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污秽分布对陶瓷XP-70与玻璃LXP-70绝缘子放电影响的实验研究
Dianci bileiqi, 2019 基于绝缘子污秽分布的非连续特征,开展了非连续污秽分布对陶瓷XP-70与玻璃LXP-70绝缘子交/直流放电影响的实验研究。首先,基于紫外脉冲原理搭建了污秽绝缘子放电紫外脉冲检测系统。在此基础上,研究了非连续污秽分布对绝缘子交/直流放电紫外脉冲与泄漏电流的影响特性。试验结果表明:非连续污秽分布下陶瓷绝缘子交流放电紫外脉冲数高于全污秽绝缘子放电紫外脉冲数。全污秽陶瓷绝缘子直流放电紫外脉冲数明显高于其它污秽分布下绝缘子放电紫外脉冲数。玻璃绝缘子不同污秽分布下交/直流放电紫外脉冲数在不同电压等级下表现出较大差异 ...
梁伟 +7 more
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Dianci bileiqi, 2021 针对特高压变电站避雷器泄漏电流数据采集不准确的问题,在实验室内搭建工频磁场仿真环境,对不同结构的电流传感器进行工频磁场采集精度试验,选取一种抗干扰能力最好的线圈结构进行设计。设计一种双线圈泄漏电流传感器,经实验室和现场测试,结果表明该传感器在强工频磁场干扰下采集误差≤±2%,满足泄漏电流采集技术规范要求。
于大洋, 刘英男, 丁晶, 李亚锦
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交流泄漏电流带电测试对MOA不同绝缘部件的故障检出效果差异研究
Dianci bileiqi, 2022 运行电压下交流泄漏电流测试在金属氧化物避雷器技术监督中发挥着重要作用，同时在实际生产也存在一部分MOA无法通过交流泄漏电流带电测试发现隐患缺陷而造成损失的痛点。本研究提出一个设想：运行电压下交流泄漏电流带电测试技术对MOA不同绝缘部件上的故障检出效果不同。实验研究发现：因为避雷器整体的交流泄漏电流成分中，电阻片、瓷外套的占比较大，玻璃钢芯绝缘支撑杆、环氧树脂绝缘筒的占比非常小(
王清波 +11 more
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Leakage detection device based on wireless communication
, 2009 本发明涉及流体泄漏检测技术,具体说是一种基于无线通信的泄漏检测装置。包括超声信号处理模块和无线通信模块两部分,其中:超声信号处理模块用于检测并放大流体泄漏时所产生的超声信号,并运行超声信号处理程序;无线通信模块接收超声信号处理模块的信号,运行无线通信协议栈,负责与其他无线设备进行通信。本发明基于超声信号检测和无线通信技术,适合于高压流体在输送管道、阀门处泄漏时的在线检测,采用非侵入式安装,可大大降低系统的造价,减少人工巡检的人力、物力投入 ...
周侗 +6 more
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Dianci bileiqi, 1989 本文介绍一种金属氧化物避雷器进行在线监测,即不断开接地线检测的泄漏电流测试仪.这种仪器是一种钳式电流互感器,通过带通滤波器及放大器测量三次谐波以检测泄漏电流长期变化情况,可以区分总泄漏电流及阻性电流.现场监测表明 ...
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Dianci bileiqi, 2018 绝缘子泄漏电流对绝缘子运行状态在线监测具有重要的意义,但泄漏电流信号易受到各种噪声的干扰,针对泄漏电流信号信噪比低及传统去噪方法去噪效果不佳的现状,利用广义S变换在非平稳信号处理方面的独特优势,将广义S变换应用到绝缘子的泄漏电流去噪中,在广义S变换高质量的时频分布平面中设计了一种阈值去噪和时频谱分布滤波相结合的新型时频滤波器,通过绝缘子泄漏电流高压试验和现场实测信号的去噪结果分析,验证了本文方法在绝缘子泄漏电流信号去噪中的有效性和稳定性。
吴朝晖
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, 2010 本发明涉及液流储能电池的电极框，特别涉及全钒氧化还原液流电池的电极框结构，其由形状和大小完全相同的二个框体相互扣合而成，所述二个框体相互扣合的平面称之为扣合面，且至少一个框体的扣合面上设置有流体流道，流道被扣合于边框内，形成内置结构的电解液出入口流道。本发明增加电解液流道支路的电阻，减小漏电电流，避免了充放电过程的电化学腐蚀，延长电池(堆)的寿命 ...
郝 玥 +5 more
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Dianci bileiqi, 2011 专利申请号:CN200510112296.7公开号:CN1991395申请日:2005.12.29公开日:2007.07.04申请人:上海电气集团股份有限公司本发明公开了一种监测避雷器泄漏电流中阻性电流的方法,有下列步骤:采集流过避雷器的泄漏全电流;将泄漏全电流分解成阻性电流和容性电流;将该两种电流进行放大至mA级 ...
doaj
Dianci bileiqi, 2018 泄漏电流监测是架空线路绝缘子状态最可靠、最有效的指标。然而,基于泄漏电流的绝缘子状态监测的主要困难在于,难以分辨测量得到的泄漏电流变化的原因是随系统变化的谐波还是污秽等其他因素。研究了在电压谐波存在的情况下,利用泄漏电流时间积分值来监测架空线路绝缘子泄漏电流的可行性。研究结果表明:系统电压谐波分量的变化对泄漏电流的谐波特性有显著影响,但对时间积分的影响相对较小。该监测技术已通过试验数据的验证,并在实验室在线测量装置中得到了应用。
周鹏
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, 2005 对部分耗尽SOI CMOS静态存储器的位线电路进行了模拟和研究,详细分析了BJT效应对SRAM写操作过程的影响,给出了BJT效应在SRAM写操作过程的最坏条件和最好条件下存储单元门管的瞬态泄漏电流的模拟结果;在详细分析BJT效应影响的基础上,对"First Cycle"效应进行了全面的研究.结果表明,"First Cycle"效应对写操作影响较大;研究了位线电容负载对存储单元门管体电位的依赖.最后 ...
刘忠立, 姜凡
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