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Gaoya dianqi, 2009 并联电容器组是交流电力系统输配电环节的主要无功补偿装置,在变电站中普遍采用10 kV框架式高压并联电力电容器组。实际运行中,电容器内部元件击穿的故障是电容器组故障比例最高的。以常用的10 kV并联电容器为研究对象,分析了电容器组在运行过程中内部元件击穿一串、二串情况的击穿放电量,故障相电容器的电压暂态变化量,并估计了放电电流的峰值。在EMTP仿真软件中建立了电容器的击穿模型,计算并分析了击穿元件的等效电路参数对放电电流峰值的影响:电阻值越大,则击穿峰值电流越小,随着电阻值的增加,击穿电流峰值下降减缓 ...
刘文泽, 蔡泽祥, 冯顺萍
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Growth and Characterization of β-Ga2O3 Nanomaterials [PDF]
, 2017 β-Ga2O3是一种超宽禁带半导体材料（禁带宽度为4.9eV），具有很好的电学性质和光学性质，其击穿电场强度和巴利加优值比GaN和SiC更大，对可见光高度透明，在场效应晶体管、紫外透明电极、高温气体传感器和日盲光电探测器等方面应用广泛。 本文采用气-液-固（VLS）机制和气-固（VS）机制，通过热退火镀有金催化剂的GaN衬底制备出不同结构的β-Ga2O3纳米材料，并用扫描电子显微镜（SEM）、X射线能量色散谱（EDS）、X射线光电子能谱（XPS）、透射电子显微镜（TEM）、X射线衍射（XRD）、拉曼光谱（
宋鹏宇
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Study on Single-event Gate Rupture Mechanism of Asymmetric-trench SiC MOSFET [PDF]
The demand for kilovolt-level radiation-hardened SiC devices in modern spacecraft is urgent. To provide a theoretical basis for the hardening design of SiC MOSFETs against single-event gate rupture (SEGR), a study on the single-event effects of 1 200 V ...
WANG Lihao1, 2, DONG Tao2, FANG Xingyu2, QI Xiaowei2, WANG Liang2, CHEN Miao2, ZHANG Xing1, ZHAO Yuanfu2
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, 2010 在LDMOS功率器件设计中可以引入STI工艺替代LOCOS工艺来进一步抑制表面电荷效应,以提高LDOMS功率器件的耐压强度及降低比导通电阻。本文将介绍STI工艺的优势和LDMOS器件设计原理,并在TSMC 0.6μm BCD工艺为基础上增加STI工艺流程来设计一款适用于汽车电子应用的40V LDMOS器件。通过ATHENA(工艺模拟)和ATLAS(器件仿真)仿真实验与器件参数提取,表明采用STI工艺的LDMOS器件比采用LOCOS工艺的LDMOS器件在耐压漂移区长度比方面提高了23.40 ...
周杰, 郭东辉, 陈利
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Gaoya dianqi, 1986 本文对1969年至1985年初在冲击发电机上进行的10kV真空断路器断流容量试验中的弧后击穿现象进行了统计计算。计算结果证明,我国10kV真空断路击穿几率的大小与开断电流的相对大小有关。当开断电流小于极限开断电流的60％时,击穿几率接近于零;当开断电流接近开断稳定区的上限时,有1％左右的弧后重击穿几率和0.4％左右的延滞击穿几率,击穿时间服从威布尔分布。
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基于拓展Volume-Time理论的串联空气间隙非同期击穿过程分析
Gaoya dianqi为了认识串联空气间隙的击穿过程，以球—球间隙为研究对象，设计了“非对称组合间隙”，即总间隙距离不变的条件下分别单独调整两个间隙的距离使上下间隙距离不一致。采用拓展Volume-Time理论计算了串联双间隙的U50%，并解释了雷电冲击电压下非对称组合空气间隙的非同期击穿物理过程。实验结果表明，上下间隙距离分布不均匀程度对串联空气间隙击穿电压和击穿延时的影响；不均匀程度较大时，较低电压下存在单个间隙放电、总体不击穿的现象，较高电压下两间隙将出现非同期击穿；不均匀程度较小时，两间隙同期击穿。为了解释这种现象 ...
姚晓飞 +7 more
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Quantitative detection of alkali metal Na based on laser-induced breakdown spectroscopy technology [PDF]
The alkali metal compounds released from high alkali fuels such as low-quality coal during thermal utilization can affect the normal operation of thermal equipment. Therefore, rapid online detection of alkali metal content in low-quality coal is of great
Chi LI +7 more
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Dianci bileiqi柔性低频输电技术在中远距离海上风电汇集送出等场景中独具优势，频率改变会造成电力设备绝缘特性发生改变，然而低频海上用电力设备外绝缘表界面击穿的试验研究和理论分析尚未见报道。本文通过采用改变盐雾试验时间控制硅橡胶表面盐雾沉降，研究不同盐雾条件下硅橡胶低频表面击穿特性。研究结果表面纯净硅橡胶表面击穿场强随频率增大而减小，且远大于盐雾处理的表面击穿场强；随着盐雾浓度增加，击穿场强对应的“频率拐点”越低，说明表面击穿场强在低频条件下具有更高的盐雾敏感性。研究分析认为盐雾和低频的电导特性是引起表面击穿的关键因素 ...
陈俊林 +6 more
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Gaoya dianqi, 2018 目前国内雾霾天气对输电线路外绝缘的影响不容忽视,因此通过盐雾模拟雾霾天气,研究盐雾对短空气间隙雷电冲击击穿电压的影响具有重要实际意义。文中选择击穿电压最低的棒—板空气间隙为模型,分别对5、10、15 cm空气间隙,不同雾水电导率下进行雷电冲击电压击穿试验。结果表明,短空气间隙雷电冲击击穿电压受雾水电导率和空气间隙距离的共同影响,棒—板短空气间隙雷电冲击击穿电压随雾水电导率增大而减小,并且雾水电导率对击穿电压的影响程度随间隙距离增大而减小。通过粒子群算法（particleswarm ...
刘云鹏 +4 more
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The improvement and investigation of efficiency droop effect in GaN based lighting-emitting diodes [PDF]
, 2016 氮化镓(GalliumNitride，GaN)基III-V族材料禁带宽度(0.7eV-6.2eV)可以覆盖紫外、可见、红外光波段，而且具有很高的光电、电光转换效率，使得其在发光二极管(LightEmittingDiode，LED)、激光器(LaserDiode，LD)、探测器(Photodetector，PD)以及太阳能电池(SolarCell)等光电器件领域有广泛的应用。本文以GaN基LED的需求为出发点，利用金属氧化物化学气相沉积（MOCVD）系统，制备了具有不同外延结构的InGaN/GaN多量子阱（
叶大千
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