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Qualitative and Quantitative Analysis of Mercury Ion in the water environment Using Surface-enhanced Raman Spectroscopy [PDF]
汞(mercury)元素是人体非必需的元素,其单质和化合物均具有很高的生物毒性,且能通过食物链进行生物转化和富集而引发各种疾病。汞离子(Hg2+)含量的检测是研究其毒理效应的前提,在环境和生命等科学研究中有非常重要的意义。 拉曼光谱通常用于分子结构的研究,非常弱的拉曼光谱信号限制了拉曼光谱的定量分析应用。表面增强拉曼光谱(Surface-enhancedRamanScattering,SERS)相比于普通的拉曼光谱具有高灵敏度被用于环境和生物分析领域,其中SERS方法对Hg2 ...
吴玉超
core
外绝缘的放电电压(包括交流、直流、雷电冲击和操作冲击电压),随着大气条件的变化而改变。因此,弄清大气条件对外绝缘放电电压的影响程度,不仅对评价和比较试验结果是十分重要的,而且对输电线路的绝缘设计,也是必不可少的。 高压试验用大气校正系数,国际上都是引用空气密度和湿度的大气校正系数,即把绝缘试验所获得的放电电压值,换算为相应于标准大气条件(1013毫巴、20 ...
杨文才
doaj
一、问题的提出 在对SF6断路器(或其它的充SF6气体的电气设备)进行充气时,必须根据SF6气体的压力—温度特性曲线,查出相应环境温度下的压力值,借助于压力表才能较准确的充入气体。另外,SF6断路器在运行过程中,运行人员巡视时从压力表读到的数值还要根据当时的环境温度换算成20℃时的压力值,才能判断SF6断路器是否漏气,这给运行使用单位带来了一定的麻烦。那么 ...
陆明
doaj
本文介绍了在温度、湿度不变,仅改变大气压力的条件上,雷电冲击和工频电压对高压电器外绝缘影响的试验研究。试验表明,高压电气设备外绝缘的放电电压,是随着大气压力的降低而降低的。在放电距离小于1米的工频和雷电冲击电压下,IECPubl.60—1中规定的校正公式中的指数m值和大多数试品的实际放电规律有差别,并推荐了将试验时放电电压校到标准大气压力的校正公式。
龙玉华
doaj
[Effect of a novel radio-frequency atmospheric-pressure glow discharge plasma jet treatment on crosslinking of dentin collagen]. [PDF]
Ma XR +5 more
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超、特高压直流穿墙套管采用SF6 作为内部绝缘介质,研究SF6 的替代气体具有极其重要的意义,采用干燥空气替代SF6 作为±400kV直流穿墙套管的的绝缘介质满足了目前高压电气设备的环保型发展需求。首先针对穿墙套管三维模型开展了仿真研究,得到了穿墙套管中电场与电位分布,根据套管内部最大电场强度位置和数值设计电极结构,在工频和直流施加电压下研究了0.5 ~1.0MPa气压范围内不同电极类型,不同电极距离下的干燥空气击穿特性。结果表明:随着气压的升高,干燥空气击穿电压基本呈现上升趋势,气压较高时出现饱和现象。
钟建英 +5 more
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文中通过工频击穿实验研究了不同电场均匀度、配比、气压下氮氧混合气体的工频绝缘特性。实验发现:板—板电极下,配比对氮氧混合气体的击穿电压影响较小,氮氧混合气体的击穿电压随充气压力的提高均呈增长趋势;棒—板电极下氮氧混合气体的击穿电压明显降低;针—板电极下氮氧混合气体的击穿电压在0.6~0.9 MPa出现“驼峰”效应,随着针—板电极间距增大,“驼峰”效应越发显著,较高气压下绝缘强度出现饱和。综合分析表明,在不同电场均匀度下,0.8 MPa时80%N2/20%O2与SF6在0.4 MPa时80%的绝缘强度相当。
陈凯 +4 more
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针对气体放电管(gas discharge tube,GDT)在雷电阻尼振荡波冲击下击穿性能的问题,首先对气体间隙在交流电压作用下放电过程进行理论分析,采用雷电阻尼振荡波发生器对不同直流放电电压的气体放电管进行冲击试验,得出:随着雷电阻尼振荡波冲击电压的升高,气体放电管的放电电流不断增大;冲击过程中,残压先上升到大于直流放电电压,再下降并保持稳定,直至停止放电;气体放电管的吸收能量与冲击电压呈正相关;气体放电管的内阻随着冲击电压的增大而减小。为研究气体放电管在实际雷电中的应用具有一定的参考价值。
李祥超, 蔡露进, 杨悠
doaj
[Research advances on the mechanism and clinical application of cold atmospheric plasma in promoting wound healing]. [PDF]
Zhao ZY, Cai CH, Liu H, Liu SW, Wang XG.
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