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Laser-induced Breakdown Spectroscopy Based on Pre-classification Strategy for Quantitative Analysis of Rock Samples [PDF]
, 2023 BACKGROUNDLIBS technology is a non-destructive, high sensitivity, high resolution spectroscopy technology that can be used to analyze the composition and structure of chemical substances and materials.
Lingwei ZENG +7 more
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Gaoya dianqi, 2016 文中对SF6/N2混合气体在不均匀场下的击穿特性展开研究,通过测量棒—板电极在不同电极间距、混合比、压强下的正、负极性击穿电压值,分析电场不均匀度及气体压强对SF6/N2混合气体极性效应的影响。研究结果表明:在0.1 MPa时,击穿电压随着电极间距的增大而增大,N2负极性的击穿电压高于正极性的击穿电压,在电极间距为12 mm时,负极性击穿电压是正极性击穿电压的1.71倍,而SF6气体与N2极性效应相反,表现为正极性的击穿电压略高于负极性的击穿电压;电极间距为4 mm时,随气体压强的升高负极性击穿电压增大,
陈会利 +4 more
doaj
Study of ICP-induced In doping and the properties of GaN-based LED wafers and devices [PDF]
, 2015 GaN材料属于第三代半导体材料，具有宽的直接带隙以及优异的物理和化学性质，是制作发光器件和光伏器件的理想材料。在信息显示领域，GaN基高亮度蓝、绿发光二极管可以用于户外大屏幕全色显示以及交通信号灯等方面；在照明领域，GaN基白光LED可以用于背光源、路灯和景观照明以及通用照明等。GaN基器件的研究已经取得巨大进展，但是在器件的制备过程中仍存在一些问题，如GaN材料的p型欧姆接触问题则是限制GaN器件发展的主要因素之一。有两方面的原因阻碍低阻p-GaN欧姆接触的实现：一方面是难以生长高空穴浓度的p ...
曾勇平
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Gaoya dianqi, 2017 穿柜套管绝缘击穿引发变压器出口短路案例屡见不鲜,文中将套管绝缘击穿分为空气绝缘击穿与环氧绝缘击穿两类。为明确两种击穿的诱因,结合某省第3季度穿柜套管绝缘击穿案例,针对屏蔽体悬浮及内含气隙的穿柜套管展开电场仿真研究。仿真结果表明空气绝缘击穿多由内等电位屏蔽悬浮造成,环氧绝缘击穿多由缺陷气隙放电或击穿引起的绝缘劣化变性造成,该结果与案例分析一致。为研究屏蔽改进在防止气隙放电方面的作用,借鉴800 kV气体绝缘组合电器中屏蔽裙边处理改善边缘效应的措施,对屏蔽改进后含气隙的穿柜套管展开电场仿真研究 ...
杨定乾 +4 more
doaj
Gaoya dianqi, 2021 针对GIS耐压试验击穿故障精确定位比较困难的问题;文中在分析GIS耐压击穿时特征信号特性的基础上,结合信号采集、无线传输、智能分析技术,设计一套GIS耐压击穿故障无线定位系统。该系统通过无线自组网的形式,将击穿时刻的特征信号以无线的方式上传至系统数据服务器进行数据分析,并计算击穿故障点精确的位置;同时系统具有较强的抗干扰性、稳定的无线通信等优点。经现场应用,能够准确定位出GIS耐压击穿的故障点。
贺振华 +5 more
doaj
Modification of the Optical Polarization in High Al-Content AlGaN [PDF]
, 2016 相比于传统紫外光源（如汞灯和氙灯），AlGaN半导体紫外光电子器件具有无汞污染、波长可调、体积小、集成性好、耐高温、抗辐射以及能耗低、寿命长等优点，在工业、农业、国防和医疗卫生等领域都有着广阔的应用前景和巨大的市场需求。然而，由于高Al组分AlGaN材料中存在诸多问题，例如外延生长困难、p型掺杂率低、发光偏振特性独特等等，导致深紫外波段器件的发光效率普遍较低，制约了深紫外发光器件的发展与应用。本论文采用第一性原理的计算模拟方法，围绕AlGaN材料中的光学偏振特性及其调控开展了系统的研究工作 ...
季桂林
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Gaoya dianqi, 2006 通过对几种典型固体颗粒的气固两相体放电实验研究,发现其击穿电压具有极性效应,负极性条件下体积比对雷电冲击U50影响显著,使雷电冲击U50降幅达到30%左右,并且小颗粒的击穿电压比大颗粒的击穿电压低;正极性条件下击穿电压随体积比变化呈小波动变化特性,体积比及颗粒大小对击穿电压影响不显著。另外,与空气放电一致的是,相同体积比下正极性雷电冲击击穿电压低于负极性。
许怀丽 +4 more
doaj
Growth of HfO2 thin film by Remote Plasma Atomic Layer Deposition and the properties of HfO2/Ge interface [PDF]
, 2016 随着器件等比例缩小难度和成本的不断增加，以Si作为沟道材料SiO2作为栅介质的传统CMOS发展接近物理极限，高K介质HfO2栅高迁移率Ge沟道MOSFET成为未来CMOS集成电路技术发展的潜在选择之一。然而metal/HfO2/Ge结构MOS器件存在界面态密度高、栅极漏电流大等问题，因此研究高质量HfO2薄膜生长技术和减少HfO2/Ge界面态是提高metal/HfO2/GeMOS器件性能的有效途径之一。 本文采用远程等离子体辅助原子层沉积法(RP-ALD)生长HfO2薄膜，优化了HfO2薄膜的生长（温度）
池晓伟
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Dianci bileiqi, 2013 为研究雷电流流过接地极的冲击接地特性,用圆筒中的泥沙代替土壤,研究不同泥沙中垂直电极的冲击特性,得到不同介质的火花放电规律。泥沙击穿电压随泥沙中水含量的增加而降低,盐沙由于导电性增加就不易产生火花放电效应;干沙击穿过程以空气间隙击穿为主,而湿沙击穿以热击穿为主。
杨琳 +5 more
doaj
The Led Ceiling Light Of IR Control Dimming CCT And Lighting [PDF]
, 2015 随着科技水平的提高和能源问题的不断加剧，节能环保成为了新时代各国发展的一个主题。LED作为一种新型节能高效的环保光源，在越来越多的领域展现了其优异的应用特性，受到了各国政府的重视，特别是LED用来做照明灯具,其投入的力度越来越大，LED的发光效率的飞速提高昭示着第四代照明光源正在不断发展。 本文创新点是基于传统的红外控制信号通过软件算法进行调光调色，主要特点：第一在调光时保持色温不变，在调色时保持亮度恒定，而且在调节时不管是色温还是亮度会渐变到当前档，不会出现突变，给人眼一个适应的过程 ...
曾梅真
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