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本发明公开了一种制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法，该方法采用离子注入及后退火工艺实现非极性GaN基稀磁半导体材料的制备，包括以下步骤：对GaN基底材料进行离子注入；以及对离子注入后的GaN基底材料进行快速退火处理。利用本发明可以获得居里温度(Tc)高于室温的非极性GaN基稀磁半导体材料。非极性GaN基稀磁半导体材料具有独特的面内结构、光学、电学和磁学性质的各向异性分布特性。非极性GaN基稀磁半导体材料的高居里温度性质和独特的面内各向异性分布规律，使其在磁光 ...
李晋闽 +6 more
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, 2004 制作了一种新型的半导体可饱和吸收镜:表面态型半导体可饱和吸收镜.用表面态型半导体可饱和吸收镜作为被动锁模吸收体,实现了半导体端面泵浦Yb:YAG激光器被动连续锁模.在泵浦功率为10W时,获得了连续锁模脉冲序列,重复频率200MHz,锁模脉冲平均输出功率为70mW.在未加任何色散补偿的情况下,脉冲宽度为4 ...
王勇刚 +3 more
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Jianzhu Gangjiegou Jinzhan, 2004 本文介绍了近年来框架和冷弯型钢构件稳定承载力计算的新问题和新方法,包括框架先进分析法的实用化,当前广泛应用的计算长度法的改进,弱支撑框架和半刚性连接框架的稳定,大跨度框架无侧移失稳的可能性和计算方法,陡坡山形门式刚架的稳定,冷弯薄壁型钢板件局部相关屈曲,开口截面的畸变屈曲,以及局部和整体的相关屈曲。
陈绍蕃
doaj
本发明公开了一种制备InAs室温铁磁性半导体材料的方法，包括以下步骤：利用化学清剂将InAs单晶片表面清洗干净，并利用酸刻蚀法去除表面氧化层和无机物；将处理干净的InAs单晶片放入沉积设备中，沉积一层金属扩散层；将沉积了金属扩散层的InAs单晶片放入石英管中，并抽真空后密封；将真空封闭的石英管放入加热设备中恒温加热，加速扩散过程；将加热过的石英管切割开后，取出InAs单晶片，并用酸性液体刻蚀掉多余金属。用化学洗剂将InAs单晶片清洗干净，完成制备。利用本发明 ...
朱峰, 李京波
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, 2002 以高体积份数、随机分布的复合材料刚度预测为目标，本文的工作要点如下：1．根据三维链网模型理论，完善三维链网模型数值模拟软件，成为模拟非均匀介质，特别是短纤维增强复合材料力学行为的有效工具。2．研究了短纤维增强复合材料应变分布的统计规律，检验了将增强纤维简化为一维构元的可行性。得到了短纤维应变平均值与纤维轴线所在方向宏观线应变的关系，导出刚度张量的显式表达式。3．研究了颗粒增强复合材料应变分布的统计规律，针对材料经历宏观纯体积变形和纯剪切变形两种典型变形方式，分别计算了颗粒与基体应变平均值 ...
王治国
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Jianzhu Gangjiegou Jinzhan为研究碗扣式钢管支撑架不同构造形式节点的转动刚度特性，提出测定支撑架体的角节点、边节点与中间节点转动刚度的试验方案，对应分别插入2根、3根和4根水平杆的节点转动刚度试验。在以相应扣件式节点试验验证方案合理性的基础上，对当地市场随机采购的碗扣式钢管的弹性模量进行测定。采用三折线模型对碗扣式节点的M-θ曲线进行拟合，分析了不同水平杆数目对其转动刚度的影响及其破坏特点。结果表明：（1） 碗扣式钢管支撑架角节点、边节点的转动刚度分别为中间节点的77.93%、92.14%，且均高于规范给出的建议值25 kN·m ...
张金轮, 张阿祥, 王家伟
doaj +2 more sources
, 2002 对高温退火非掺磷化铟（InP）制备的半绝缘晶片的电学性质和均匀性进行了研究，非掺低阻N型磷化铟晶片分别在纯磷气氛和磷化铁气氛下进行930 ℃、80h退火均可获得半绝缘材料。但在这两种条件下制备的两种50mm半绝缘晶片却呈现出不同的电学性质和均匀性。纯磷气氛下制备的磷化铟片的电阻率和迁移率分别达到10~6Ω·cm和1800cm~2/(V·s)；而在磷化铁气氛下退火获得的半绝缘片的电阻率和迁移率分别高达10~7Ω·cm和3000cm~2/(V·s)以上。对这两种半绝缘片和原生掺铁磷化铟半绝缘片的PL ...
焦景华 +4 more
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Jianzhu Gangjiegou Jinzhan为研究标准化Z字形钢结构梁柱连接节点的转动刚度，对翼缘焊接和搭接两种形式的Z字形钢结构梁柱连接节点进行了单调和往复循环加载试验及有限元分析。研究了不同连接节点设计强度对Z字形钢结构梁柱连接节点转动刚度和循环刚度退化等力学性能的影响。结果表明，翼缘焊接和搭接两种形式的Z字形钢结构梁柱连接节点均具有良好的延性和滞回性能。翼缘焊接Z形节点转动刚度表现为刚性连接，翼缘搭接Z字形钢结构节点转动刚度表现为铰接。对于翼缘焊接Z字形钢结构梁柱连接节点，其转动刚度和循环刚度退化程度受焊缝连接强度影响显著 ...
曾立静 +5 more
doaj
一种利用极化感应空穴实现p型金属极性宽禁带半导体的方法，其步骤包括：步骤1：选取一个衬底；步骤2：在衬底上生长低温成核层，利于成核；步骤3：在低温成核层上生长低温缓冲层，可以减少位错密度，提高晶体质量；步骤4：在低温缓冲层上生长极性宽禁带半导体化合物 ...
李晋闽 +5 more
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, 2009 利用喷动载流床模拟煤拔头工艺,在550,650,750和850℃温度下对大同烟煤进行热解得到拔头半焦,采用非等温热分析方法对原煤及拔头半焦的燃烧特性进行了研究.由热分析实验数据归纳提出了表征煤和半焦着火、燃烧及燃烬性能的无量纲综合燃烧指数Z.Z值越大,煤样综合燃烧性能越佳.结果显示,大同烟煤在2℃/min升温速率下Z值为0.41;4个热解温度(由低到高)下所得拔头半焦的Z值分别为0.39,0.35,0.31,0.21,且拔头半焦的燃烧性能均低于原煤,但高于阳泉无烟煤,且随热解温度升高Z值降低 ...
吴少华 +4 more
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