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He jishu传统半导体探测器无法长期工作在高剂量率辐射环境下，金刚石探测器具有禁带宽度大、载流子迁移率高、耐辐照能力强、时间响应快等优点，适用于极端环境下辐射探测。本文制备了高性能氧终端单晶金刚石（Single Crystal Diamond，SCD）探测器（4.5 mm×4.5 mm×0.3 mm），并对其电学特性、能量分辨率、电荷收集效率及 60Co γ辐射响应特性进行了研究；并利用 238Pu α源辐照测试了其电荷收集谱。结果表明，制备的单晶金刚石探测器在150 V偏压下暗电流低至0.26 pA‧mm -2 ...
王 利斌 +10 more
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本发明公开了一种制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法，该方法采用金属有机化合物气相外延工艺，具体步骤如下：选择一衬底；在该衬底上生长一层非极性GaN薄膜；以及在该非极性GaN薄膜上生长非极性GaN基稀磁半导体材料。利用本发明，能够获得具有高居里温度(Tc)的高质量单晶相非极性GaN基稀磁半导体薄膜材料。此外，非极性GaN基稀磁半导体薄膜材料具有独特的面内各向异性分布特性(结构、光学、电学和磁学性质)，这些性质无论对基础研究还是应用研究都具有重大意义 ...
李晋闽 +6 more
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, 1993 在应变具有可加性条件下,本文分析表明Eshelby线性微力学理论,包括其等效包含体方法和相应的平均化方法可推广应用于研究高刚度微粒填充高聚物的非线性粘弹性本构关系。中文核心期刊要目总览(PKU)中国科学引文数据库(CSCD)005606 ...
王礼立, 朱兆祥, 杨黎明
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, 2000 基于随机分布短纤维与基体损伤的物理机制与统计描述，针对长径比、刚度模量与强度都比较大的脆性短纤维增强复合材料，提出了一种亚宏观材料模型；考虑了纤维与基体的损伤统计规律、损伤诱发的各向异性与损伤等因素对材料宏观力学行为的影响，导出了亚宏观损伤本构方程。还以短玻璃纤维增强聚丙烯复合材料为例，对损伤诱致各向异性与损伤率效应及初始取向分布对材料宏观力学性能的影响进行了定量分析 ...
刘洪秋, 梁乃刚, 夏蒙棼
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Zhongguo shiyan zhenduanxue, 2011 目的比较4种方法检测表皮葡萄球菌体外生物膜形成能力的应用价值,帮助临床选择检测生物膜形成能力的可靠方法。方法用刚果红实验、半定量粘附实验、扫描电镜实验、PCR扩增icaA分别检测临床分离的45株表皮葡萄球菌生物膜的形成能力,经行×列表χ2检验比较阳性检出率,并以扫描电镜检测法为"金标准"计算其他3种方法的灵敏度和特异性。结果 4种方法检出表皮葡萄球菌生物膜形成的阳性率分别为31.1%、40.0%、40.0%、28.9%,无统计学差异（χ2=1.80,P>0.05）。刚果红实验、半定量粘附实验 ...
李燕, 李冬冬, 宋瑱, 陶传敏
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, 2021 本发明涉及协作机器人领域，具体地说是一种协作机器人非线性刚度建模方法，包括：步骤一、机器人模块综合刚度建模，将机器人拆分成多个模块，获得各模块的结构刚度矩阵然后进行机器人传动系统非线性建模，获得机器人传动系统非线性刚度机器人整体综合刚度为各个模块综合刚度之和，其中连杆模块综合刚度矩阵为结构刚度矩阵关节模块刚度矩阵为结构刚度矩阵和机器人传动系统非线性刚度合成；步骤二、机器人静力平衡建模，通过添加虚拟关节表示各模块柔性变形，建立负载和自重条件下的机器人静力平衡模型；步骤三、机械人非线性刚度建模 ...
胡明伟 +3 more
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Effectiveness Validation of the Semi-physical Test Bench for the Sun Orientation
, 2017 提出了一种基于扭振系统的半物理试验系统加载有效性验证方案,对扭振系统进行了设计,建立了扭振系统的动力学模型,通过仿真分析验证了方案的合理性,并最终通过实物验证来对比动力学模型产生的加载力矩曲线与实物产生的力矩曲线的一致性,实现了对空间站对日定向半物理试验系统加载有效性的考核。实验结果表明,半物理试验系统具有较高的加载精度,满足测试要求。通过特性清晰已知等效模型的考核,对提高试验系统的直观性及可信度具有重要意义 ...
徐志刚, 刘明洋, 贺云, 尹猛
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Jianzhu Gangjiegou Jinzhan, 2004 本文介绍了近年来框架和冷弯型钢构件稳定承载力计算的新问题和新方法,包括框架先进分析法的实用化,当前广泛应用的计算长度法的改进,弱支撑框架和半刚性连接框架的稳定,大跨度框架无侧移失稳的可能性和计算方法,陡坡山形门式刚架的稳定,冷弯薄壁型钢板件局部相关屈曲,开口截面的畸变屈曲,以及局部和整体的相关屈曲。
陈绍蕃
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本发明公开了一种制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法，该方法采用离子注入及后退火工艺实现非极性GaN基稀磁半导体材料的制备，包括以下步骤：对GaN基底材料进行离子注入；以及对离子注入后的GaN基底材料进行快速退火处理。利用本发明可以获得居里温度(Tc)高于室温的非极性GaN基稀磁半导体材料。非极性GaN基稀磁半导体材料具有独特的面内结构、光学、电学和磁学性质的各向异性分布特性。非极性GaN基稀磁半导体材料的高居里温度性质和独特的面内各向异性分布规律，使其在磁光 ...
李晋闽 +6 more
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