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Capacitive loading shrinks mobile PIFAs, Part 2:采用容性负载以减小手机的PIFA(二) [PDF]
Jakobsen, Kaj Bjarne, Thaysen, Jesper
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多种阀式避雷器在雷电波陡度范围内都存在伏秒特性下降的问题。这个问题用阀式避雷器等值回路的特性来解释(存在均匀分布的并联于火花间隙组的有效电阻及纵向与横向电容所致)。在估计伏秒特性下降的最大深度与容性电压分布不均匀系数关系时 ...
弓匀
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220 kV交流无间隙金属氧化物避雷器电位分布及改善措施研究
杂散电容会使交流无间隙金属氧化物避雷器(metal oxide arresters without gaps,简称MOA)在持续运行时电位分布畸变而不均匀,严重时会导致局部电阻片承受过高的电压负荷,泄漏电流增大而加速老化,进而导致整只避雷器的损坏。因此本文对高压MOA的电位分布和均压措施进行了分类研究。采用ANSYS有限元仿真计算软件,分析了均压环罩入深度、电阻片间金属垫片排布方式和电阻片相对介电常数差异化分布对电位分布的影响。基于电位分布对220 kV MOA的设计结构进行了优化。通过研究 ...
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doaj
本发明涉及一种谐振线圈的制造工艺,包括下述工艺步骤:(1)选用0.35-1mm的漆包线绕制线圈,在线圈绕制时,线圈匝间绝缘除常规漆包外还添加匝间环氧树脂:同时在线圈层间绝缘采用青稞纸,并刷层间环氧树脂;然后在绕制的线圈外包扎绝缘材料并再刷环氧树脂;(2)将包扎后的线圈与绕制模具一起置于真空浇铸模具中,然后按常规线圈真空浇铸工艺用环氧树脂浇铸线圈即可完成;本发明制造的谐振线圈的绝缘性能好,线圈的分布电容和线圈电感都能较好地满足谐振变压器型直流高压加速器的要求,且其制造工艺简单,可降低制造和运行成本。
袁平、张小奇、徐大宇、谢春安、孙国平、王丰、王文进、卢龙、李安平、李小强、雷海亮
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车顶绝缘子作为高速列车车顶的高压绝缘器件,不仅承受正常工况下牵引变电所输出的27.5 k V的单相工频交流电压,还会频繁的遭受过电压的冲击。过电压会影响车顶绝缘子表面的电场分布,当绝缘子受污或是表面产生干燥带时这种影响更加明显,这将对系统的安全运行产生严重的威胁。文中分析了分相过电压和雷电过电压对不同受污程度绝缘子的电位和电场分布的影响,得到:绝缘子沿面单点电场大小与过电压幅值成正比。清洁绝缘子沿面电场与过电压频率无关,对染污绝缘子无论其表面是否出现干燥带,谐波频率增大时电场分布的容性特征更明显 ...
邵梦春, 杨坤松, 吴广宁
doaj
本实用新型主要涉及大电流电阻箱,尤其涉及高压大电流电阻箱的结构。一种高压大电流同轴无电感电阻箱,包括有电阻组(15),外导电连接,内导电连接,外导电连接与内导电连接之间的绝缘体,油箱(18),其主要特点是所述的电阻组(15),外导电连接,内导电连接,外导电连接与内导电连接之间的绝缘体,油箱(18)同轴线。本实用新型的优点是,结构合理,工艺简单,方便拆装。电阻箱整体根据电阻的外型结构和连接方式,设计了外导体,内导体及安装附件,与片式无感电阻构成一个同轴体。新颖的同轴结构,可以保障整体电路的同轴性 ...
高大庆、杨雅清、上官靖斌、辛俊业、黄志海、夏佳文
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[Study on the electric field transmission characteristics of conducted-electrode tumor treating fields]. [PDF]
Liu K, Zhang J, Shi J, Fang H, Li X.
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电子束辐照烟道气脱除502和NOx技术是一项将辐射物理和辐射化学紧密结合的高新技术。该项技术自1970年被提出后,经历了20多年的逐步发展,已进入了工业装置阶段。目前,在美国、德国、日本、波兰和我国的成都热电厂等处建立了中试厂和工业示范厂。当前在国际上,对一该项目的关键部件电子加速器有两种方案:即日新公司的高压变压器方案和以俄罗斯新西伯利亚核物理研究所的ElV型加速器为代表的谐振变压器型。根据目前国内的实际状况和满足我所及在兰州各研究所的物理实验的需要,中利4院近代物理所在已有技术力量的基础上 ...
殷学军
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[Efficient separation of gossypol from cotton kernels with copper mediated magnetic molecularly imprinted polymer]. [PDF]
Yang SL +5 more
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[Localizing target for transcranial electrical stimulation in epilepsy patients combining scalp electroencephalogram and neural computational model]. [PDF]
Liu Y, Li C, Han Y.
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