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Dianci bileiqi, 2020 断线过电压是电力系统常见的一种铁磁谐振过电压,严重的可引发避雷器击穿,电气设备外绝缘闪络等事故。以一起35 kV线路断线后避雷器击穿事故为例,分析线路断线后过电压的产生机理。首先介绍了故障避雷器的解剖过程,排除避雷器因质量、选型、受潮等原因引起的击穿。其次采用ATP-EMTP电磁暂态法详细分析故障线路的发生断线后的过电压产生机理。最终得出,由于跳线断线并接地,引起变压器和线路电容产生谐振过电压是引起避雷器本体击穿的主要原因。
梁富光
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Phase Separation and Suppression In Wurtzite InGaN [PDF]
, 2006 InGaN半导体的带隙基本上覆盖了整个可见光波段,还包含了部分红外波段，在光电器件和光存储器件方面都有着广泛的应用。目前，影响其未来发展的几个难题，包括晶体质量、发光机制和相分离现象，深受大家的关注并需要迫切解决。本论文通过计算模拟和实验研究，并结合前人的研究，全面深入地考察了InGaN中相分离的有关问题，分析其性质、阐明其物理机制，进而讨论其抑制方法及其对InGaN发光的影响等。首先从热力学基础出发，着重分析了相分离与自由能变化量的关系，得出自由能变化量是否大于0，由混合焓和熵共同确定；当∂
郑江海
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Dianci bileiqi, 2016 雷电过电压的冲击会对电力变压器的内绝缘产生累积效应,并最终导致其绝缘的击穿。本文基于变电站侵入的实际雷电过电压波形,采用代表性的双极性振荡衰减波与标准雷电波进行对比研究,从波形、振荡频率、半峰值时间等角度研究了不同波形雷电过电压对油纸绝缘的击穿特性的影响。研究发现,双极性振荡衰减波作用下油纸绝缘的50%击穿电压均比标准雷电波作用下高10%到40%;对于双极振荡衰减波,当振荡频率相同时,半峰值时间越短,其击穿电压越高;对于频率较低的双极振荡衰减波,当半峰值时间相同时,振荡频率越高,击穿电压越低 ...
鲁义宽
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Researching of the Solar Energy Economizing Energy Electronics Lamp [PDF]
, 2005 本文介绍一种利用太阳能供电的电子节能灯。该太阳能电子节能灯主要由太阳电池组合方阵、蓄电池组、充电控制装置、放电保护装置、逆变器、灯管等组成。本文较详细地介绍了该节能灯各组成部分的工作原理和元器件选择的具体要求。In this paper we introduce a kind of economizing energy electronics lamp that makes use of the solar energy. The lamp is made up of the solar battery
游龙翔, 王晗, 闫彩艳
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High-Frequency and High-Voltage Characteristics on Gate Associated Transistors [PDF]
, 2000 【中文摘要】 建立了 GAT器件集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型 ,定量研究了 GAT的栅屏蔽效应和 GAT的基区穿通电压 VPI,并且解释了该器件实现高频率与高电压兼容的实验结果 .该模型可供优化设计双极型高频、高压、低饱和压降功率器件参考 【英文摘要】 The two\|dimensional analytical model of the electric potential and field distribution in GAT's collector depletion ...
吴丽清 +4 more
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Research on Output Characteristics of a Circular Dielectric Elastomer Generator [PDF]
ObjectivesEnergy is an important physical basis for economic and social development in modern world. Accompanied by the gradual depletion of traditional energy sources, the collection and utilization of renewable energy sources has become significant ...
HUANG Peng, WANG Yawu, ZHANG Mingyi
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Gaoya dianqi, 2010 在真空开关向高电压方向发展的背景下,高电压真空灭弧室触头间长真空间隙的绝缘特性成为关键问题之一。Slade提出了临界击穿场强理论,解释了真空中平板电极间直流电压临界击穿场强及其与开距的关系。笔者以临界击穿场强理论为基础,以126 kV真空灭弧室触头间隙为研究对象,将临界击穿场强理论应用于长真空间隙（开距60 mm）和交流电压（工频50 Hz）情况下,得到了高电压真空灭弧室触头间长真空间隙的工频临界击穿场强与触头开距的关系。
刘志远 +5 more
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Design and fabrication of microwave power SiGe HBT and novel SiGe HPT based on virtual substrate [PDF]
, 2009 随着无线通信和光纤通信技术的发展与融合，对组成通信系统的光电子器件性能和成本的要求日益提高。传统的Si材料器件以其成熟的工艺技术具有高集成和低成本优势，但是由于受到Si材料自身特性和器件结构的限制，无法满足高速的要求。SiGe异质结晶体管(HBT)利用了能带工程和成熟的Si微电子工艺，频率特性得到了质的飞跃，在无线通信领域得到了广泛应用；与此同时，引入具有内部增益的SiGe异质结光晶体管(HPT)，发挥与SiGeHBT结构工艺完全兼容的优势，拓展了Si基材料和器件在光纤通信领域的应用。但是 ...
张永
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Gaoya dianqi, 2018 文中目标旨在研究纳秒级连续脉冲电压对老练后真空灭弧室触头表面击穿位置分布的影响。采用屏蔽罩留有观察窗的玻璃外壳12 kV商用真空灭弧室与高速摄影仪（CCD）,研究不同触头开距条件下纳秒级连续脉冲电压幅值、频率对触头表面击穿位置的影响。研究结果显示,在纳秒级脉冲电压作用下,真空灭弧室触头间隙击穿后,其击穿位置在触头表面的分布服从高斯概率密度分布;击穿位置在触头表面分布趋向于中心位置;击穿位置随脉冲电压频率的增大而更趋均匀,随脉冲电压幅值的增大而更趋集中,随触头开距的增大而更趋于集中。此外 ...
刘畅 +5 more
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GIS隔离开关方式1试验中断口对地击穿时光电暂态过程监测与分析
Gaoya dianqi, 2022 开合短母线（方式1）试验是考核GIS隔离开关断口动态电气性能的重要试验。由于动静触头结构设计不合理，将直接导致GIS隔离开关在分合闸时，在断口处发生对地击穿。文中为确定GIS隔离开关试品在方式1试验中发生对地击穿的有效判据，构建了光电暂态全过程监测系统，包括GIS超宽频VFTO和外壳暂态地电位测试系统，以及高性能高速摄像机。GIS隔离开关方式1合闸过程中断口发生对地击穿时，文中采用高速摄像机同时记录下断口击穿电弧和动触头对地击穿电弧的形态，直接证实试品发生了对地击穿 ...
苏春强 +8 more
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