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Resistive switching property of HfO2 film prepared by atomic layer deposition and its 1D1R device [PDF]
, 2016 随着信息科学与微电子技术的发展，闪存已经成为今天市场上主流的非易失性存储器。但是随着浮栅存储器件尺寸的不断缩小，浮栅耦合、电荷泄漏、单元之间的串扰等问题日益严峻，开发更小尺寸、更低功耗和更高集成度的新型存储单元已成必然趋势。在新型非易失性存储器的研究中，阻变存储器由于结构简单、读写速度快、存储密度高、操作电压低、与CMOS工艺兼容性好等优势有望成为新一代非易失性存储器。本文基于原子层沉积生长的HfO2薄膜，研究了在不同温度下原子层沉积生长HfO2薄膜的阻变特性，确定了最佳工艺温度；在此基础上 ...
陆超
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Dianci bileiqi, 1993 介绍了绝缘子陡冲击波电压试验情况。总结了陶瓷材料发生介电击穿的方式、种类及特点,肯定了瓷质在陡波电压下的击穿为电击穿。同时运用霍罗威兹理论,假设瓷质内部击穿源形式,分析对瓷质陡波击穿电场强度Ep的影响因素,并将陡波击穿机理建立在能谱分析试验的基础之上,提出了提高瓷绝缘子耐陡波性能的措施。
宋胜官, 成世凡
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Design and fabrication of AlGaN-based deep-UV LED with distributed Bragg reflectors-pixel metal combined electrodes [PDF]
, 2015 由于AlGaN、AlN材料相对较高的电阻率造成深紫外发光二极管（DUVLEDs）的电流拥堵问题更为严重，通常用于改善可见光LEDs电流分布的办法并不一定适用于DUVLEDs器件。与此同时，较高的焦耳热和低内量子效率造成的非辐射热，也导致DUVLEDs的自热效应更加明显。再加之p-GaN和p-AlGaN对紫外波段光的严重吸收，以及高Al组分AlGaN材料光学各向异性显著，严重影响了DUVLEDs的出光效率。因此，在制备DUVLEDs时，需针对AlGaN材料的特殊性，对传统的器件结构加以改进。为此 ...
袁照容
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Gaoya dianqi, 1997 极不均匀场中SF6的低概率冲击击穿是先导击穿。根据当前的研究结果,对击穿的发展过程和机理进行了论述,对击穿过程的计算机模拟及它的一个实际应用——伏秒特性也作了讨论。
顾温国, 邱毓昌
doaj
Fabrication of Mechanically Controllable Break Junction Microchip and Simulation by Material Mechanics [PDF]
, 2015 当“自下而上”途径组装器件的理念被提出后，美国科学家费曼继而提出小尺度上的操作和控制物质材料，这两个理念引导下产生的分子电子学成为备受人们关注的交叉性学科。过去的六十年里，分子电子学获得了飞速的发展，尤其是世纪之交的十年可谓是“分子电子学的黄金十年”，科学家们接连得到单原子、单分子尺度上的物理化学性质并付诸应用。然而，分子电子学研究的基本结构单元仍是金属/分子/金属结，而其构筑方法的不稳定性和表征手段不重现及单一性仍然是分子结的构筑和表征研究中面临的主要困境。 本论文工作以构筑稳定分子结为目标 ...
冯石
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The Study of Band Engineering and Polarization-induced Doping in AlGaN-based Deep Ultraviolet Light-Emitting Diode [PDF]
, 2016 Ⅲ族氮化物作为新一代半导体材料，具有宽直接带隙、高电子漂移率、高热导率、耐高温、抗腐蚀、抗辐射等优点，适合制作高频、高功率、耐高温和抗辐射的电子器件，比如AlGaN基紫外发光二极管。但是紫外发光二极管依然存在低量子效率、低光输出功率等问题，提高晶体质量和载流子注入效率是解决问题的两个主要思路。影响载流子注入效率的一个重要因素是内部极化场引起的能带弯曲，本文基于APSYS软件，主要围绕紫外LED的能带调控和极化诱导掺杂展开研究。 首先，本文回顾了紫外LED的发展历程，介绍了AlGaN半导体材料的结构和性质，
刘松青
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Gaoya dianqi, 2022 针对传统的GIL击穿定位方式测试过程复杂、定位精度较差的问题，采用基于传声器阵列的空间谱估计技术对GIL击穿信号源的位置进行了识别研究。通过连续小波变换对击穿信号进行时频域的联合分析，构建多分辨率时频阵列信号模型并引入到传统MUSIC算法中以提高对GIL击穿信号的DOA估计精度，通过数值模拟对算法的定位效果进行了分析，仿真结果表明结合连续小波变换的MUSIC算法对于瞬态击穿信号有更好的定位效果。采用8阵元的直线阵列在某高压大厅的GIS模型上代替GIL进行耐压击穿定位试验研究 ...
李玉杰 +5 more
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Investigation of oxygen precipitates and the stability of denuded zone in Czochralski silicon [PDF]
, 2016 铜在硅中不仅具有很大的扩散速率，而且随着温度的降低它的固溶度迅速下降，这两个特性使得铜原子很容易在器件制备过程中沉淀下来，严重影响硅片性能。虽然科研工作者们已经提出了多种工艺使硅片近表面处形成洁净区，但却很少对硅中的氧沉淀和洁净区的稳定性进行深入探讨。因此，本文通过实验分析了氧沉淀和洁净区的稳定性，得出以下结论： （1）研究了热处理方式和铜引入温度对洁净区的形成及其稳定性的影响。研究发现，只有Ramping-低-高热处理能使硅片内生成大量氧沉淀的同时有效形成洁净区。引入铜玷污后，RTP-低 ...
吕耀朝
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GIS隔离开关方式1试验中断口对地击穿时光电暂态过程监测与分析
Gaoya dianqi, 2022 开合短母线（方式1）试验是考核GIS隔离开关断口动态电气性能的重要试验。由于动静触头结构设计不合理，将直接导致GIS隔离开关在分合闸时，在断口处发生对地击穿。文中为确定GIS隔离开关试品在方式1试验中发生对地击穿的有效判据，构建了光电暂态全过程监测系统，包括GIS超宽频VFTO和外壳暂态地电位测试系统，以及高性能高速摄像机。GIS隔离开关方式1合闸过程中断口发生对地击穿时，文中采用高速摄像机同时记录下断口击穿电弧和动触头对地击穿电弧的形态，直接证实试品发生了对地击穿 ...
苏春强 +8 more
doaj
Transition metal compounds and alloys: A first-principles investigation [PDF]
, 2015 含过渡金属的化合物与合金在数据存储、光催化和能量存储与转换等领域有重要的应用，主要得益于其特定的电子结构、力学性能等性质。本论文利用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法，选取特定的研究体系，系统地探索了过渡金属化合物与合金的电子结构（第三章）、内部原子扩散（第四章）、力学性能（第五章）以及压力与温度对其性质的影响（第六章）。 为了研究缺陷和掺杂对过渡金属氧化物电子结构的调制，我们以SrZrO3为研究对象，首先研究了内部含有有序氧空位和部分无序氧空位体系的电子结构。计算结果表明 ...
郭忠路
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