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Optimal Simulation of Separate Absorption and Multiplication 4H-SiC Avalanche Photodiode [PDF]
, 2011 SiC材料由于具有禁带宽度大、击穿电场强度高、饱和电子漂移速度大及热导率高等优点，在高温、高频、大功率及抗辐射器件等领域都有着广泛的应用潜力与良好的市场前景。 目前，采用4H-SiC已成功制备了不同结构的雪崩光电探测器（APD），与传统的PN结型或PIN型的APD相比，吸收层与倍增层分离（SAM）结构的APD具有高光谱响应度和低击穿电压等优点。对于APD，击穿电压、倍增因子和光谱响应度是其非常重要的性能参数。近年来，国内外有多个研究小组开展了SAM4H-SiCAPD理论和实验方面的研究 ...
钟林瑛
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Gaoya dianqi, 1985 通过实测发现:在大气压时,压缩空气火花隙开关在亚微秒脉冲作用下的击穿电压,远大于均匀电场下的直流击穿电压,也大于放电球隙亚微秒脉冲作用下的击穿电压,且Vb和td相关;气压增加时开关在亚微秒脉冲作用下的击穿电压量渐趋于相应的直流击穿电压,Vb～td的相关性也逐渐减弱,到7bar以上时Vb～td间无明显相关性 ...
曾大雄
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电致发光成像技术在硅太阳能电池隐性缺陷检测中的应用 [PDF]
, 2011 论述了一种利用硅太阳能电池在一定偏压下的电致发光(Electrolum inescence,EL)成像来检测硅太阳能电池隐性缺陷的方法。硅太阳能电池的EL波长范围为850~1200 nm。正向偏压下的EL光强反映了少数载流子的浓度及其扩散长度,而反向偏压下的EL区和发光强度对应于电池的缺陷区域和缺陷密度。用硅CCD相机对硅太阳能电池的EL快速成像,然后根据EL成像的明暗强度可检测出电池的隐性缺陷。由于内在缺陷处EL强度比外在缺陷处受温度的影响更敏感 ...
庞爱锁 +5 more
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Dianci bileiqi, 2020 针对西北地区输电线路和埋地油气管道相邻交叉,输电杆塔接地体可能在雷电冲击下对油气管道放电的情况,通过试验的方法确定了针电极对油气管道间砂质土壤的平均击穿场强,分析了临界击穿场强的影响因素,并对土壤的击穿机理进行了讨论。试验结果表明沙质土壤中针电极对管道的临界击穿场强为200～300 kV/m,土壤电阻率对土壤的临界击穿场强影响不大,为确定西北砂质土壤地区输电线路和埋地油气管道的安全距离提供了参考数据。
郑智慧 +5 more
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Quantitative detection of alkali metal Na based on laser-induced breakdown spectroscopy technology [PDF]
The alkali metal compounds released from high alkali fuels such as low-quality coal during thermal utilization can affect the normal operation of thermal equipment. Therefore, rapid online detection of alkali metal content in low-quality coal is of great
Chi LI +7 more
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Gaoya dianqi, 1996 在充SF6或N2的尖—板间隙中注入适量正空间电荷能使正极性冲击击穿电压提高,而注入负空间电荷则使正冲击击穿电压降低。用这一实验结果可以解释以前发现的含氯添加气体使尖—板间隙中SF6的正冲击击穿电压提高的实验现象。
邱毓昌
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Growth and Characterization of β-Ga2O3 Nanomaterials [PDF]
, 2017 β-Ga2O3是一种超宽禁带半导体材料（禁带宽度为4.9eV），具有很好的电学性质和光学性质，其击穿电场强度和巴利加优值比GaN和SiC更大，对可见光高度透明，在场效应晶体管、紫外透明电极、高温气体传感器和日盲光电探测器等方面应用广泛。 本文采用气-液-固（VLS）机制和气-固（VS）机制，通过热退火镀有金催化剂的GaN衬底制备出不同结构的β-Ga2O3纳米材料，并用扫描电子显微镜（SEM）、X射线能量色散谱（EDS）、X射线光电子能谱（XPS）、透射电子显微镜（TEM）、X射线衍射（XRD）、拉曼光谱（
宋鹏宇
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Gaoya dianqi, 2019 绝缘管型母线是一种新型的母线产品,有着优异的性能。但应用时间较短,研究不够深入,致使故障频发。文中设计与制备了含气泡缺陷环氧浇注绝缘管型母线真型样品,通过加压电破坏试验,研究其电击穿机理。在试验中首次发现了气体膨胀鼓包导致最终击穿的破坏方式。研究结果表明,电—机械击穿应为其击穿模式,其击穿过程可分为气体增强阶段和击穿临界阶段两个阶段,并得到了阶段特征与阶段变化判据。气隙内由局部放电导致环氧树脂分解所产生的气体气压超过气隙壁断裂韧性临界值,造成裂纹失稳扩展是击穿的主要原因 ...
任想 +6 more
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Weibull分布在真空断路器容性关合预击穿特性研究中的应用
Gaoya dianqi, 2020 当前选相合闸技术在断路器的容性开合工况中应用越来越广泛,而预击穿开距的分散性严重制约着选相关合策略。文中的研究目标是采用熔铸法制备灭弧室触头的40.5 kV真空断路器在容性开合运行工况下的预击穿开距分布情况。试验中采用熔铸法制备的直径为50 mm的CuCr40触头作为试品,通过L-C振荡回路产生了幅值6.48 kA、频率207 Hz的关合涌流,考虑35 kV三相不接地系统中容性系数为1.4的情况,关合过程中的外施电压设为46.3 kV。试验结果表明 ...
王昊晴 +6 more
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Dianci bileiqi, 1976 第三部分高压瓷绝缘子工频击穿电压回归方程对于B型绝缘子,工频击穿电压是一项重要的要求,过去是凭经验估计进行设计,但苏联介绍的击穿电压值偏低,而西德的公式适用范围又比较窄,且击穿电压的数值与瓷质水平密切相关,遵照毛主席关于“要认真总结经验”的教导,总结出我国自己的工频击穿电压计算公式。 3-1 ...
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