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基于有限元方法的35 kV干式空心并联电抗器匝间电场分布研究
Gaoya dianqi, 2018 深入开展35 k V干式空心电抗器匝间电场分布研究,对35 k V干式空心电抗器匝间放电故障分析和提高35 k V干式空心电抗器的可靠运行具有重要意义。为此,文中基于有限元仿真计算开展了35 k V干式空心电抗器匝间电场分布研究。研究结果表明:35 k V干式空心电抗器外层支路匝间电场强度大于内层支路的匝间电场强度,且由于35 k V干式空心电抗器电磁场分布的特殊性导致了每层支路中端部的匝间电场强度小于中间部分的匝间电场强度;10 k Hz下的匝间电压比与50 Hz下的匝间电压比近似相同。
彭庆军 +6 more
doaj
Poly-Ge film with high quality fabricated by metal induced crystallization [PDF]
, 2015 Ge材料在光电子以及微电子领域有重要的应用。a-Ge晶化的方法可以将廉价的a-Ge转化为高质量的多晶Ge甚至单晶Ge，因而受到人们重视。然而传统a-Ge晶化的制备方法面临一些挑战，如晶化温度过高，形成的晶向不能高度单一化，形成的晶粒尺寸大小不能满足应用需求等，而金属诱导晶化的方法可以在低温下制得高质量的Ge薄膜，是人们近几十年中研究的一个热点。 本文采用金属诱导晶化的方法在石英衬底上制备出了高质量的多晶Ge薄膜，并围绕两个方面展开研究：一是a-Ge的有序度对a-Ge金属诱导晶化的影响 ...
王鹏
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Gaoya dianqi, 2023 气固界面电场畸变是诱发绝缘子沿面放电和降低其沿面耐电性能的重要原因，研究直流GIL绝缘子沿面电场分布调控对于提升绝缘子运行的可靠性具有重要意义。直流电压下，绝缘子沿面电场分布由其电导率分布所决定，合理地优化绝缘子表层电导率分布可以达到调控气固界面电场分布的目的。文中利用高电导涂层方法改变绝缘子表层电导率，类比现有的体介电常数优化算法，以沿面电场均匀度为优化目标，开发了表层电导率迭代优化算法，研究了迭代优化次数、涂层层数和厚度对优化后涂层电导率分布和涂层绝缘子沿面电场分布的影响。迭代优化后结果表明 ...
李宾宾 +5 more
doaj
Gaoya dianqi, 2007 针对一种中压真空灭弧室模型,研究开距变化时触头有效面积对击穿电场强度的影响。通过电场仿真计算得到了开距对触头间隙内有效面积的影响;通过冲击耐压试验得到了开距与击穿电场强度之间的关系。在此基础上发现在不同的开距范围内,触头间隙内的有效面积对击穿电场强度的影响不同:在开距1～2 mm范围内击穿电场强度Ebd随着触头有效面积Se的增大而增加;在开距2～6 mm范围内击穿电场强度Ebd随着触头有效面积Se的增大而减小。
程少勇 +3 more
doaj
界面电荷注入与积聚行为对直流GIS/GIL绝缘子沿面电场的影响分析
Gaoya dianqi, 2021 气体绝缘组合电器(gas insulated switchgear,GIS)和气体绝缘金属封闭输电线路(gas insulated metalenclosed transmission line,GIL)运行电流大,设备内部存在明显的温度梯度分布,造成高压电极附近电荷的注入与迁移加剧,导致绝缘子内空间及表面电荷的积聚,畸变电场,容易诱发沿面闪络故障。为此文中建立了电—热耦合应力下直流盆式绝缘子内的电荷注入与积聚模型,研究了考虑电荷注入和迁移特性的绝缘子空间电荷及表面电荷积聚情况 ...
胡琦 +4 more
doaj
Evolution of Domain Structures of Epitaxial Ferroelectric Film under Different Electrical Boundary Conditions [PDF]
, 2015 本文采用基于金茨堡—朗道—德文希尔唯象理论的相场法，研究二维铁电薄膜畴结构的演化，并采用有限差分方法数值求解相场方程。首次提出了中间电学边界条件及其两类参数，并研究三种电学边界条件（中间电学边界条件、开路电学边界条件及短路电学边界条件）下铁电薄膜的畴结构及铁电性能。 结果显示，开路电学边界条件和短路电学边界条件下，薄膜畴结构有明显的尺寸效应。开路电学边界条件下，薄膜厚度较小时出现水平单畴结构；在临界厚度14nm处发生了水平单畴结构向多漩涡畴结构的转变；随厚度进一步增加，为了降低去极化电场能 ...
吴登阳
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Gaoya dianqi, 2011 通过分析对比4种不同布置方式典型110 kV变电站站界电磁环境检测数据,得出目前110 kV变电站周围的工频电场强度和磁感应强度均远小于国家推荐的标准限值,即工频电场强度4 kV/m和工频磁感应强度0.1 mT。此外,变电站的构筑物对变电站工频电场的屏蔽效果显著,这给未来城市变电站的规划设计提供了有益参考。
陈震平, 林凌
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Study on Modification of Wave Absorbing Ability of Silicon Carbide [PDF]
, 2015 碳化硅具有化学性质稳定、耐高温、耐化学腐蚀、强度高、导热系数高、热膨胀系数小的特点，不仅仅被广泛应用在功能陶瓷、高级耐火材料、磨料及冶金原料等民用领域，还应用于航空航天领域，用作发动机的热端部件。但是，有机先驱体转化法制备的SiC陶瓷电阻率高，对电磁波吸收效率不高。然而，对SiC进行电磁性能改性是该材料具有雷达隐身性能的基础。因此将铁、钴和碳等引入到碳化硅中，提高其介电损耗和磁损耗，进而提高其吸波性能，对发展功能化SiC陶瓷具有重要的意义。 本文选取易石墨化、碳化产率高且价格便宜中间相沥青作为碳源 ...
丁绍楠
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, 2003 铁电薄膜在交变电场下发生电疲劳现象是影响其商业应用的主要障碍,也是目前国内外研究的热点。本文从铁电薄膜电疲劳的影响因素 ...
张颖, 程璇, 陈志武
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