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居里温度区BaTiO3基陶瓷电容器的直流击穿特性

open access: yesDianci bileiqi, 2003
研究了BaTiO3基多层陶瓷电容器(MLCs)直流击穿与温度的关系。测量了从室温到250℃范围内BaTiO3基多层陶瓷电容器的直流击穿场强(BDFs),通过分析直流预压对BDFs的影响,发现空间电荷的同性效应对MLCs的室温和居里温度区的直流击穿有很大的影响;而在高温区,MLCs的直流击穿主要是热击穿。最后根据结构控制Schottky电导理论,联系热离子反射过程和势垒高度对空间电荷积累的影响,从而得出居里温度区具有极小击穿场强的直流击穿特性与BaTiO3基陶瓷绝缘体相转变导致的势垒高度的增加相一致的结论。
周远翔   +4 more
doaj  

单光源双波长激光诱导击穿光谱测量装置

open access: yes, 2014
本实用新型公开了一种单光源双波长激光诱导击穿光谱测量装置。该装置主要包括脉冲激光器、倍频晶体、分光镜、第一全反射镜、第二全反射镜、光快门、光谱仪、同步延迟控制器;脉冲激光器产生的激光通过倍频晶体后分为基频光和倍频光,照射在分光镜上;倍频光经所述第一全反射镜反射后垂直照射于待测样品的表面;基频光经过所述光快门、然后被所述第二全反射镜反射后平行照射在待测样品表面的上方1-5mm处;待测样品被激发出的等离子体产生的光谱信号会聚至光纤收集头,传送至光谱仪。本实用新型在实现双脉冲LIBS高探测灵敏度的同时 ...
汤洁   +4 more
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基于Matlab的ZnO压敏陶瓷几何效应研究

open access: yesDianci bileiqi, 2013
ZnO压敏陶瓷击穿场强E1mA由晶粒尺寸和单个晶界击穿电压两个因素共同决定,沿用之前提出的微观结构模型,在晶粒尺寸一定,晶界电压服从正态分布;晶界电压一定,晶粒尺寸服从正态分布;和晶粒尺寸、晶界电压都服从正态分布三种条件下,用Matlab分别模拟击穿场强随厚度的变化关系,结果表明ZnO压敏陶瓷击穿场强的几何效应主要来自晶粒尺寸和分布的影响。在此基础上,对初始厚度不同的试样进行击穿场强与厚度的关系模拟,从结果可以看到,无论是高击穿场强还是低击穿场强的试样,都存在几何效应。
鲍婕, 王政留, 李盛涛
doaj  

Threshold correction method applied to wavelet threshold noise reduction of laser-induced breakdown spectroscopy

open access: yes, 2015
本发明公开了一种用于激光诱导击穿光谱的小波阈值降噪的阈值校正方法,基于合理的阈值校正数学模型,通过灰色理论和模糊理论计算得到校正后的阈值并用于激光诱导击穿光谱的小波阈值降噪。通过本方法取得了很好的激光诱导击穿光谱的降噪效果 ...
齐立峰   +6 more
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支持向量机在组合空气间隙击穿电压预测中的应用

open access: yesGaoya dianqi, 2017
为获取含悬浮导体的组合空气间隙击穿特性,建立了基于支持向量机和电场特征量的组合空气间隙击穿电压预测模型,通过电场特征量表征间隙结构,采用支持向量机建立电场特征量与击穿电压的关联性,以少量典型间隙试验数据作为训练样本,对棒—板—球、棒—板—棒以及球—板—球组合间隙的工频击穿电压进行了预测,通过对比击穿电压试验数据,3种间隙的击穿电压预测结果平均绝对百分比误差分别为4.5%、3.1%和2.8%,最大相对误差均在9%以内,表明所提方法具有较高精度,为组合间隙击穿电压的预测提供了新途径。
唐烈峥   +5 more
doaj  

穿爆弹撞靶效应数值分析 [PDF]

open access: yes, 1997
利用流体弹塑性模型和欧拉算法对穿爆弹撞击有限尺度模拟靶的力学效应进行了数值分析。给出了撞靶过程中各物理量的变化,分析了靶板尺度 ...
雍克明   +5 more
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10kV真空断路器弧后重击穿的统计分析

open access: yesGaoya dianqi, 1986
本文对1969年至1985年初在冲击发电机上进行的10kV真空断路器断流容量试验中的弧后击穿现象进行了统计计算。计算结果证明,我国10kV真空断路击穿几率的大小与开断电流的相对大小有关。当开断电流小于极限开断电流的60%时,击穿几率接近于零;当开断电流接近开断稳定区的上限时,有1%左右的弧后重击穿几率和0.4%左右的延滞击穿几率,击穿时间服从威布尔分布。
doaj  

并联电容器组中电容器击穿的特征分析与仿真研究

open access: yesGaoya dianqi, 2009
并联电容器组是交流电力系统输配电环节的主要无功补偿装置,在变电站中普遍采用10 kV框架式高压并联电力电容器组。实际运行中,电容器内部元件击穿的故障是电容器组故障比例最高的。以常用的10 kV并联电容器为研究对象,分析了电容器组在运行过程中内部元件击穿一串、二串情况的击穿放电量,故障相电容器的电压暂态变化量,并估计了放电电流的峰值。在EMTP仿真软件中建立了电容器的击穿模型,计算并分析了击穿元件的等效电路参数对放电电流峰值的影响:电阻值越大,则击穿峰值电流越小,随着电阻值的增加,击穿电流峰值下降减缓 ...
刘文泽, 蔡泽祥, 冯顺萍
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高击穿电压AlGaN/GaN HEMT电力开关器件研究进展

open access: yes, 2010
作为第三代宽禁带半导体材料的典型代表, GaN材料在各个应用领域的研究工作都受到了高度的重视。概述了基于AlGaN/GaNHEMT结构的新型高压、高频、低损耗电力开关器件的最新研究进展。从器件的结构特征入手, 详细介绍了改善器件击穿特性的途径、高频开关特性的研究情况、Si衬底上AlGaN/GaNHEMT结构材料的生长、增强型器件的制备技术和功率集成电路的研究等几个国际上的热点问题。最后 ...
张明兰   +4 more
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基于拓展Volume-Time理论的串联空气间隙非同期击穿过程分析

open access: yesGaoya dianqi
为了认识串联空气间隙的击穿过程,以球—球间隙为研究对象,设计了“非对称组合间隙”,即总间隙距离不变的条件下分别单独调整两个间隙的距离使上下间隙距离不一致。采用拓展Volume-Time理论计算了串联双间隙的U50%,并解释了雷电冲击电压下非对称组合空气间隙的非同期击穿物理过程。实验结果表明,上下间隙距离分布不均匀程度对串联空气间隙击穿电压和击穿延时的影响;不均匀程度较大时,较低电压下存在单个间隙放电、总体不击穿的现象,较高电压下两间隙将出现非同期击穿;不均匀程度较小时,两间隙同期击穿。为了解释这种现象 ...
姚晓飞   +7 more
doaj  

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