Results 41 to 50 of about 564 (120)
Gaoya dianqi, 2014 基于绝缘子泄漏电流可以有效预测绝缘子的污秽度,污闪、冰闪发生的可能性以及绝缘材料的老化状况,绝缘子泄漏电流特征量的提取和选择对其外绝缘状况以及材料老化状况预测的准确性具有重要影响。针对绝缘子泄漏电流特征量提取及应用方面的研究开展得已经非常广泛,非常有必要进行系统地综述。笔者对泄漏电流应用于绝缘子污秽度、污闪及冰闪电压预测、绝缘材料老化状况监测几个方面进行了系统地综述,将泄漏电流特征量分为幅值类特征量、波形及谐波类特征量和其它常见特征量3大类,系统介绍了各个特征量的研究进展 ...
苗鹏超, 徐志钮
doaj
Dianci bileiqi, 2016 金属氧化物避雷器（MOA）泄漏电流可作为判断其老化的依据。针对实际测量的MOA泄漏电流中存在干扰信号将原始泄漏电流信号覆盖问题,提出卡尔曼滤波和离散平稳小波组合的综合消噪算法。首先使用离散平稳小波将泄漏电流信号分解为细节信号和逼近信号,其次对逼近信号和细节信号滤波进行卡尔曼滤波,最后将滤波后的逼近信号和部分细节信号进行重构,得到消噪后的泄漏电流信号,并首次提出适应于MOA老化的泄漏电流模型对该算法进行仿真验证。研究表明,该综合消噪算法消噪效果明显优于单独使用卡尔曼滤波和离散平稳小波 ...
唐明良, 李佑光, 曹洪亮
doaj
Low Leakage Domino Circuit Design for 45nm CMOS Technology
, 2008 在研究了45nm CMOS工艺下晶体管泄漏电流特性的基础上,提出了一种可以同时减小多米诺逻辑电路亚阈值和栅极氧化层泄漏功耗,带有NMOS睡眠开关并使用双阈值电压、双栅极氧化层厚度的电路技术。该电路技术与标准的双阈值电压多米诺逻辑电路相比,待机模式时消耗的总泄漏功耗在110℃时最高可以减小65.7%,在25℃时最高可以节省达94.1%
杨志家, 杨松, 王宏
core
Gaoya dianqi, 2019 为探究接触网绝缘子在污闪过程中泄漏电流特性,文中选取FQX-25铁道用复合绝缘子进行人工污秽试验获取泄漏电流数据。首先利用泄漏电流的区段变化特性对试验数据分区研究并结合文献确定出安全区、预报区和危险区之间的分区阈值为10 mA和30 mA。其次求出各区段的有效值和脉冲时域熵,利用MATLAB拟合它们与污秽度的关系曲线;接着对各区段泄漏电流数据进行FFT分析,提取出3次谐波、5次谐波与基波的幅值比K3/1、K5/1。最后建立了污闪发展全过程泄漏电流3区段波形的总谐波失真（THD ...
赵晓亚, 张友鹏, 赵珊鹏
doaj
, 2005 对部分耗尽SOI CMOS静态存储器的位线电路进行了模拟和研究,详细分析了BJT效应对SRAM写操作过程的影响,给出了BJT效应在SRAM写操作过程的最坏条件和最好条件下存储单元门管的瞬态泄漏电流的模拟结果;在详细分析BJT效应影响的基础上,对"First Cycle"效应进行了全面的研究.结果表明,"First Cycle"效应对写操作影响较大;研究了位线电容负载对存储单元门管体电位的依赖.最后 ...
刘忠立, 姜凡
core
Dianci bileiqi, 2016 电涌保护器（SPD）在工作状态下会产生一定的泄漏电流,其泄漏电流的值可以反应SPD的老化程度。针对SPD的老化预测问题,利用其产生的泄漏电流,提出一种基于灰色预测模型的SPD老化预判方法。研究表明:灰色预测模型可以较好地应用于SPD泄漏电流的预测中,预测结果误差较小,具有较高的有效性和实用性,从而为SPD老化预判提供一种可能。此外,为电网电力系统中其他设备状态预判提供了一种崭新思路。
张红梅, 李佑光
doaj
Dianci bileiqi, 2021 针对特高压变电站避雷器泄漏电流数据采集不准确的问题,在实验室内搭建工频磁场仿真环境,对不同结构的电流传感器进行工频磁场采集精度试验,选取一种抗干扰能力最好的线圈结构进行设计。设计一种双线圈泄漏电流传感器,经实验室和现场测试,结果表明该传感器在强工频磁场干扰下采集误差≤±2%,满足泄漏电流采集技术规范要求。
于大洋, 刘英男, 丁晶, 李亚锦
doaj
Dianci bileiqi, 2011 专利申请号:CN200510112296.7公开号:CN1991395申请日:2005.12.29公开日:2007.07.04申请人:上海电气集团股份有限公司本发明公开了一种监测避雷器泄漏电流中阻性电流的方法,有下列步骤:采集流过避雷器的泄漏全电流;将泄漏全电流分解成阻性电流和容性电流;将该两种电流进行放大至mA级 ...
doaj
Research on Low Power VLSI Design in Deep Submicron Technology
, 2008 随着系统芯片技术的日益成熟，采用电池供电的便携式电子产品和移动通讯产品获得了迅猛的发展和快速的普及，使低功耗设计技术受到了极大的关注。当半导体技术逐渐发展到深亚微米、纳米级之后，泄漏功耗呈指数的增长，使其在总功耗中所占的比重越来越大，在某些设计中甚至已经占据了支配地位。深亚微米以及纳米级超大规模集成电路（VLSI）的泄漏功耗降低技术已经成为了学术界和工业界研究的热点问题。 本文针对的是65nm和45nm体硅衬底互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺下VLSI的泄漏功耗优化问题 ...
杨松
core
Dianci bileiqi无间隙金属氧化物避雷器（MOA）以其无与伦比的优异特性被广泛地用于限制各种过电压，保护电气设备、电缆护层等免遭损坏。为了保证MOA可靠运行，监测MOA的泄漏电流是判定MOA劣化状态的最重要手段。由于MOA泄漏电流变化特性受多种随机因素影响，尤其是外部因素也会导致MOA泄漏电流变化，使MOA劣化状态的判定依据和阈值至今无法定量确定，严重影响MOA状态判定的有效性和正确性。基于MOA状态参量测试平台，试验研究了外部因素对MOA泄漏电流变化的影响规律，获得了运行电压波动 ...
崔江静 +5 more
doaj