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Dianci bileiqi, 2018 飞机遭受雷击时,对飞机控制系统、发动机系统和电子设备造成损坏,影响飞行安全,因此,基于CST电磁仿真软件以及探针设置方法,仿真了飞机遭受雷击的过程。通过机身表面电流密度的数值仿真;通过机身电磁场的瞬态分析,指出了机身不同位置电场的强度和变化规律,在一定时域内,机身所产生出的表面电场强度表现为中心大外围小,内部电场强度表现为机身主身小特点。雷击数值仿真和瞬态分析可以有效指导飞机的雷击防护措施。
聂茹
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Gaoya dianqi, 2012 超、特高压输电迅速发展,并逐渐成为跨区域、跨省的骨架电网,走廊的电磁辐射问题成为关注的热点之一。针对某500 kV单回路输电线路,首先采用模拟电荷法分析走廊沿线电场强度的空间分布特性,并基于多元敏感度分析给出线路参数对走廊附近电场分布特性的影响程度。其次,针对电场强度分布不均和部分区域场强明显超标的问题,同样基于敏感度分析了接地屏蔽导线线径、架设位置对其屏蔽效能的影响,并给出了接地屏蔽线的最佳线径和架设位置。
王礼 +5 more
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Gaoya dianqi, 2006 应用ANSYS软件分析计算了支柱式12kV户外真空断路器真空灭弧室外表面的电场强度,得出在不同填充材料、气泡和不同外绝缘材料时的电场强度及分布曲线;分析得出不同条件对真空灭弧室外表面电场强度的影响,用以提高户外真空断路器灭弧室外表面的绝缘性能。
徐建源, 任春为, 王博
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Gaoya dianqi, 2015 文中设计两套换流变压器直流出线装置,这两套出线装置的绝缘结构所用绝缘纸筒厚度相同,油隙大小不同。为验证两种结构的绝缘强度,文中利用Elec Net电场计算软件,对这两种设计方案进行电场强度及耐受电压计算。通过计算结果分析,小油隙结构的电场强度低于大油隙结构,因此出线装置绝缘结构采用小油隙结构较好。
肖淦
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Gongye shui chuli, 2016 介绍了油水混合液在电磁场下的分离过程原理,建立了电磁场油水分离物理及数学模型,并进行了油水分离特性模拟研究,重点研究磁场强度、电流密度、入口流速、油滴粒径等关键因素对油水分离过程和流动特性的影响。结果表明:其他条件不变时,随磁场强度或电流密度的增大,分离效果增强,且存在一个临界电磁力值,只有当实际电磁力大于临界电磁力时,才能实现预期的分离效果;随入口流速的增大,油水混合流在电磁场中的分离作用时间减少,分离效果减弱;随油滴粒径的增大,分散油相受到的浮力增大,分离效果增强。
蒋文明 +5 more
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四川大学学报. 自然科学版, 2009 利用多种方法在不同基组水平下,对 TiO 基态分子的几何构型进行优化.通过对比选用密度泛函(DFT)B3LYP/6-311+G 方法研究在强外电场(—0.02 a.u.～+0.02 a.u.)作用下的 TiO 分子的基态键长、总能量、HOMO 能级、LUMO 能级、能隙及势能曲线的变化规律.结果表明:在一定外加电场范围内,随电场强度的增大,分子键长变小;总能量升高;HOMO 能级、LUMO 能级均依赖外加电场方向,随电场的增大而降低;能隙不依赖于电场方向,随电场强度的增大而减小;势能曲线在外电场中有 ...
闫安英, 宋晓书
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Gaoya dianqi温度是影响气体绝缘金属封闭组合电器（GIS）中典型绝缘缺陷形成与发展的重要因素之一。为探究温度因素对盆式绝缘子缺陷电场分布的影响，文中利用有限元软件建立了252 kV GIS电—热—流多物理场耦合模型，得到了不同导体温度下、处于不同位置的气泡、裂纹及悬浮金属微粒缺陷下绝缘子表面的电场分布，并通过表面电荷分布与计算气体临界击穿场强进一步分析电场变化规律。结果表明：导体温度升高，3种缺陷下的绝缘子表面最大场强都随之增大，裂纹缺陷下增幅最大，悬浮金属微粒下最小。温度变化对电场的影响与绝缘缺陷类型、位置有关 ...
顾媛丽 +5 more
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Dianci bileiqi, 2013 ZnO压敏陶瓷击穿场强E1mA由晶粒尺寸和单个晶界击穿电压两个因素共同决定,沿用之前提出的微观结构模型,在晶粒尺寸一定,晶界电压服从正态分布;晶界电压一定,晶粒尺寸服从正态分布;和晶粒尺寸、晶界电压都服从正态分布三种条件下,用Matlab分别模拟击穿场强随厚度的变化关系,结果表明ZnO压敏陶瓷击穿场强的几何效应主要来自晶粒尺寸和分布的影响。在此基础上,对初始厚度不同的试样进行击穿场强与厚度的关系模拟,从结果可以看到,无论是高击穿场强还是低击穿场强的试样,都存在几何效应。
鲍婕, 王政留, 李盛涛
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[Research progress on the acquisition technology of magnetocardiography]. [PDF]
Sheng Wu Yi Xue Gong Cheng Xue Za ZhiKang B +5 more
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[Progress in electric field assisted molecular imprinting technology]. [PDF]
Se PuWu JY, Huang XJ.
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