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Dianci bileiqi, 2020 断线过电压是电力系统常见的一种铁磁谐振过电压,严重的可引发避雷器击穿,电气设备外绝缘闪络等事故。以一起35 kV线路断线后避雷器击穿事故为例,分析线路断线后过电压的产生机理。首先介绍了故障避雷器的解剖过程,排除避雷器因质量、选型、受潮等原因引起的击穿。其次采用ATP-EMTP电磁暂态法详细分析故障线路的发生断线后的过电压产生机理。最终得出,由于跳线断线并接地,引起变压器和线路电容产生谐振过电压是引起避雷器本体击穿的主要原因。
梁富光
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GIS隔离开关方式1试验中断口对地击穿时光电暂态过程监测与分析
Gaoya dianqi, 2022 开合短母线（方式1）试验是考核GIS隔离开关断口动态电气性能的重要试验。由于动静触头结构设计不合理，将直接导致GIS隔离开关在分合闸时，在断口处发生对地击穿。文中为确定GIS隔离开关试品在方式1试验中发生对地击穿的有效判据，构建了光电暂态全过程监测系统，包括GIS超宽频VFTO和外壳暂态地电位测试系统，以及高性能高速摄像机。GIS隔离开关方式1合闸过程中断口发生对地击穿时，文中采用高速摄像机同时记录下断口击穿电弧和动触头对地击穿电弧的形态，直接证实试品发生了对地击穿 ...
苏春强 +8 more
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Researching of the Solar Energy Economizing Energy Electronics Lamp [PDF]
, 2005 本文介绍一种利用太阳能供电的电子节能灯。该太阳能电子节能灯主要由太阳电池组合方阵、蓄电池组、充电控制装置、放电保护装置、逆变器、灯管等组成。本文较详细地介绍了该节能灯各组成部分的工作原理和元器件选择的具体要求。In this paper we introduce a kind of economizing energy electronics lamp that makes use of the solar energy. The lamp is made up of the solar battery
游龙翔, 王晗, 闫彩艳
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Gaoya dianqi, 2010 在真空开关向高电压方向发展的背景下,高电压真空灭弧室触头间长真空间隙的绝缘特性成为关键问题之一。Slade提出了临界击穿场强理论,解释了真空中平板电极间直流电压临界击穿场强及其与开距的关系。笔者以临界击穿场强理论为基础,以126 kV真空灭弧室触头间隙为研究对象,将临界击穿场强理论应用于长真空间隙（开距60 mm）和交流电压（工频50 Hz）情况下,得到了高电压真空灭弧室触头间长真空间隙的工频临界击穿场强与触头开距的关系。
刘志远 +5 more
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High-Frequency and High-Voltage Characteristics on Gate Associated Transistors [PDF]
, 2000 【中文摘要】 建立了 GAT器件集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型 ,定量研究了 GAT的栅屏蔽效应和 GAT的基区穿通电压 VPI,并且解释了该器件实现高频率与高电压兼容的实验结果 .该模型可供优化设计双极型高频、高压、低饱和压降功率器件参考 【英文摘要】 The two\|dimensional analytical model of the electric potential and field distribution in GAT's collector depletion ...
吴丽清 +4 more
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Design and fabrication of microwave power SiGe HBT and novel SiGe HPT based on virtual substrate [PDF]
, 2009 随着无线通信和光纤通信技术的发展与融合，对组成通信系统的光电子器件性能和成本的要求日益提高。传统的Si材料器件以其成熟的工艺技术具有高集成和低成本优势，但是由于受到Si材料自身特性和器件结构的限制，无法满足高速的要求。SiGe异质结晶体管(HBT)利用了能带工程和成熟的Si微电子工艺，频率特性得到了质的飞跃，在无线通信领域得到了广泛应用；与此同时，引入具有内部增益的SiGe异质结光晶体管(HPT)，发挥与SiGeHBT结构工艺完全兼容的优势，拓展了Si基材料和器件在光纤通信领域的应用。但是 ...
张永
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Research on Output Characteristics of a Circular Dielectric Elastomer Generator [PDF]
ObjectivesEnergy is an important physical basis for economic and social development in modern world. Accompanied by the gradual depletion of traditional energy sources, the collection and utilization of renewable energy sources has become significant ...
HUANG Peng, WANG Yawu, ZHANG Mingyi
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Gaoya dianqi, 2018 文中目标旨在研究纳秒级连续脉冲电压对老练后真空灭弧室触头表面击穿位置分布的影响。采用屏蔽罩留有观察窗的玻璃外壳12 kV商用真空灭弧室与高速摄影仪（CCD）,研究不同触头开距条件下纳秒级连续脉冲电压幅值、频率对触头表面击穿位置的影响。研究结果显示,在纳秒级脉冲电压作用下,真空灭弧室触头间隙击穿后,其击穿位置在触头表面的分布服从高斯概率密度分布;击穿位置在触头表面分布趋向于中心位置;击穿位置随脉冲电压频率的增大而更趋均匀,随脉冲电压幅值的增大而更趋集中,随触头开距的增大而更趋于集中。此外 ...
刘畅 +5 more
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Optoelectronic Characteristics of Nano-pillar 4H-SiC Avalanche Photodiode and a-SiXC1-X Prepared by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition [PDF]
, 2011 相对于传统Si材料，宽禁带半导体碳化硅（SiC）材料具有较高击穿电场，较高饱和电子速率，较大热导率，较低本征载流子浓度以及抗辐射和抗化学腐蚀的特性。基于SiC材料这些优越的特性，SiC材料的生长及其高功率高温器件和紫外微弱信号的探测器件已经日益成为半导体器件科学研究的热点。 本文的研究主要包括一种新型的纳米柱光控雪崩4H-SiC光电二极管（NAPD）的光电性质模拟研究和PECVD生长的氢化非晶碳化硅(a-SiXC1-X:H)薄膜的光学特性研究。 1.
洪荣墩
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Dianci bileiqi, 2016 针对暂态抑制二极管（TVS）在雷电阻尼振荡波冲击下的性能问题,对暂态抑制二极管的瞬态特性进行理论分析,利用雷电阻尼振荡波发生器进行冲击试验。得出:随雷电阻尼振荡波冲击电压的升高,TVS两端的残压呈上升趋势,冲击电压增大到一定值后残压呈稳定趋势;通流和吸收能量呈线性上升趋势;随着暂态抑制二极管击穿电压增大,在相同冲击电压下的能量吸收值越大;当冲击电压相同时,TVS击穿电压值与吸收能量呈正相关。
李祥超 +3 more
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