Results 61 to 70 of about 4,552 (130)
本文以420kV氧化锌避雷器为例,介绍了测定阀片柱容性电流的方法和据其确定避雷器电位分布的方法;并介绍了改善均压效果的一些措施;同时还介绍了几种数据的处理方法,以及根据阀片的电容值和一毫安残压值进一步改善电位分布的方法。
毛慧明
doaj
随着电压等级的不断提高,高压断路器串联的断口数相应增多,各断口的电压不均匀程度增大。为均匀各断口间的电压分布,通常在断口间并联均压电容器。油纸电容器以其重量轻,可靠性高等优点越来越多地应用到高压断路器中。文中采用有限元分析方法,分析了影响均压电容器表面电场强度分布的几个因素,包括均压电容器与屏蔽罩间的距离、屏蔽均压电容器端部的两屏蔽罩间距离及均压电容器两侧深入屏蔽罩的均匀度。并得出如下结论:在满足屏蔽罩对地绝缘的条件下,均压电容器与屏蔽罩间的距离越大越好 ...
王娜, 张浩, 戴通令, 吴文海
doaj
特高压换流变压器阀侧套管缩比模型典型缺陷下电场分布特性仿真研究
换流变压器阀侧套管内部混入金属颗粒、电容芯体产生裂纹是目前常见的故障,研究套管在不同电压下的电场分布规律以及缺陷对电场分布的影响对于套管的优化设计及故障分析具有重要意义。文中以±800 kV特高压换流变压器套管为原型,建立了±72.5 kV环氧浸纸电容式套管仿真模型,计算套管在交直流电压下的电位分布和电场分布,并研究了两种缺陷对于套管电场的影响。结果表明套管含金属颗粒或裂纹缺陷时,对于电场的畸变影响较大。研究结果为后续缩比套管模型不同缺陷局部放电试验的分析提供了基础 ...
司文荣 +7 more
doaj
将区域分解技术与有限元数值求解方法相结合,对于含有多重介质、薄均压屏蔽结构、非对称并联电容器组的252 kV SF6断路器灭弧室内部全场域进行三维电场数值计算。对比分析了区域分解技术对场域数值求解的影响,解决了大场域电场求解精度与求解效率的矛盾。给出了3种不同并联电容器组灭弧室绝缘配置方案,并对有无并联电容器组作用下的灭弧室内部电场进行对比分析,得到了灭弧室内部电场分布、触头沿面电场分布以及场均匀度的定量描述,找到了全场域绝缘薄弱点。
刘晓明 +3 more
doaj
谐振接地方式符合配电网运行对安全性及可靠性的要求,因而发展前景广阔。电容电流和接地残流不断增大的问题可以通过加设小容量传统消弧线圈及全电流补偿消弧线圈的从消弧线圈装置解决。基于全电流补偿消弧线圈的基本工作原理,从主从式的角度给出了适合于分布式安装的全电流补偿消弧线圈的结构及其特性与谐波分析,并对不同安装方式下的装置进行增容改造方案设计并进行仿真分析,仿真结果表明装置采用分布安装能更加有效地降低电容电流和接地残流幅值。
贾晨曦, 王崇林, 杨龙月
doaj
提出在110 kV线路杆塔横担与避雷线之间加装限流线圈,以提升线路耐雷水平的防雷方法。为验证其防雷效果,建立了限流线圈有限元模型,精确计算了线圈的分布参数,搭建了考虑线圈分布参数模型的110 kV线路落雷模型,研究了线圈电感、对地电容及匝间电容对计算结果的影响,结果表明:合适的限流线圈电感为0. 1 m H,无需人为补偿对地电容及匝间电容,加装电感为L0的限流线圈后,入地雷电流陡度下降了28. 8%,线路耐雷水平提升了12.
李志忠 +6 more
doaj
基于后退欧拉法和变分原理推导了非线性的时域有限元电场计算方程。利用时域有限元方法分析了含不同应力控制管时的电缆终端电场分布。分析结果表明,采用由电容性和非线性电阻性材料复合绝缘结构的应力控制管时,电缆终端的电场分布最为均匀。
宫瑞磊 +4 more
doaj
污秽潮湿条件下ACF瓷柱式断路器直流泄漏电流和直流电压分布规律研究
为了模拟交流滤波器瓷柱式断路器开断容性负载后直流电压分布,在人工气候室开展污秽潮湿环境下断路器双断口直流电压分布规律及电压—电流特性研究,在不同断口污秽比值与环境湿度条件下,通过直流高压发生器使断路器双断口同时承受直流高压,测量断口泄漏电流及断口间直流电压。试验结果表明:环境相对湿度达到90%及以上时,断路器2个断口由于污秽分布不均引起瓷套表面电导率不一致,导致开断容性负载后负载侧的直流电压大部分集中在同一个断口上,且随着相对湿度提高,断口泄漏电流会出现急剧增加的拐点。此外 ...
张长虹 +5 more
doaj
信号电涌保护器(surge protective device,SPD)对信号传输的影响,主要表现在暂态抑制二极管(transient voltage suppressor,TVS)的分布电容上,通过对平衡信号SPD和非平衡信号SPD电路的原理分析,将信号SPD等效为两端口网络,利用两端口网络的T参数模型,采用理论与试验相结合的方法,试验结果得出:当TVS的分布电容值一定时,退耦电阻的阻值对幅频特性曲线-3 d B和-6 d B处的频率影响较小;退耦电阻的阻值一定时,随TVS分布电容值的增加,-3 d ...
李祥超, 陈良英, 张静, 薛奇
doaj

