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K掺杂优化CaCu3Ti4O12陶瓷介电性能的研究

open access: yesDianci bileiqi, 2019
使用固相反应法制备了不同浓度K+掺杂的CaCu3Ti4O12(CCTO)陶瓷试样,采用XRD、SEM、EDS、XPS、宽频介电谱仪对掺杂后的CCTO陶瓷的相结构、显微结构、晶粒与晶界内阳离子分布、阳离子氧化态、介电性能进行了表征,结果表明:K+优先替代了Ca2+形成受主掺杂。根据电荷守恒,晶粒内以生成氧空位为主,金属离子析出被抑制,此时晶粒尺寸趋于减小。当掺杂浓度超过6 mol%时,晶胞膨胀形成了Cu空位。介电性能的变化与点缺陷和显微结构的变化有关,K+掺杂后,晶粒尺寸先减小,然后随掺杂浓度的增加而增大。
曹壮, 成鹏飞, 宋江
doaj  

Effect of Tungsten Oxide Powders with Different Characteristics on the Characterization of Hydrogen Reduced Tungsten Powders [PDF]

open access: yes, 2017
本文详细研究煅烧温度、抽风频率和转速对APT粉末煅烧获得氧化钨粉末特性 的影响,并详细分析了煅烧过程中粉末粒度和形貌变化规律、氧化钨相变机理、WO3 晶粒生长机理及WO2.72晶粒生长机理。而后根据XRD对氧化钨粉末相结构和相成分 及SEM对氧化钨粉末颗粒(晶粒)尺寸和形貌的检测结果,将获得的氧化钨粉末分成 四组,氢还原制备三种粒度级别(0.7μm,2.5μm及8.0μm)的钨粉末,研究氧化钨原 材料中WO3晶粒尺寸,WO2.72晶粒尺寸和形貌,WO3晶体结构及相成分对还原钨粉 末特性的影响 ...
龙本夫
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ZrO2掺杂ZnO压敏瓷的性能及晶粒生长研究

open access: yesDianci bileiqi, 2015
以球磨法制备Zr O2掺杂Zn O压敏瓷,通过扫描电镜对其显微组织进行了分析,探讨了Zr O2掺杂对Zn O压敏瓷电性能的影响并且研究了晶粒的生长。研究结果表明,随着保温时间的延长,致密度和非线性系数均呈现先增加后减小的趋势;而对Zn O压敏瓷的漏电流和电位梯度的影响则呈现先减小后增加的波浪型变化。Zr O2掺杂Zn O压敏瓷的晶粒尺寸要比基础配方Zn O压敏瓷的晶粒尺寸要小,可能是因为Zr原子半径与Zn原子半径接近,Zr O2固溶在氧化锌晶粒中,抑制了氧化锌晶粒尺寸的增长。由计算可得Zr ...
何恺   +6 more
doaj  

稀土氧化物掺杂对ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷导电过程的影响

open access: yesDianci bileiqi, 2010
掺杂稀土氧化物可改变ZnO晶粒的尺寸,从而改变了等效偏析层的厚度,并分析了偏析层在导电过程中的作用。发现未掺杂试样的导电过程由晶界偏析层控制,而稀土氧化物Ce2O3、Y2O3掺杂后,由于晶粒尺寸的下降,试样的导电过程转变为界面态能级控制。因此对于多掺杂体系或小晶粒体系,应考虑偏析层对压敏陶瓷宏观的电气性能的影响。
成鹏飞, 王玉平
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First-principles calculations of perpendicular magnetic anisotropy in Fe1-xCox/MgO(001) [PDF]

open access: yes, 2015
近年来,垂直磁隧道结由于在磁记录、磁随机存储器、微波探测器以及磁敏传感器等方面的广阔应用前景引起人们广泛的关注。其中由单质Fe或者FeCo基合金与单晶MgO(001)结合形成的垂直磁隧道结具有高隧穿磁电阻、高热稳定性、低临界翻转电流的优点,是人们研究的重点。虽然大量的研究取得了丰硕的成果,但是横亘在FeCo/MgO隧道结应用之前的一个重要问题是铁磁层的垂直各向异性难以在较高厚度下保持,提高了材料制备工艺的难度。为此,本文拟研究Fe/MgO中垂直磁各向异性随Fe厚度变化的内在机制,通过优化Fe ...
蔡官志
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Effect Mechanism of Curling Temperature on the Toughness of Titanium Microalloyed High-strength Steel GCL700 [PDF]

open access: yes
The effect of curling temperature on the mechanical properties of Ti microalloyed high-strength steels was investigated using electron backscatter diffraction, transmission electron microscopy, scanning electron microscopy and mechanical experiments.The ...
Wang Yi, Che Zhichao, Chen Yufeng, Yang Shufeng, Zhang Junfen, Xue Qihe, Li Jingshe
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拉曼光谱法表征石墨烯晶界 [PDF]

open access: yes, 2017
化学气相沉积法制备的石墨烯为多晶,其晶界缺陷对石墨烯的电学、热学等各性能有显著影响.快速、有效地观察石墨烯的晶界分布对石墨烯的应用研究有重要意义.对石墨烯进行热处理以增强石墨烯的缺陷,发现热处理后石墨烯边界和晶界处的拉曼缺陷峰有明显增强,而晶畴内石墨烯的缺陷峰基本没有变化.为此,应用热处理法并结合拉曼光谱及其面扫描技术,可直观地表征出满层石墨烯的晶界分布并测定单晶尺寸.该方法不限制石墨烯样品的衬底,可以快速有效地鉴别出石墨烯晶界分布,为石墨烯晶粒尺寸的判断提供了一种简单有效的方法 ...
应豪, 李秀婷, 陈珊珊
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In-situ observations of grain refinement by TiN particles in the simulated coarse-grained heat-affected zone of a high-strength low-alloy steel [PDF]

open access: yes, 2016
The effect of grain refinement by TiN particles in the simulated coarse-grained heat-affected zone of a high-strength low-alloy steel was investigated by means of analytical characterization techniques such as in-situ microscopy and electron back ...
LI Guang-qiang   +2 more
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CaCu3Ti4O12陶瓷淬火态微结构与介电性能研究

open access: yesDianci bileiqi, 2017
采用传统的电子陶瓷工艺制备了CaCu3Ti4O12(以下简称CCTO)陶瓷,主要研究了1 100℃空气气氛下淬火对CCTO介电性能的影响。SEM和XRD研究表明,淬火并未改变CCTO陶瓷的晶粒尺寸大小,但会增加陶瓷表面CuO的析出。介电谱测试发现,经过淬火的CCTO陶瓷在低频下的介电常数和介电损耗均明显增大,而高频介电常数和介电损耗几乎不变。阻抗谱分析进一步表明,淬火后试样的晶界电阻显著降低,可能是晶界氧化相对不足,晶界界面态密度下降,导致耗尽层厚度减小,于是低频介电常数和介电损耗同时增大 ...
宋江, 成鹏飞, 武康宁, 贾然
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Hot ductility of Fe-36Ni invar alloy [PDF]

open access: yes, 2016
The hot ductility behaviors of Fe-36Ni alloy in the temperature range of 900-1200 ℃ were investigated by using a Gleeble-3800 thermal simulator. The influence factors and mechanism of action on the hot ductility were systematically analyzed by FaetSage ...
HE Yu-tian   +5 more
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