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Dianci bileiqi, 1994 本研究着重进行了配方组成、ＺｎＯ预处理、电阻片规格尺寸、成型工艺等方面的研究。实践证明，ＺｎＯ原料本体的预处理，添加适量的Ａｌ３＋和采用相应的工艺条件，能降低ＺｎＯ晶粒本体电阻，可以改善ＺｎＯ电阻片在大电流下的非线性特性，并且根据配方组成，确立了合理的成型制度，提高了性能，在国内达到了较高的水平。
陈廷吉, 何晓明
doaj
, 2011 以碳酸锂或乙酸锂、草酸亚铁和正硅酸乙酯为原料,蔗糖为碳源,乙酸为催化剂,通过溶胶·凝胶法制备前驱体,再采用固相反应法在600℃、氮气气氛中一步烧结制备了碳包覆硅酸铁锂(Li2FeSiO4/C)正极材料。将其组装成电池进行电化学性能测试。用X射线衍射和扫描电镜表征Li2FeSiO4/C的结构、形貌和晶粒尺寸。结果表明:以乙酸锂为锂源制备的Li2FeSiO4/C结晶良好,基本无杂相,晶粒尺寸为50～200 nm,分布较均匀;在C/16、C/10、1C和2C(1C=166 mA/g)放电速率下 ...
傅儒生 +4 more
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Preparation and First-principles Study of New Thorium-based MOX Fuel [PDF]
The development of thorium-based nuclear fuel is of significance for the long-term sustainable development of nuclear power. Among these, Th1−xPuxO2 stands as a highly promising nuclear fuel with proven applications in various reactor types.
ZHAO Shi1, 2, , WEI Qianglin1, 2, 3, , LIU Yibao1, 2, LIU Haojie2, LI Kaixuan2
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, 2017 由于具有低成本、无毒、铜源丰富等优点,以及在气敏传感器、太阳能电池、光催化等领域的潜在应用前景,CuO薄膜引起了人们的广泛关注.采用射频平衡磁控溅射镀膜系统,在薄膜沉积过程中通过施加不同衬底负偏压可控制备了CuO多孔纳米结构薄膜.研究发现,所得CuO薄膜具有灵活可调的孔隙度和纳米构筑单元形貌特征,并且它们与衬底负偏压的大小密切相关;薄膜沿衬底法线方向呈柱状生长且具有显著的（111）择优取向;禁带宽度在2.0.35 eV之间可调.很明显地,传统的溅射离子轰击、再溅射理论并不适合用来解释上述负偏压效应 ...
刘阳 +8 more
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Dianci bileiqi, 2018 采用卧式砂磨机对混合添加剂氧化物进行微纳化,探究添加剂粒径对ZnO压敏电阻性能的影响。借助粘度、Zeta电位、SEM、XRD和电测设备等分析方法对所制得的ZnO压敏电阻进行综合分析。结果表明,通过卧式砂磨细化的添加剂粒径达到微纳米级,制得的压敏电阻ZnO晶粒尺寸减小,微观结构更加均匀。其中卧式砂磨细化30 min所得的添加剂粒径为347 nm,压敏电阻电位梯度达到310.0 V/mm,漏电流为1μA,残压比（8/20μs,5 k A）达到1.69,非线性系数为32.7,表现出较好的综合电气性能。
程器 +5 more
doaj
Crystalline Structures and Characterizations of Porous Silicon [PDF]
, 2009 The formation of porous silicon (PSi) involves the transition from perfect monocrystalline silicon to non-perfect crystalline such as polycrystalline or even amorphous structures, depending strongly upon the fabrication conditions and the nature of ...
Cheng, Xuan +3 more
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Dianci bileiqi, 1996 通过沿径向制作点电极，并测试压敏电压径向分布，表明普通试样的压敏电压沿径向呈下降分布，它与晶粒尺寸沿径向分布对应。通过调整压成方式和侧面无机高阻层配方，改变压敏电压径向分布，能够提高沿面问络电压和电流，其中缓慢压成以及施以反应型高阻层的试样的闪络电压和电流大。闪络电压和电流与压敏电压径向分布特征值Ｖ９／Ｖ０呈线性上升关系。
李盛涛, 李博, 刘辅宜
doaj
Fushe yanjiu yu fushe gongyi xuebao本研究采用γ辐射诱导合成方法制备了氧化锌（ZnO）及金属掺杂ZnO（M-ZnO，M=Mg/Li/Al/Ga/Ni/Fe）纳米材料，用于提升光电器件电子传输层（ETL）性能。通过60Co辐照装置（剂量率6.25 kGy/h）对前驱体溶液进行40~200 kGy辐照，实现了低温高效结晶。X射线衍射与扫描电子显微镜表征表明，150 kGy吸收剂量下ZnO晶粒尺寸与结晶度最优，形成长棒状结构，紫外吸收光谱显示带隙为3.03 eV。掺杂元素调控实验发现，Ni/Al/Ga可增强荧光强度（400~450 nm ...
靳 笑天 +5 more
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, 2009 多孔硅的生成过程涉及从完美硅单晶逐渐变为不完整晶体,甚至无定形结构,其结构变化取决于制备条件和硅基底的掺杂类型与浓度。多数研究者利用不同的非原位手段研究多孔硅生成过程中晶态结构的变化,进一步研究其光致发光性能。本文对不同条件下生成的多孔硅的晶态结构进行了归纳总结,比较了透射电子显微镜、X射线衍射技术及拉曼光谱技术3种表征方法的特点及其对晶态结构认识的影响,指出不同微观表征手段的局限性使得众多的报道结果相差较大 ...
吕京美, 程璇
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[Rational design of high performance metal organic framework stationary phase for gas chromatography]. [PDF]
Se Pu, 2023 Yang H, Tang WQ, Zeng C, Meng SS, Xu M.
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