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GIS隔离开关方式1试验中断口对地击穿时光电暂态过程监测与分析
Gaoya dianqi, 2022 开合短母线（方式1）试验是考核GIS隔离开关断口动态电气性能的重要试验。由于动静触头结构设计不合理，将直接导致GIS隔离开关在分合闸时，在断口处发生对地击穿。文中为确定GIS隔离开关试品在方式1试验中发生对地击穿的有效判据，构建了光电暂态全过程监测系统，包括GIS超宽频VFTO和外壳暂态地电位测试系统，以及高性能高速摄像机。GIS隔离开关方式1合闸过程中断口发生对地击穿时，文中采用高速摄像机同时记录下断口击穿电弧和动触头对地击穿电弧的形态，直接证实试品发生了对地击穿 ...
苏春强 +8 more
doaj
, 1997 利用流体弹塑性模型和欧拉算法对穿爆弹撞击有限尺度模拟靶的力学效应进行了数值分析。给出了撞靶过程中各物理量的变化，分析了靶板尺度 ...
雍克明 +5 more
core +2 more sources
Gaoya dianqi, 1996 以存在于电极表面的击穿弱点为基础,在考虑了击穿弱点在电极表面的分布后,分别对均匀场和不均匀场两种情况下,真空灭弧室绝缘击穿的统计特性进行了分析,定量地给出了电极面积的变化对击穿概率的影响、即所谓的面积效应,导出了击穿累积概率随电极面积而变化的关系。
何俊佳, 邹积岩, 程礼椿
doaj
, 2006 平面型雪崩光电二极管（APD）在结弯曲处具有高的电场，导致在结边缘的提前击穿。运用FEMLAB软件对不同工艺流程制备的三种不同结构平面型InP／InGaAsAPD的电场分布进行了二维有限元模拟，在表面电荷密度为5×10^11cm^-2时分析了吸收层厚度、保护环掺杂浓度、保护环和中央结纵向及横向间距等因素对边缘提前击穿特性的抑制程度。比较了这三种结构的InP／InGaAsAPD在边缘提前击穿的抑制特性的优劣。通过理论研究对平面InP ...
王国宏 +4 more
core
四川大学学报. 自然科学版, 1985 Si在NH4Cl存在情况下热氧化,有效地改善了生成的Sio2膜的击穿特性.同标准氧化膜的击穿强度相比,NH4Cl氧化膜的击穿强度增加30％以上,击穿强度的统计分散有效地减小.
王廷
doaj
, 2014 本实用新型提供了一种激光诱导击穿光谱分析系统，激光诱导击穿光谱分析系统，包括控制单元、脉冲激光器和沿脉冲激光出射方向依次设置的分束器、可移动定位平台、光谱收集单元、光谱仪以及数据处理系统，分束器将脉冲激光器的出射光脉冲分出主光路和采样光路，在主光路上设置有激光扩束准直及聚焦光学系统、与所述可移动定位平台构成反馈控制的样品定位单元，在采样光路上设置有脉冲激光能量测量模块、脉冲触发延迟单元，控制单元具有多路控制信号输出，各控制信号输出端分别对应接至样品定位单元 ...
汤洁 +5 more
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Dianci bileiqi, 2013 对额定电压10 kV的设计B类有机避雷器进行了预击穿短路试验,验证了IEC60099-4Ed2.2:2009和GB11032-2010中的预击穿短路试验程序。试验表明:电压源法预击穿电压的范围为避雷器参考额定电压的1.081.13倍,击穿时间为28 min。并且,短路大电流试验时,试品电流波形延后其电压波形约1个周波,而标准中规定的预击穿试验与短路电流试验之间时间间隔及再击穿试验等对短路试验的结果影响不大。
贾东旭, 石莉敏, 弥璞, 桑建平
doaj
Dianci bileiqi, 2021 电极结构对氧化铝陶瓷介电击穿电压的测试有着重要的影响。笔者对5种常用的电极结构作用下的静电场进行了仿真,并对不同电极结构作用导致的氧化铝陶瓷介电击穿位置的形貌进行了显微分析。仿真结果显示:在氧化铝陶瓷-绝缘油-电极的三相点处存在很强的电场集中现象,绝缘油内的最高电场强度远大于氧化铝陶瓷内的最高电场强度,因此在陶瓷击穿之前必然已发生了绝缘油的击穿,从而影响电场分布。介电击穿位置的形貌分析显示,氧化铝陶瓷的介电击穿主要发生在三相点附近,与仿真结果复合。
杜继实 +7 more
doaj
This utility model claims a percussion device through
, 2017 本发明属于星球探测器领域，具体地说是一种撞击式穿入器，包括外壳、质量块和冲击锤，通过直流电机驱动擒纵套管，从而压缩驱动弹簧；当驱动弹簧压缩至与释放套管接触后，冲击锤在弹力作用下与外壳发生冲击作用，此瞬间冲击力远大于外部作用力；同时，质量块受尾部制动弹簧的作用，运动量小，恢复初始状态时，产生二次冲击，高效地实现穿入器在竖直方向运动；如此循环，即可到达预定深度。本发明采用自驱动方式，无需其他设备的介入便可穿入地层下；采用直线驱动方式，无需夹持装置，且工作中不会产生大量的热；本发明整体质量轻，工作可靠 ...
刘金国, 冯靖凯
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GIS中电压互感器中性点接地击穿间隙频繁击穿的原因分析及处理方法
Gaoya dianqi, 1992 针对GIS中电压互感器中性点接地击穿同隙频繁击穿的现象,分析了击穿原因,指出击穿系由隔离开关操作引起的快速暂态过电压通过耦合电容的传遵而造成,并提出了经过实践检验的解决方法。
潘晓强, 马云荣
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