空位型VGa相关缺陷，具有284ps左右的寿命值．电子辐照能使这种缺陷的浓度增大，使平均寿命值从辐照前的265Ps增大到辐照后的268ps．低温符合多普勒展宽实验结果表明退火后的电子辐照过的原生未掺杂GaSb样品中仍然存在反位缺陷Gasb．掺Zn、Te样品的实验也证实电子辐照在GaSb样品中会引入VGa，284 ...
唐方圆, 王柱, 邵云东, 赵有文
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, 2017 本发明公开了一种输电线路缺陷位置的视觉计算方法，属于数字图像识别领域，目的在于帮助电力巡检与维护机器人在检测到线路缺陷后，确定缺陷位置。检测顺序如下：(1)线路缺陷的识别；(2)获取线路缺陷到相机光心的直线数学表达；(3)获取输电线路的数学表达；(4)结合缺陷的几何特征计算其位置。本发明将数字图像处理技术引入到线路缺陷诊断中，利用电力巡检与维护机器人采集的缺陷图像信息自动识别出线路缺陷位置 ...
姜勇 +8 more
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Gaoya dianqi, 2004 设计制作了5种油纸绝缘结构模型用以模拟变压器中的典型缺陷。利用数字式局放测量系统获取了大量放电谱图和放电脉冲波形。分析了不同缺陷类型的局部放电特性,为进一步研究电力变压器局部放电模式识别和绝缘老化特征提供了科学依据。
吴鹏 +4 more
doaj
Gaoya dianqi, 2018 GIS因大容量、高可靠性、环境友好等优点在电力系统获得了广泛应用,局部放电检测作为GIS绝缘状态监测和缺陷诊断的重要手段,但存在误报和漏报现象,需要针对其检测有效性进行研究。文中针对球—板带尖刺电极模型和绝缘子沿面附着金属微粒两种典型绝缘缺陷展开研究,研究不同缺陷类型下局放起始电压和击穿/闪络电压的关系,提出局部放电检测有效性系数α以表征脉冲电流法对绝缘缺陷检测的难易程度。研究结果表明,两类缺陷的局部放电起始电压和击穿/闪络电压均随缺陷尺寸增大而显著降低,球 ...
王国利 +8 more
doaj
, 1989 我们曾经提出:在a-Si∶H中光致亚稳缺陷的产生是由于Si-H键断裂,本文将进一步论述这种缺陷产生的可能微观机构,着重讨论微空洞在亚稳缺陷产生中的作用,并提出:光照不仅使悬键增多,同时也使Si-Si弱键增多的机构.中国科学引文数据库(CSCD)009702 ...
秦国刚, 孔光临
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