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Dianci bileiqi, 2013 ZnO压敏陶瓷击穿场强E1mA由晶粒尺寸和单个晶界击穿电压两个因素共同决定,沿用之前提出的微观结构模型,在晶粒尺寸一定,晶界电压服从正态分布;晶界电压一定,晶粒尺寸服从正态分布;和晶粒尺寸、晶界电压都服从正态分布三种条件下,用Matlab分别模拟击穿场强随厚度的变化关系,结果表明ZnO压敏陶瓷击穿场强的几何效应主要来自晶粒尺寸和分布的影响。在此基础上,对初始厚度不同的试样进行击穿场强与厚度的关系模拟,从结果可以看到,无论是高击穿场强还是低击穿场强的试样,都存在几何效应。
鲍婕, 王政留, 李盛涛
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Gaoya dianqi, 2021 文中介绍了一种新型环保绝缘气体六氟丙烯（1-C3F6）,并重点研究了1-C3F6与CO2混合气体在不同电极结构和电压特性下的绝缘特性。研究表明:在均匀电场中,1-C3F6/CO2混合气体的50%击穿电压随着电极间距、气压的增加而增加,工频击穿电压随着充气压力的升高而近似线性升高,纯1-C3F6气体在1.25 bar（1 bar=100 k Pa）时的工频击穿电压与SF6接近。此外,在各个充气压力下,1-C3F6/CO2混合气体的工频击穿电压都比C5F10O/Air混合气体高。在稍不均匀电场中,1 ...
周永言 +4 more
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Design and Modeling of a Novel IGBT [PDF]
, 2009 绝缘栅双极晶体管IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)由于结合了MOSFET和BJT各自的优点，表现出开关速度高、饱和压降低和可耐高压、大电流等优良特性，是一种用途十分广泛的半导体功率器件，许多领域已经逐步取代了电力晶体管(GTR)和电力场效应晶体管(MOSFET)。目前，国内对IGBT产品的需求量日趋增多，但国内暂时还没有独立的生产厂家，所需的IGBT产品主要依赖进口，因此，开发和研制具有自主知识产权的性能优良的IGBT器件已成为迫切需要，本文鉴于此背景 ...
杨玲玲
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Gaoya dianqi, 2000 对SF6气体间隙及绝缘子沿面的预放电电流进行了测量。测量结果证实 ,正极性VFTO作用下SF6的击穿遵从先导击穿机理 ;而负极性VFTO作用下SF6的击穿一般遵从茎先导机理或流注放电导致直接击穿。气压大小直接影响先导的起始电压及先导的间隔时间。存在绝缘子时 ,先导形成时间间隔及步长变短 ,且在快速振荡冲击电压作用下会出现“逆放电”现象 ,这有利于先导形成 ,从而降低了闪络电压。
陈庆国 +4 more
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, 2018 为了研究适用于百瓦级电推力器的离子束流中和技术,基于电子鞘层模型、射频等离子体最优放电技术和通过插入探针实现快速点火的方法,设计了一套小型感性耦合射频等离子体中和器(RF plasma neutralizer,RPN).实验研究了RPN中和器的稳定工作条件和电子引出特性,实现了RPN中和器稳定工作和电子有效引出.实验结果表明:电子引出特性主要取决于发射孔附近阳极斑的形成与否,而阳极斑的形成又主要受结构设计、工质流量和偏置电压等运行条件的影响;通过对RPN运行条件的优化试验,获得了55 ...
康琦 +5 more
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Study on Single-event Gate Rupture Mechanism of Asymmetric-trench SiC MOSFET [PDF]
The demand for kilovolt-level radiation-hardened SiC devices in modern spacecraft is urgent. To provide a theoretical basis for the hardening design of SiC MOSFETs against single-event gate rupture (SEGR), a study on the single-event effects of 1 200 V ...
WANG Lihao1, 2, DONG Tao2, FANG Xingyu2, QI Xiaowei2, WANG Liang2, CHEN Miao2, ZHANG Xing1, ZHAO Yuanfu2
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Measurement of the Static Optoelectronic Characteristics of InGaAs/InP Avalanche Photodiode [PDF]
, 2008 建立了雪崩二极管的静态光电特性的自动测试系统。利用该系统对光敏面的直径为500μm的台面型InGaAs/InP雪崩光电二极管(APDs)进行测试。测试结果表明,该APD器件在90%击穿电压下的暗电流为151nA,在直径500μm的光敏面上其光响应均匀性良好。提出一种测量雪崩二极管倍增因子的方法,只需利用普通的测量电流-电压的测试仪器,就可以获得开始倍增时的光电流,从而得到APD的倍增因子。通过该方法得到的InGaAs/InPAPD器件最大倍增因子的典型值在10～100量级。A measurement ...
归强 +6 more
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GIS中电压互感器中性点接地击穿间隙频繁击穿的原因分析及处理方法
Gaoya dianqi, 1992 针对GIS中电压互感器中性点接地击穿同隙频繁击穿的现象,分析了击穿原因,指出击穿系由隔离开关操作引起的快速暂态过电压通过耦合电容的传遵而造成,并提出了经过实践检验的解决方法。
潘晓强, 马云荣
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Dianci bileiqi, 1993 介绍了绝缘子陡冲击波电压试验情况。总结了陶瓷材料发生介电击穿的方式、种类及特点,肯定了瓷质在陡波电压下的击穿为电击穿。同时运用霍罗威兹理论,假设瓷质内部击穿源形式,分析对瓷质陡波击穿电场强度Ep的影响因素,并将陡波击穿机理建立在能谱分析试验的基础之上,提出了提高瓷绝缘子耐陡波性能的措施。
宋胜官, 成世凡
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电致发光成像技术在硅太阳能电池隐性缺陷检测中的应用 [PDF]
, 2011 论述了一种利用硅太阳能电池在一定偏压下的电致发光(Electrolum inescence,EL)成像来检测硅太阳能电池隐性缺陷的方法。硅太阳能电池的EL波长范围为850~1200 nm。正向偏压下的EL光强反映了少数载流子的浓度及其扩散长度,而反向偏压下的EL区和发光强度对应于电池的缺陷区域和缺陷密度。用硅CCD相机对硅太阳能电池的EL快速成像,然后根据EL成像的明暗强度可检测出电池的隐性缺陷。由于内在缺陷处EL强度比外在缺陷处受温度的影响更敏感 ...
庞爱锁 +5 more
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