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Guangtongxin yanjiu, 1980 <正> 以石英为基本材料制成的光导纤维在1.0—1.6μm波长范围损耗最低、色散最小2,这对充分发挥长距离大容量激光通信的特点十分有利。因此,激起了科学工作者对这一波长范围光纤通信应用的极大兴趣,纷纷投入长波长电光、光电半导体器件的研究。近几年来,长波长激光器和检测器的研制工作获得了很大进展。这里,就所看到的一些资料,对1.0—1.6μm波长光纤通信用的检测器的研制情况,作一简单的概述。
胡永林
doaj
Zhejiang Daxue xuebao. Lixue banThe rotated flux method could be used to effectively eliminate the shock instability of the approximate Riemann solver and suppress the generation of non-physical phenomenon if the equations to be solved meet the rotational invariance.
郑素佩(ZHENG Supei) +3 more
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, 2017 本发明公开了一种二维二硫化钼(MoS2)纳米材料的液相剥离方法、MoS2分散方法及应用。所述二硫化钼分散剂包括能够通过物理作用与二硫化钼结合而使二硫化钼稳定分散于常规溶剂等分散介质内的聚苯胺类导电高分子。本发明利用成本低廉的聚苯胺类导电高分子作为二硫化钼分散剂，并将该分散剂与二硫化钼在分散介质中简单混合，通过两者之间的物理相互作用，即可通过简单的液相剥离方法获得二硫化钼二维纳米片，其无损于二硫化钼的物理结构和化学性能，操作过程简单，利于大规模实施，且剥离的二硫化钼二维纳米片在半导体、能源、耐磨润滑涂料 ...
赵海超 +3 more
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, 2000 采用三维离散元程序研究了岩体中爆炸波的传播过程。首先 ,通过与弹性解析解的比较 ,验证了该程序的可靠性 ;然后用面面接触模型模拟了爆炸引起的地面振动 ...
李世海, 郭易圆, 柳春图
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刚玉晶体中过渡金属元素(Cu、Fe、Mn、Cr、V、Ti)杂质态的研究
四川大学学报. 自然科学版, 1986 本文通过原子簇模型用离散变分法自洽地计算了刚玉晶体中部份过渡金属元素引入的杂质态,并与纯净刚玉晶体的电子结构作了比较。计算结果表明:杂质在禁带中都引入杂质能级,在给定的掺杂浓度下,能级的多少与杂质元素的原子序数有关。Ti只引入了一个杂质能级,Cr及V引入二个杂质能级,Mn、Fe及Cu引入三个能级,其中Cu、Fe有一个能级已进入价带。掺杂晶体与纯净晶体相同,其导带由O3Al3 带杂化而成,价带为O2p带。但整个能带与纯净晶体相比都向能量值小的方向移动,且价带加宽,禁带变窄。变化规律与掺杂元素的原子序数 ...
林理彬
doaj
半离散Kuramoto-Sivashinsky方程的全局吸引子 Global Attractor for Semi-Discrete Kuramo-to-Sivashinsky Equation
, 2013 董胜楠, 朱朝生
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Gaoya dianqi, 2020 地铁钢轨绝缘扣件用于隔离钢轨与大地,减少地铁杂散电流的危害。研究绝缘扣件的等效电路,探明各绝缘部件在钢轨对地过渡电阻中的影响,有利于针对性地减少地铁迷流。文中以弹条Ⅲ型扣件为例,根据泄漏电流从钢轨到大地的流通路径,给出了扣件组对地过渡电阻的等效电路;仿真计算了扣件各绝缘部件体电导率与表面电导率对过渡电阻的影响,得到了过渡电阻与各部件之间的关系;最后通过实验对研究结论进行了验证。研究发现:扣件组绝缘材料体电阻与表面绝缘电阻相差107倍,表面绝缘电阻对过渡电阻起决定作用;扣件表面绝缘电阻与表面电导率成反比 ...
曹晓斌, 沈豪, 陶鑫
doaj
藕合的AKNS方程的可积离散化 Integrable Discretization of the Coupled AKNS Equation
, 2013 Jia Wang
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, 2000 采用离散坐标法进行炉内三维辐射传热的计算。在正方体炉膛内验证了该法的精确性，计算结果与区域法进行比较，表明离散坐标法算法可靠，计算工作量小，适合于炉内辐射传热的计算。针对长方体炉膛计算了吸收-发射-散射介质的传热问题，表明传统的离散坐标法不适合计算具有复杂相函数曲线的辐射传热问题，因此采用改进的离散坐标法，并得到了合理的结果。对于煤粉燃烧炉膛将辐射传热问题和炉内流动、燃烧过程耦合起来进行计算 ...
魏小林, 惠世恩, 徐通模
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本发明公开了一种制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法，该方法采用离子注入及后退火工艺实现非极性GaN基稀磁半导体材料的制备，包括以下步骤：对GaN基底材料进行离子注入；以及对离子注入后的GaN基底材料进行快速退火处理。利用本发明可以获得居里温度(Tc)高于室温的非极性GaN基稀磁半导体材料。非极性GaN基稀磁半导体材料具有独特的面内结构、光学、电学和磁学性质的各向异性分布特性。非极性GaN基稀磁半导体材料的高居里温度性质和独特的面内各向异性分布规律，使其在磁光 ...
李晋闽 +6 more
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