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一种应用于126kV高电压等级真空灭弧室的新型触头结构及其燃弧特性

open access: yesGaoya dianqi, 2021
文中提出了一种应用于126 kV真空灭弧室的新型触头结构,对其电弧特性进行了分析。该触头由内部弧触头和外部主触头构成,弧触头是一对直径为100 mm的3/4匝线圈型纵磁触头,燃弧时能产生纵向磁场有效控制电弧;主触头是一对直径140 mm的环形平板触头,其结构简单,电阻较小。合闸状态导通额定电流时,主触头和弧触头均有电流流过。开断故障电流时,外部主触头先分闸,使电流转移至内部弧触头。电流转移后,内部弧触头再进行分闸操作,从而使真空电弧主要在内部弧触头上产生和燃烧。文中对该新型触头进行了燃弧实验与分析 ...
毕迎华   +6 more
doaj  

两种不同结构纵—横复合触头磁场计算及电弧实验研究

open access: yesGaoya dianqi, 2021
磁场调控技术是提高真空断路器开断能力的重要方式,通过纵向磁场(AMF)可以使电弧保持扩散态,而横向磁场(TMF)可以驱动电弧在电极间高速旋转以降低触头的烧蚀。近年来,一种新型的复合磁场(TMF-AMF)触头得到了广泛关注,在电流较小时电弧保持扩散态,在电流大到一定程度出现电弧集聚时可以使电弧旋转。文中设计了两种不同结构的复合磁场触头,首先分析了两种触头的磁场,并进行了结构上的优化,然后进行了定开距条件下的触发电弧实验,比较了两种触头结构的电弧特性,研究结果表明:结构1的复合触头能充分利用整个触头盘 ...
王宏达   +4 more
doaj  

AMF与TMF高频磁场特性仿真对比分析

open access: yesGaoya dianqi, 2021
真空灭弧室的灭弧性能与真空灭弧室触头的磁场特性密切相关,其中纵向磁场(AMF)灭弧技术与横向磁场(TMF)灭弧技术应用最为普遍。基于人工零点的高压直流真空断路器,引入高频震荡电流帮助开断,为了分析真空断路器开断高频电流情况下的磁场特性,文中建立了两种类型的触头结构进行有限元仿真,对比分析真空灭弧室磁场特性以及触头片涡流情况。结果表明:在高频电流开断情况下,横磁结构触头与纵磁结构触头相比有更好的磁场特性分布;触头片涡流是影响纵磁结构触头磁场特性恶劣的关键因素,而对横磁触头间隙磁场特性几乎没有影响。
李如春   +4 more
doaj  

Systematic Structure Design & Simulation Analysis of Low-voltage Circuit Breaker [PDF]

open access: yes, 2009
低压断路器的设计与生产技术在一定程度上反映了整个低压电器发展的水平,低压断路器也是电力工程与自动化领域的一大支柱产业。低压断路器是低压成套开关设备的重要组成部分,低压断路器的功能及性能对低压成套开关设备起着至关重要的作用。 低压断路器的核心智能脱扣器作为低压断路器的数据采集和信号处理单元,在断路器中起着“大脑”一样的作用。其在工业监控现场工作时,大量的干扰源可能会造成控制器采样失真、控制失灵,无法正常发出脱扣指令或者不断频繁误动作等,造成重大的事故。因此,要求脱扣器具有较强的抗外界电磁干扰的能力 ...
白晔
core  

基于思维进化和L-M法优化BP神经网络的SF6断路器触头电寿命评估

open access: yesGaoya dianqi, 2023
文中分析35 kV SF6断路器一相触头的动态电阻曲线的特点,提取出主触头接触行程、主触头电阻平均值、弧触头接触行程、弧触头电阻平均值和主触头分离时刻动态电阻极大值5个特征参数,分析得到随着烧蚀程度加深,主触头接触行程和弧触头接触行程减小,主触头电阻平均值、弧触头电阻平均值和主触头分离时刻动态电阻极大值增大。提出电寿命指示参数描述触头状态,采用数值表示法,1表示电寿命完好,0表示电寿命完结。以5个特征参数为输入,电寿命指示参数为输出,基于BP神经网络建立电寿命评估模型 ...
马飞越   +7 more
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高压断路器弧触头动态接触电阻研究

