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Phase Separation and Suppression In Wurtzite InGaN [PDF]
, 2006 InGaN半导体的带隙基本上覆盖了整个可见光波段,还包含了部分红外波段，在光电器件和光存储器件方面都有着广泛的应用。目前，影响其未来发展的几个难题，包括晶体质量、发光机制和相分离现象，深受大家的关注并需要迫切解决。本论文通过计算模拟和实验研究，并结合前人的研究，全面深入地考察了InGaN中相分离的有关问题，分析其性质、阐明其物理机制，进而讨论其抑制方法及其对InGaN发光的影响等。首先从热力学基础出发，着重分析了相分离与自由能变化量的关系，得出自由能变化量是否大于0，由混合焓和熵共同确定；当∂
郑江海
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Dianci bileiqi, 2016 雷电过电压的冲击会对电力变压器的内绝缘产生累积效应,并最终导致其绝缘的击穿。本文基于变电站侵入的实际雷电过电压波形,采用代表性的双极性振荡衰减波与标准雷电波进行对比研究,从波形、振荡频率、半峰值时间等角度研究了不同波形雷电过电压对油纸绝缘的击穿特性的影响。研究发现,双极性振荡衰减波作用下油纸绝缘的50%击穿电压均比标准雷电波作用下高10%到40%;对于双极振荡衰减波,当振荡频率相同时,半峰值时间越短,其击穿电压越高;对于频率较低的双极振荡衰减波,当半峰值时间相同时,振荡频率越高,击穿电压越低 ...
鲁义宽
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Preparation and Properties of CaCu3Ti4O12 Ceramics with Giant Dielectric Constant [PDF]
, 2008 本论文采用传统的固相法制备CaCu3Ti4OI2（CCTO）陶瓷，研究不同热处理工艺、不同成型工艺、不同氧化物含量和氧化物掺杂对陶瓷结构与性能的影响，对陶瓷的介电机理、压敏机理和陶瓷的晶界效应进行初步的探讨。 本文对CCTO陶瓷的合成粉料分别在850℃，900℃，950℃和1000℃的温度下预烧2h，然后在1100℃左右烧结3h成瓷。结果表明，950℃预烧2h的粉体具有最佳的烧结性能。对坯体分别在1060℃、1080℃、1100℃和1120℃下烧结2h，结果表明1100℃烧结2h的样品具有最好的介电性能。
李洁
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Gaoya dianqi, 2019 为了研究微间距气体放电特性机理,在大气压环境下,采用了精密距离控制仪器进行电极间距为1～100μm的气体放电实验,得出了电极间距在1～100μm范围内的击穿电压,绘制了击穿电压曲线并讨论分析了1～5μm间距下击穿电压背离巴申曲线的原因。运用Fowler-Nordheim理论验证了在电极间距小于5μm时,气体放电过程由场致电子发射主导,并通过分析1～5μm间距内场强,进一步说明场致发射在此起主导作用。电极间距在10～15μm范围内时出现火花放电现象,分析认为该间距下的放电为电子崩引发的微间隙火花放电 ...
董克亮, 孙岩洲, 刘绪光
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Atmospheric-pressure Plasma Interaction with Thymidine in Aqueous Solution [PDF]
, 2015 胸腺嘧啶(THyMInE)是遗传物质的组成成分之一,为了研究等离子体对遗传胸腺嘧啶(THyMInE)的作用过程,利用大气压等离子体对作为遗传物质的胸腺嘧啶(THyMInE)及对应的胸腺嘧啶脱氧核苷(THyMIdInE)进行处理,为了避免空气对遗传物质的影响,采用水中放电装置进行了相关研究。研究结果表明:不同气体等离子体处理后,胸腺嘧啶脱氧核苷会分解为胸腺嘧啶,且氮气等离子体处理时分解速率快于氩气等离子体处理;另外,空气等离子体与氧气等离子体处理后,胸腺嘧啶脱氧核苷会分解产生两种新产物,分别为胸腺嘧啶 ...
周仁武 +3 more
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Gaoya dianqi, 2004 通过对真空灭弧室击穿电压的测量,拟合出了真空灭弧室在小间隙下的击穿电压与间隙的关系式,结合对真空灭弧室电场强度的计算,得出了真空灭弧室的动、静触头在不同间隙下的击穿场强。将拟合到小间隙下的击穿电压与间隙的关系式应用到真空断路器关合时的预击穿特性,根据断路器的关合动特性,得到了断口间耐受电压随时间的变化规律,由此得出断路器实现同步关合的速度低限,以及在什么相位进行关合时暂态分量最小。
张敬菽 +5 more
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Stress related properties of GaN based semiconductor heterostructures [PDF]
, 2008 GaN基半导体作为光电子材料领域极为重要的材料，其异质结构在器件开发领域得到十分广泛的应用。本文通过实验研究和计算模拟，考察研究了GaN基半导体异质结构中界面和表面的应力相关特性。运用高分辨率x射线衍射技术获得了6周期AlxGa1-xN/GaN超晶格结构中的应变，层厚及组分信息。采用对界面和表面变化敏感的掠入射x射线反射谱技术和原子力显微镜表面形貌技术深入研究了该超晶格结构的界面和表面平整度与垒层组分及阱层宽度的关系。研究发现，低Al组分阱宽小的样品界面与表面的平整度最好 ...
王元樟
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Gaoya dianqi双断口真空断路器能够有效提高耐受电压水平，显著降低重燃率，进而提升无功投切性能，具有重要的工程实际意义。文中通过实验分别研究了双断口真空断路器在直流电压下不并联均压电容以及并联均压电容条件下关合时的预击穿特性，包括预击穿开距及其分散性、预击穿电压、预击穿场强，并计算其威布尔分布。结果表明，通过并联合理大小的均压电容（约100 pF）可以使双断口分压更加均匀，从而有效改善双断口真空断路器的预击穿特性。实验结果表明，随着均压电容的增大，当均压电容值超过500 pF后，双断口真空断路器的预击穿特性将会变差 ...
李洪伟 +4 more
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Dianci bileiqi, 2020 电力系统中,存在一些悬浮导体构成的间隙,其放电特性较典型间隙更为复杂多样,放电特性规律尚未得到明确。设计了含悬浮金属板的棒-板-棒组合间隙试验装置,研究棒-板-棒组合间隙在操作冲击电压作用下的放电特性,分析不同电压极性、不同金属板位置下组合间隙的击穿电压并基于高速光学影像分析其放电过程现象。研究表明,金属板位于组合间隙不同位置时,其击穿电压变化较大,且在正负不同极性操作冲击作用下,其变化规律呈现出明显差异性;同时还观测到,当悬浮板靠近高压电极时,会出现单侧高压极棒-板间隙多次击穿这一特殊现象 ...
朱真兵 +9 more
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Emission Mechanism of High Al-content AlGaN Multiple Quantum Wells [PDF]
, 2016 紫外LED的发光功率和效率还远不能令人们满意,波长短于300 nm的深紫外LED的发光效率普遍较低。厘清高Al组分Al Ga N多量子阱结构的发光机制将有利于探索改善深紫外LED的发光效率的新途径、新方法。为此,本文通过金属有机气相外延技术外延生长了表面平整、界面清晰可辨且陡峭的高Al组分AlGa N多量子阱结构材料,并对其进行变温光致发光谱测试,结合数值计算,深入探讨了Al Ga N量子阱的发光机制。研究表明,量子阱中具有很强的局域化效应,其发光和局域激子的跳跃息息相关 ...
季桂林 +7 more
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