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Dianci bileiqi, 1993 介绍了绝缘子陡冲击波电压试验情况。总结了陶瓷材料发生介电击穿的方式、种类及特点,肯定了瓷质在陡波电压下的击穿为电击穿。同时运用霍罗威兹理论,假设瓷质内部击穿源形式,分析对瓷质陡波击穿电场强度Ep的影响因素,并将陡波击穿机理建立在能谱分析试验的基础之上,提出了提高瓷绝缘子耐陡波性能的措施。
宋胜官, 成世凡
doaj
Modification of the Optical Polarization in High Al-Content AlGaN [PDF]
, 2016 相比于传统紫外光源（如汞灯和氙灯），AlGaN半导体紫外光电子器件具有无汞污染、波长可调、体积小、集成性好、耐高温、抗辐射以及能耗低、寿命长等优点，在工业、农业、国防和医疗卫生等领域都有着广阔的应用前景和巨大的市场需求。然而，由于高Al组分AlGaN材料中存在诸多问题，例如外延生长困难、p型掺杂率低、发光偏振特性独特等等，导致深紫外波段器件的发光效率普遍较低，制约了深紫外发光器件的发展与应用。本论文采用第一性原理的计算模拟方法，围绕AlGaN材料中的光学偏振特性及其调控开展了系统的研究工作 ...
季桂林
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Study of ICP-induced In doping and the properties of GaN-based LED wafers and devices [PDF]
, 2015 GaN材料属于第三代半导体材料，具有宽的直接带隙以及优异的物理和化学性质，是制作发光器件和光伏器件的理想材料。在信息显示领域，GaN基高亮度蓝、绿发光二极管可以用于户外大屏幕全色显示以及交通信号灯等方面；在照明领域，GaN基白光LED可以用于背光源、路灯和景观照明以及通用照明等。GaN基器件的研究已经取得巨大进展，但是在器件的制备过程中仍存在一些问题，如GaN材料的p型欧姆接触问题则是限制GaN器件发展的主要因素之一。有两方面的原因阻碍低阻p-GaN欧姆接触的实现：一方面是难以生长高空穴浓度的p ...
曾勇平
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Influences of compaction and content of hydrophobic agent on breakthrough pressure of hydrophobic soil [PDF]
Water infiltration, migration, and phase change of temperature are the crucial causes of frost damage in soils in cold regions. Modifying the soils to impart hydrophobic properties can effectively enhance their water resistance, offering a new approach ...
LI Lu1, 2 , LIN Chengxin1, 2, CHAI Yuxuan1, 2, SHI Shuo1, WU Yongkang1 , LI Xu
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Quantitative Analysis of Unburned Carbon in Fly Ash by Laser-induced Breakdown Spectroscopy [PDF]
, 2020 为了验证LIBS测量飞灰中碳含量变化的能力,本文将煤粉与飞灰按照一定比例均匀混合,得到24种含碳量不同的样品.在不同延迟时间下进行激光诱导击穿光谱实验,得到温度指标发射强度比IMg1/IMg2随延迟时间的增大而减小,纯飞灰样品的发射强度比IMg1/IMg2的数值明显大于其他混入煤粉的样品.样品中发射谱线强度比IAl/ISi1随温度指标IMg1/IMg2的增大而减小.飞灰样品加入煤粉后,对等离子体的温度变化有明显影响.同时引入多元分析的方法,将样品中C、Al、Mg、Ca ...
Deguchi, Yoshihiro +6 more
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Gaoya dianqi, 1997 极不均匀场中SF6的低概率冲击击穿是先导击穿。根据当前的研究结果,对击穿的发展过程和机理进行了论述,对击穿过程的计算机模拟及它的一个实际应用——伏秒特性也作了讨论。
顾温国, 邱毓昌
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Growth of HfO2 thin film by Remote Plasma Atomic Layer Deposition and the properties of HfO2/Ge interface [PDF]
, 2016 随着器件等比例缩小难度和成本的不断增加，以Si作为沟道材料SiO2作为栅介质的传统CMOS发展接近物理极限，高K介质HfO2栅高迁移率Ge沟道MOSFET成为未来CMOS集成电路技术发展的潜在选择之一。然而metal/HfO2/Ge结构MOS器件存在界面态密度高、栅极漏电流大等问题，因此研究高质量HfO2薄膜生长技术和减少HfO2/Ge界面态是提高metal/HfO2/GeMOS器件性能的有效途径之一。 本文采用远程等离子体辅助原子层沉积法(RP-ALD)生长HfO2薄膜，优化了HfO2薄膜的生长（温度）
池晓伟
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Gaoya dianqi, 2022 针对传统的GIL击穿定位方式测试过程复杂、定位精度较差的问题，采用基于传声器阵列的空间谱估计技术对GIL击穿信号源的位置进行了识别研究。通过连续小波变换对击穿信号进行时频域的联合分析，构建多分辨率时频阵列信号模型并引入到传统MUSIC算法中以提高对GIL击穿信号的DOA估计精度，通过数值模拟对算法的定位效果进行了分析，仿真结果表明结合连续小波变换的MUSIC算法对于瞬态击穿信号有更好的定位效果。采用8阵元的直线阵列在某高压大厅的GIS模型上代替GIL进行耐压击穿定位试验研究 ...
李玉杰 +5 more
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The Study of Band Engineering and Polarization-induced Doping in AlGaN-based Deep Ultraviolet Light-Emitting Diode [PDF]
, 2016 Ⅲ族氮化物作为新一代半导体材料，具有宽直接带隙、高电子漂移率、高热导率、耐高温、抗腐蚀、抗辐射等优点，适合制作高频、高功率、耐高温和抗辐射的电子器件，比如AlGaN基紫外发光二极管。但是紫外发光二极管依然存在低量子效率、低光输出功率等问题，提高晶体质量和载流子注入效率是解决问题的两个主要思路。影响载流子注入效率的一个重要因素是内部极化场引起的能带弯曲，本文基于APSYS软件，主要围绕紫外LED的能带调控和极化诱导掺杂展开研究。 首先，本文回顾了紫外LED的发展历程，介绍了AlGaN半导体材料的结构和性质，
刘松青
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Transition metal compounds and alloys: A first-principles investigation [PDF]
, 2015 含过渡金属的化合物与合金在数据存储、光催化和能量存储与转换等领域有重要的应用，主要得益于其特定的电子结构、力学性能等性质。本论文利用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法，选取特定的研究体系，系统地探索了过渡金属化合物与合金的电子结构（第三章）、内部原子扩散（第四章）、力学性能（第五章）以及压力与温度对其性质的影响（第六章）。 为了研究缺陷和掺杂对过渡金属氧化物电子结构的调制，我们以SrZrO3为研究对象，首先研究了内部含有有序氧空位和部分无序氧空位体系的电子结构。计算结果表明 ...
郭忠路
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