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Optoelectronic Characteristics of Nano-pillar 4H-SiC Avalanche Photodiode and a-SiXC1-X Prepared by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition [PDF]
, 2011 相对于传统Si材料，宽禁带半导体碳化硅（SiC）材料具有较高击穿电场，较高饱和电子速率，较大热导率，较低本征载流子浓度以及抗辐射和抗化学腐蚀的特性。基于SiC材料这些优越的特性，SiC材料的生长及其高功率高温器件和紫外微弱信号的探测器件已经日益成为半导体器件科学研究的热点。 本文的研究主要包括一种新型的纳米柱光控雪崩4H-SiC光电二极管（NAPD）的光电性质模拟研究和PECVD生长的氢化非晶碳化硅(a-SiXC1-X:H)薄膜的光学特性研究。 1.
洪荣墩
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Dianci bileiqi, 2016 针对暂态抑制二极管（TVS）在雷电阻尼振荡波冲击下的性能问题,对暂态抑制二极管的瞬态特性进行理论分析,利用雷电阻尼振荡波发生器进行冲击试验。得出:随雷电阻尼振荡波冲击电压的升高,TVS两端的残压呈上升趋势,冲击电压增大到一定值后残压呈稳定趋势;通流和吸收能量呈线性上升趋势;随着暂态抑制二极管击穿电压增大,在相同冲击电压下的能量吸收值越大;当冲击电压相同时,TVS击穿电压值与吸收能量呈正相关。
李祥超 +3 more
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Preparation and Properties of CaCu3Ti4O12 Ceramics with Giant Dielectric Constant [PDF]
, 2008 本论文采用传统的固相法制备CaCu3Ti4OI2（CCTO）陶瓷，研究不同热处理工艺、不同成型工艺、不同氧化物含量和氧化物掺杂对陶瓷结构与性能的影响，对陶瓷的介电机理、压敏机理和陶瓷的晶界效应进行初步的探讨。 本文对CCTO陶瓷的合成粉料分别在850℃，900℃，950℃和1000℃的温度下预烧2h，然后在1100℃左右烧结3h成瓷。结果表明，950℃预烧2h的粉体具有最佳的烧结性能。对坯体分别在1060℃、1080℃、1100℃和1120℃下烧结2h，结果表明1100℃烧结2h的样品具有最好的介电性能。
李洁
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Gaoya dianqi, 2019 为了研究微间距气体放电特性机理,在大气压环境下,采用了精密距离控制仪器进行电极间距为1～100μm的气体放电实验,得出了电极间距在1～100μm范围内的击穿电压,绘制了击穿电压曲线并讨论分析了1～5μm间距下击穿电压背离巴申曲线的原因。运用Fowler-Nordheim理论验证了在电极间距小于5μm时,气体放电过程由场致电子发射主导,并通过分析1～5μm间距内场强,进一步说明场致发射在此起主导作用。电极间距在10～15μm范围内时出现火花放电现象,分析认为该间距下的放电为电子崩引发的微间隙火花放电 ...
董克亮, 孙岩洲, 刘绪光
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Gaoya dianqi, 2004 通过对真空灭弧室击穿电压的测量,拟合出了真空灭弧室在小间隙下的击穿电压与间隙的关系式,结合对真空灭弧室电场强度的计算,得出了真空灭弧室的动、静触头在不同间隙下的击穿场强。将拟合到小间隙下的击穿电压与间隙的关系式应用到真空断路器关合时的预击穿特性,根据断路器的关合动特性,得到了断口间耐受电压随时间的变化规律,由此得出断路器实现同步关合的速度低限,以及在什么相位进行关合时暂态分量最小。
张敬菽 +5 more
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Atmospheric-pressure Plasma Interaction with Thymidine in Aqueous Solution [PDF]
, 2015 胸腺嘧啶(THyMInE)是遗传物质的组成成分之一,为了研究等离子体对遗传胸腺嘧啶(THyMInE)的作用过程,利用大气压等离子体对作为遗传物质的胸腺嘧啶(THyMInE)及对应的胸腺嘧啶脱氧核苷(THyMIdInE)进行处理,为了避免空气对遗传物质的影响,采用水中放电装置进行了相关研究。研究结果表明:不同气体等离子体处理后,胸腺嘧啶脱氧核苷会分解为胸腺嘧啶,且氮气等离子体处理时分解速率快于氩气等离子体处理;另外,空气等离子体与氧气等离子体处理后,胸腺嘧啶脱氧核苷会分解产生两种新产物,分别为胸腺嘧啶 ...
周仁武 +3 more
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Stress related properties of GaN based semiconductor heterostructures [PDF]
, 2008 GaN基半导体作为光电子材料领域极为重要的材料，其异质结构在器件开发领域得到十分广泛的应用。本文通过实验研究和计算模拟，考察研究了GaN基半导体异质结构中界面和表面的应力相关特性。运用高分辨率x射线衍射技术获得了6周期AlxGa1-xN/GaN超晶格结构中的应变，层厚及组分信息。采用对界面和表面变化敏感的掠入射x射线反射谱技术和原子力显微镜表面形貌技术深入研究了该超晶格结构的界面和表面平整度与垒层组分及阱层宽度的关系。研究发现，低Al组分阱宽小的样品界面与表面的平整度最好 ...
王元樟
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基于拓展Volume-Time理论的串联空气间隙非同期击穿过程分析
Gaoya dianqi为了认识串联空气间隙的击穿过程，以球—球间隙为研究对象，设计了“非对称组合间隙”，即总间隙距离不变的条件下分别单独调整两个间隙的距离使上下间隙距离不一致。采用拓展Volume-Time理论计算了串联双间隙的U50%，并解释了雷电冲击电压下非对称组合空气间隙的非同期击穿物理过程。实验结果表明，上下间隙距离分布不均匀程度对串联空气间隙击穿电压和击穿延时的影响；不均匀程度较大时，较低电压下存在单个间隙放电、总体不击穿的现象，较高电压下两间隙将出现非同期击穿；不均匀程度较小时，两间隙同期击穿。为了解释这种现象 ...
姚晓飞 +7 more
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[Clinical characteristics and analysis of risk factors for heart injuries in 55 patients with lightning injury on plateau in Tibet Autonomous Region]. [PDF]
Zhonghua Shao Shang Yu Chuang Mian Xiu Fu Za Zhi, 2023 Yang SS, Zhao YY, Luo ZJ, He C, Li YH.
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Emission Mechanism of High Al-content AlGaN Multiple Quantum Wells [PDF]
, 2016 紫外LED的发光功率和效率还远不能令人们满意,波长短于300 nm的深紫外LED的发光效率普遍较低。厘清高Al组分Al Ga N多量子阱结构的发光机制将有利于探索改善深紫外LED的发光效率的新途径、新方法。为此,本文通过金属有机气相外延技术外延生长了表面平整、界面清晰可辨且陡峭的高Al组分AlGa N多量子阱结构材料,并对其进行变温光致发光谱测试,结合数值计算,深入探讨了Al Ga N量子阱的发光机制。研究表明,量子阱中具有很强的局域化效应,其发光和局域激子的跳跃息息相关 ...
季桂林 +7 more
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