open access: yesGaoya dianqi, 2018
SF6高压断路器触头间的动态接触电阻是反映SF6高压断路器弧触头烧蚀程度的一个重要参数。研究弧触头动态接触电阻与弧触头的烧蚀程度之间的关系具有重要意义。基于电接触理论,建立了一个弧触头动态接触电阻仿真的理论模型。通过开断过程中的弧触头受力情况分析,得出在八触指自力型弧触头模型中,电流小于2 k A时,可忽略各种电动力的影响,只考虑触指接触压力的影响。在这个假设下,文中首次建立了简化的弧触头动态接触电阻的仿真模型。与大量弧触头模拟烧蚀试验结果对比,文中所提出的弧触头动态接触电阻仿真模型 ...
刘北阳   +6 more
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特高压系统用电容器组开关弧触头失效分析

open access: yesGaoya dianqi, 2016
为了提高特高压系统用电容器组开关弧触头的使用寿命,在拟工况环境下对其进行电寿命实验,发现Cu W/Cu Cr弧触头在近千次开合实验后失效。通过对失效前后弧触头的形貌、成分、组织及性能变化进行分析研究,寻找影响弧触头使用寿命的主要因素。结果表明:特高压系统用电容器组开关弧触头除电弧烧蚀引起弧触头失效外,机械磨损及挤压变形也是影响其使用寿命的关键因素。因此,协同提高耐电弧烧蚀、抗机械磨损及挤压变形的能力是制备高电气寿命触头材料的关键。
张乔   +5 more
doaj  

纳米CuCr50触头材料电弧侵蚀特性

open access: yesGaoya dianqi, 2012
近年来,纳米CuCr触头材料在截流水平、耐压能力等方面的表现优于微晶CuCr触头材料。笔者利用真空触点模拟装置和基于虚拟仪器的电器电寿命测试系统,研究了直流低电压、小电流下的纳米CuCr50触头材料的电弧侵蚀量与分断燃弧时间和触头表面形貌之间的关系,同时采用两种微晶CuCr50触头材料作为对比。利用电光分析天平纳米CuCr50触头材料的侵蚀量,利用电子扫描显微镜测量触头表面形貌。结果表明:纳米CuCr50触头材料的平均分断燃弧时间和侵蚀量均高于两种微晶CuCr50触头材料 ...
赵来军   +4 more
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126kV真空灭弧室3/4匝纵向磁场触头磁场特性及电弧形态研究

open access: yesGaoya dianqi, 2017
文中针对一种126 kV真空灭弧室3/4匝线圈型纵磁触头,采用电磁仿真分析及拉弧试验方式对其磁场特性及真空电弧形态进行研究。选择3种触头片开槽位置以及3种触头电流连通位置、有无导流排结构,共8种结构进行磁场强度与分布、触头回路电阻的对比,选择当触头电流连通位置对应时,触头片开槽位置在左侧(结构2)与开槽位置在右侧(结构3)的无导流排及有导流排的两种结构进行电弧试验,试验电流为40 k A(rms),燃弧时间为9 ms。分析及试验结果表明,当开槽位置在右边,磁场强度较强且均匀,真空电弧扩散态模式持续时间较。
张雪敏   +5 more
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126kV真空灭弧室3/4匝线圈型纵磁触头大电流电弧特性研究

open access: yesGaoya dianqi, 2017
文中针对一种126 kV真空灭弧室3/4匝线圈型纵磁触头,采用拉弧试验的方法对其在大电流下的真空电弧扩散态模式持续时间、强电弧模式持续时间以及真空电弧形态等电弧特性进行试验研究。选取3种不同线圈结构的触头进行试验,触头结构1、2、3的线圈宽度分别为12、14、16 mm。试验电流为36 kA(rms)和40 kA(rms),第1个电流半波内的燃弧时间分别为3.5、9 ms。试验结果表明,触头结构2的真空电弧扩散态模式持续时间最长,强电弧模式持续时间最短。随着电弧电流的增加 ...
毕迎华   +6 more
doaj  

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