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界面电荷注入与积聚行为对直流GIS/GIL绝缘子沿面电场的影响分析
Gaoya dianqi, 2021 气体绝缘组合电器(gas insulated switchgear,GIS)和气体绝缘金属封闭输电线路(gas insulated metalenclosed transmission line,GIL)运行电流大,设备内部存在明显的温度梯度分布,造成高压电极附近电荷的注入与迁移加剧,导致绝缘子内空间及表面电荷的积聚,畸变电场,容易诱发沿面闪络故障。为此文中建立了电—热耦合应力下直流盆式绝缘子内的电荷注入与积聚模型,研究了考虑电荷注入和迁移特性的绝缘子空间电荷及表面电荷积聚情况 ...
胡琦 +4 more
doaj
Electro-driving Permeation Performance of Nylon 6,6 Membrane [PDF]
, 2010 电驱动条件下膜分离性能的研究对膜在微流控芯片等微小器件中的应用具有重要的指导意义.研究了界面聚合的尼龙6,6膜的电驱动分离性能,并考察了电场强度、通电时间和温度等操作条件对SO42-和Cl-离子透过性能的影响.结果表明尼龙6,6膜具有较好的SO24-和Cl-离子透过性能,并且透过性能差异不大,离子透过百分比随电场强度和通电时间的增加而增加,而随温度的增加基本保持不变.而对fITC标记的甘氨酸和赖氨酸则能完全截留,截留分子量在500左右,具有部分纳滤膜性质 ...
叶嘉明, 周勇亮, 潘城, 邵黎阳
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Gaoya dianqi, 2011 通过分析对比4种不同布置方式典型110 kV变电站站界电磁环境检测数据,得出目前110 kV变电站周围的工频电场强度和磁感应强度均远小于国家推荐的标准限值,即工频电场强度4 kV/m和工频磁感应强度0.1 mT。此外,变电站的构筑物对变电站工频电场的屏蔽效果显著,这给未来城市变电站的规划设计提供了有益参考。
陈震平, 林凌
doaj
IN SITU XRD INVESTIGATION OF DOMAIN SWITCHING IN FERROELECTRIC CERAMICS PLZT DURING AN ELECTRIC FATIGUE PROCESS [PDF]
, 2004 【中文摘要】利用SEM观察了未疲劳和疲劳铁电陶瓷极化试样的断口形貌.利用原位XRD观测了电疲劳过程中极化试样表面铁电电畴的变化,并记录了相应的剩余极化强度.实验结果表明:疲劳试样的主要断裂模式为沿晶断裂;随疲劳次数的增加,每次疲劳后试样表面I(002)减小,I(200)增加;每次疲劳后在外加电场作用下试样表面I(002)增加幅度和I(200)减小幅度随疲劳次数的增加而减少.这些现象说明:可翻转电畴的减少是剩余极化强度降低的主要原因;非协调高畴变应变形成大量沿晶微裂纹并导致疲劳试样主要断裂模式为沿晶断裂 ...
CHEN Zhiwu +7 more
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Flexoelectric effect on the Electromechanical Coupling Response of Piezoelectric Nanobeam under the Different Boundary Conditions [PDF]
, 2017 挠曲电效应是材料极化强度（或电场强度）与应变梯度之间的耦合关系，对于新型微纳米传感器，致动器和俘能器的性能具有重要影响。本文以挠曲电压电材料为研究对象，采用压电线性理论，并在电Gibbs自由能密度函数中考虑应变梯度与电场之间的耦合作用，并通过变分原理获得材料的本构方程，控制方程和边界条件。采用伯努利-欧拉梁理论，分析获得挠曲电压电梁的控制方程和相应的力电边界条件，并对不同力电边界条件下的纳米梁结构进行理论和数值分析。 在压电悬臂梁基础上，对不同电学边界条件的挠曲电效应进行了讨论 ...
杨昌平
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Gaoya dianqi, 2019 特高压氧化锌避雷器是绝缘配合的基础,避雷器性能的好坏直接影响整个变电站运行的安全稳定。以1 000 kV变电站用氧化锌避雷器为例,采用Ansoft Maxwell有限元软件仿真计算其周围电场分布情况,尤其是距离地面2 m高度处,避雷器一侧水平方向上沿线场强大小;并分析避雷器发生损坏时,电场强度变化情况,以及考虑有无高压线、高压引线的长度、求解域大小及底座的高度对电场分布的影响。结果表明:各避雷器损坏情况下,最大场强均有所减小;去除高压线和缩小求解域避雷器周围最大场强增大;缩短高压引线的长度,距地面2 ...
杨雅倩 +4 more
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Gaoya dianqi, 2022 气体绝缘金属全封闭组合电器（gas insulated switchgear,GIS）在生产、运输、安装过程中，其内部可能存在缺陷引起局部场强畸变，从而导致绝缘介质范围内气体放电或击穿。为了研究GIS盆式绝缘子缺陷对其电场分布的影响，本文以252 kV GIS母线腔体为对象，结合三维制图软件SolidWorks和有限元分析软件Comsol建立了GIS的仿真计算模型。仿真分析了悬浮颗粒粒径、圆柱气隙缺陷高度、沿面裂纹长度对盆式绝缘子电场分布的影响。研究结果表明：当悬浮金属颗粒粒径1 mm≤D≤2 mm时 ...
王碧霞 +3 more
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Preliminary Exploration of Surface-Plasmon Gain Medium and the Resonance of TE-Polarized Light on Metal Grating Surface [PDF]
, 2015 表面等离激元（SurfacePlasmon，SP）是金属-介质界面处的自由电子在高频电磁波（如光波）耦合作用下集体谐振的一种电子密度波。它具有强烈的局域电磁场增强、突破衍射极限、亚波长局域化等一系列出色的特点，引起了研究者对它的高度关注。但是由于金属本征吸收的存在和激发方式的限制，阻碍了了表面等离激元器件的发展。针对于此，本文主要对以下两个方面进行了一些探索和研究。 首先，我们通过溶胶凝胶方法探索制备掺铒二氧化硅薄膜的工艺，以期将其作为补偿等离激元器件损耗的一种增益材料。针对加入不同量比的异丙醇（IPA）
陈炜
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Dianci bileiqi, 2016 为研究复合绝缘子伞裙破损对电场强度和电位分布的影响,以FXBW4-10/70型绝缘子为研究对象,应用有限元ANSYS软件分别建立了不同破损程度、不同破损位置的三维仿真模型,使用静电场分析法计算了相应沿面和干弧路径上的电位和电场强度。结果表明:低压型绝缘子电位分布相对均衡,且受长短伞裙影响呈阶梯状下降趋势;沿面路径上的最大场强出现在导线端伞裙尖端处;在伞裙与柱体的交界处,会发生场强的局部增加,靠近高压端的伞裙下表面的场强畸变最大;在分析不同破损程度时,沿面最大场强并不随着破损程度增加而增加 ...
祝贺, 赵浩然
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, 2010 在LDMOS功率器件设计中可以引入STI工艺替代LOCOS工艺来进一步抑制表面电荷效应,以提高LDOMS功率器件的耐压强度及降低比导通电阻。本文将介绍STI工艺的优势和LDMOS器件设计原理,并在TSMC 0.6μm BCD工艺为基础上增加STI工艺流程来设计一款适用于汽车电子应用的40V LDMOS器件。通过ATHENA(工艺模拟)和ATLAS(器件仿真)仿真实验与器件参数提取,表明采用STI工艺的LDMOS器件比采用LOCOS工艺的LDMOS器件在耐压漂移区长度比方面提高了23.40 ...
周杰, 郭东辉, 陈利
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