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Gaoya dianqi, 1996 以存在于电极表面的击穿弱点为基础,在考虑了击穿弱点在电极表面的分布后,分别对均匀场和不均匀场两种情况下,真空灭弧室绝缘击穿的统计特性进行了分析,定量地给出了电极面积的变化对击穿概率的影响、即所谓的面积效应,导出了击穿累积概率随电极面积而变化的关系。
何俊佳, 邹积岩, 程礼椿
doaj
Preparation and Properties of CaCu3Ti4O12 Ceramics with Giant Dielectric Constant [PDF]
, 2008 本论文采用传统的固相法制备CaCu3Ti4OI2（CCTO）陶瓷，研究不同热处理工艺、不同成型工艺、不同氧化物含量和氧化物掺杂对陶瓷结构与性能的影响，对陶瓷的介电机理、压敏机理和陶瓷的晶界效应进行初步的探讨。 本文对CCTO陶瓷的合成粉料分别在850℃，900℃，950℃和1000℃的温度下预烧2h，然后在1100℃左右烧结3h成瓷。结果表明，950℃预烧2h的粉体具有最佳的烧结性能。对坯体分别在1060℃、1080℃、1100℃和1120℃下烧结2h，结果表明1100℃烧结2h的样品具有最好的介电性能。
李洁
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Dianci bileiqi, 2003 研究了BaTiO3基多层陶瓷电容器（MLCs）直流击穿与温度的关系。测量了从室温到250℃范围内BaTiO3基多层陶瓷电容器的直流击穿场强（BDFs）,通过分析直流预压对BDFs的影响,发现空间电荷的同性效应对MLCs的室温和居里温度区的直流击穿有很大的影响;而在高温区,MLCs的直流击穿主要是热击穿。最后根据结构控制Schottky电导理论,联系热离子反射过程和势垒高度对空间电荷积累的影响,从而得出居里温度区具有极小击穿场强的直流击穿特性与BaTiO3基陶瓷绝缘体相转变导致的势垒高度的增加相一致的结论。
周远翔 +4 more
doaj
Optimal Simulation of Separate Absorption and Multiplication 4H-SiC Avalanche Photodiode [PDF]
, 2011 SiC材料由于具有禁带宽度大、击穿电场强度高、饱和电子漂移速度大及热导率高等优点，在高温、高频、大功率及抗辐射器件等领域都有着广泛的应用潜力与良好的市场前景。 目前，采用4H-SiC已成功制备了不同结构的雪崩光电探测器（APD），与传统的PN结型或PIN型的APD相比，吸收层与倍增层分离（SAM）结构的APD具有高光谱响应度和低击穿电压等优点。对于APD，击穿电压、倍增因子和光谱响应度是其非常重要的性能参数。近年来，国内外有多个研究小组开展了SAM4H-SiCAPD理论和实验方面的研究 ...
钟林瑛
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Progress in Laser Ignition Based on Passively Q-Switched Solid-State Lasers [PDF]
, 2015 稀薄燃烧是一种先进的燃烧方法,采用稀薄燃烧技术可以使发动机在减少废气排放的同时提高热效率。稀薄燃烧催发了激光点火技术的应用。最近几十年,脉冲宽度短、峰值功率高的被动调Q固体激光器得到了飞速的发展,特别是采用掺钕离子(nd3+)和镱离子(yb3+)的激光材料作为激光增益介质,用Cr4+∶yAg作为被动调Q开关的微片固体激光器在激光点火研究方面取得了长足的进展。系统地介绍了激光点火的机理和应用于激光点火的基于nd∶yAg/Cr4+∶yAg与yb∶yAg/Cr4+∶yAg的被动调Q固体激光器的最新研究进展 ...
杨林, 董俊
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, 2006 利用RESURF与场板结构结合的技术,设计了一种可以兼容低压BiCMOS工艺的LD-MOS器件。该器件的漂移区长度l≤60μm,就可实现600 V以上的耐压,适用于高低压单片集成电路芯片开发。基于一款荧光灯交流电子镇流器驱动芯片的高低压集成电路功能及其器件耐压要求,介绍了该LDMOS器件的结构和设计方法。采用ATHENA(工艺模拟)和ATLAS(器件模拟)工具,分析优化影响LDMOS器件耐压的关键参数;最后 ...
李开航, 郭东辉, 陈利
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Dianci bileiqi, 2013 ZnO压敏陶瓷击穿场强E1mA由晶粒尺寸和单个晶界击穿电压两个因素共同决定,沿用之前提出的微观结构模型,在晶粒尺寸一定,晶界电压服从正态分布;晶界电压一定,晶粒尺寸服从正态分布;和晶粒尺寸、晶界电压都服从正态分布三种条件下,用Matlab分别模拟击穿场强随厚度的变化关系,结果表明ZnO压敏陶瓷击穿场强的几何效应主要来自晶粒尺寸和分布的影响。在此基础上,对初始厚度不同的试样进行击穿场强与厚度的关系模拟,从结果可以看到,无论是高击穿场强还是低击穿场强的试样,都存在几何效应。
鲍婕, 王政留, 李盛涛
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Ignition mechanism of methane by 5G electromagnetic waves and power safety thresholds in underground coal mines [PDF]
5G technology, with its advantages of high bandwidth, low latency, and extensive connectivity, has shown great potential in driving the intelligent transformation of the coal mining industry.
Haijian CHEN +6 more
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Gaoya dianqi, 2017 为获取含悬浮导体的组合空气间隙击穿特性,建立了基于支持向量机和电场特征量的组合空气间隙击穿电压预测模型,通过电场特征量表征间隙结构,采用支持向量机建立电场特征量与击穿电压的关联性,以少量典型间隙试验数据作为训练样本,对棒—板—球、棒—板—棒以及球—板—球组合间隙的工频击穿电压进行了预测,通过对比击穿电压试验数据,3种间隙的击穿电压预测结果平均绝对百分比误差分别为4.5%、3.1%和2.8%,最大相对误差均在9%以内,表明所提方法具有较高精度,为组合间隙击穿电压的预测提供了新途径。
唐烈峥 +5 more
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Design and optimization of AlGaN tunneling junction [PDF]
, 2017 摘要 AlGaN半导体材料作为第三代宽禁带半导体的代表，具有直接带隙宽、原子键强、热导率高、化学稳定性好（几乎不被任何酸腐蚀）以及抗辐照能力强等物理性质，在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。仰赖于直接带隙宽，通过调节合金组分，带隙可在3.4至6.2eV的光谱响应范围内调节，有利于能带剪裁，成为工作在紫外到深紫外范围的发光二极管、激光二极管以及探测器等器件的理想材料，受到业界的广泛关注。特别是作为紫外固态光源，相比于同样工作于紫外波段的传统汞灯，AlGaN基紫外光源除了重量轻 ...
李德鹏
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