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氧化铈掺杂对氧化锌压敏电阻性能的影响

open access: yesDianci bileiqi
通过材料配方中掺杂不同含量的氧化铈(CeO2)探究其对氧化锌压敏电阻的微观形貌、晶粒尺寸、电学性能和大电流冲击测试后退化规律的影响。采用XRD表征了压敏电阻的晶相组成。研究发现,当CeO2掺杂量为0.11wt%时,样品表现出更均匀的晶粒尺寸分布和较优异的电学性能。其电位梯度由未掺杂时的327.8 V/mm提高至349.4 V/mm,非线性系数和残压比分别为60.8和2.408。通过了6次8/20 µs波形下20kA(电流密度6170A/mm2)的脉冲浪涌模拟测试。在经过第10次8/20 ...
金鹿江   +8 more
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添加剂对氧化锌电阻片电学性能影响的研究进展

open access: yesDianci bileiqi, 2005
综述了近年来添加剂对氧化锌电阻片电学性能影响方面的研究进展,分析了不同添加剂对氧化锌电阻片电学性能的影响机理。通过比较发现,纳米添加剂可以降低高温烧成时的烧成温度,进而抑制晶粒长大,改善烧成均匀性,氧化锌晶粒平均尺寸可控制在1μm左右,泄漏电流2μA,通流容量可达250J/cm3。指出纳米添加剂进一步在氧化锌电阻片生产中的应用是今后研究的方向。
马书蕊   +4 more
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国外MOA用ZnO电阻片的剖析与思考(续)

open access: yesDianci bileiqi, 2007
在SEM镜下呈深绿色主要原因是含Co、Cr高,只少见两种以上矿物相呈现浸染状,主体矿物为深绿色ZnO,说明Co、Cr固溶于其晶格。粒径2μm~6μm(包括尖晶石),平均4μm。气孔孔径6μm~20μm,其形状不规则;位于边缘的气孔含量8.16%~8.87%,位于中心的气孔含量11.16%~11.98%。相比之下G试样的气孔比A的多,但比J的少,气孔尺寸也大,图12中黑色者为气孔。
王振林, 李盛涛, 王玉平
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烧结温度对掺杂B2O3的SnO2压敏电阻微观结构和电气特性的影响

open access: yesDianci bileiqi, 2023
研究了不同的烧结温度对掺杂B2O3的SnO2压敏电阻的影响。通过电子扫瞄显微镜SEM图和X射线衍射图,对样品的内部结构进行了微观表征;测试了不同温度下SnO2压敏电阻样品小电流区的伏安特性曲线。实验结果表明,烧结温度为1 325℃,SnO2压敏电阻样品的晶粒尺寸比较均匀;样品表现出最佳的电气参数:泄漏电流为18.93μA/cm2,非线性系数为28.93,电压梯度为378 V/mm。
杨兴, 赵洪峰, 吴宇航, 谢清云
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CuCr触头材料微观特性对其宏观性能的影响

open access: yesGaoya dianqi, 2000
本文总结和分析了CuCr真空开关触头材料的含气量、晶粒尺寸、致密度及成分均匀分布等微观特性对其分断能力、耐压性能、截流值等宏现性能的影响,并简要分析了现有的一些工艺方法,为真空开关CuCr触头材料的研究开发和应用提供参考。
修士新, 邹积岩, 何俊佳
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Influence of Cold Drawing Strain on Torsion Properties of 304H Steel Wire

open access: yesTeshugang, 2021
The influence of structure evolution and defects of 304H stainless steel wire during the cold drawing process from Φ2.6 mm to Φ0.89 mm on torsion performance of stainless steel wire are studied.
彭科, 刘静, 袁泽喜, 彭志贤
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MgO掺杂对SnO2压敏电阻性能的影响

open access: yesDianci bileiqi
采用传统的SnO2+CoO+Nb2O5+Cr2O3压敏电阻体系,深入研究了MgO掺杂对SnO2基压敏电阻综合电性能和微观形貌的影响。结果表明,当MgO掺杂量为0.5%(摩尔分数)可获得最佳的电性能,非线性系数为32,电压梯度为284.3 V/mm,漏电流为7.1 μA。这是因为Mg2+作为受主掺杂剂,提高了表面态密度,当MgO的掺杂量超过SnO2样品的溶解度极限时,在晶界处形成尖晶石,由于钉扎效应阻止了ZnO晶粒的生长,因此晶粒尺寸减小并形成更多晶界,有效提高了SnO2压敏电阻的综合电性能 ...
孙岩   +6 more
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钾元素对氧化锌压敏电阻电性能的影响

open access: yesDianci bileiqi, 2008
采用溶液添加法在中压压敏电阻中引入金属K+离子,研究不同含量的K+对ZnO压敏电阻电性能的影响及其机理,结果表明:K+能增强ZnO压敏电阻的稳定性,富集在晶界处的K+因补充了晶界处正点中心的数量,使耐受8/20μs峰值电流冲击性能提高;K2O的高温液相烧结促使瓷体的气泡等烧结缺陷减少,使其2ms方波脉冲冲击性能提高;随着K掺入量的增加和烧结时间的延长,晶粒尺寸增大,压敏电压梯度减小。
洪俊伟   +3 more
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提高ZnO电阻片性能的研究

open access: yesDianci bileiqi, 1994
本研究着重进行了配方组成、ZnO预处理、电阻片规格尺寸、成型工艺等方面的研究。实践证明,ZnO原料本体的预处理,添加适量的Al3+和采用相应的工艺条件,能降低ZnO晶粒本体电阻,可以改善ZnO电阻片在大电流下的非线性特性,并且根据配方组成,确立了合理的成型制度,提高了性能,在国内达到了较高的水平。
陈廷吉, 何晓明
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添加剂微纳化对ZnO压敏电阻性能的影响

open access: yesDianci bileiqi, 2018
采用卧式砂磨机对混合添加剂氧化物进行微纳化,探究添加剂粒径对ZnO压敏电阻性能的影响。借助粘度、Zeta电位、SEM、XRD和电测设备等分析方法对所制得的ZnO压敏电阻进行综合分析。结果表明,通过卧式砂磨细化的添加剂粒径达到微纳米级,制得的压敏电阻ZnO晶粒尺寸减小,微观结构更加均匀。其中卧式砂磨细化30 min所得的添加剂粒径为347 nm,压敏电阻电位梯度达到310.0 V/mm,漏电流为1μA,残压比(8/20μs,5 k A)达到1.69,非线性系数为32.7,表现出较好的综合电气性能。
程器   +5 more
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