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针对铁电试样电畴随机分布的情况,提出了多电畴力学模型.模型中极化后的铁电试样由许多靠近极化电场方向的随机分布的电畴所组成.每个电畴看作是一个单元,每个单元的翻转驱动力计算公式中的应力和电场强度采用宏观应力和电场强度,利用标定的电畴翻转驱动力与电畴翻转体积分数之间的强化关系,计算出每个单元的电畴翻转体积分数,将外加应力和电场强度和求得的电畴翻转体积分数代入本构方程就可以求得各个单元的应变和电位移,对所有单元进行体积平均得到铁电试样的宏观本构响应.同时也对铁电试样的非线性本构行为进行了有限元模拟 ...
刘峰, 李海军, 王自强
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某典型GIS复合套管进行局部放电试验时,上均压环表面与接地屏蔽端口处伞裙表面伴有明显的电晕现象,局部放电量超标。为了研究套管尺寸参数对局部放电的影响并且提出套管尺寸的改进方案,本研究首先对套管进行建模,通过Ansys仿真得到了均压环表面和伞裙表面的电场分布,分析了均压环环径、管径对均压环表面电场强度的影响;接地屏蔽端部直径和套管内径对伞裙表面电场强度的影响。结果表明,均压环环径对均压环表面电场强度影响较小,管径对均压环表面电场强度影响较大;接地屏蔽端部直径减小、套管内径增加,伞裙表面电场强度呈减小趋势 ...
刁晓禹, 周腊吾, 杨伟
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飞机遭受雷击时,对飞机控制系统、发动机系统和电子设备造成损坏,影响飞行安全,因此,基于CST电磁仿真软件以及探针设置方法,仿真了飞机遭受雷击的过程。通过机身表面电流密度的数值仿真;通过机身电磁场的瞬态分析,指出了机身不同位置电场的强度和变化规律,在一定时域内,机身所产生出的表面电场强度表现为中心大外围小,内部电场强度表现为机身主身小特点。雷击数值仿真和瞬态分析可以有效指导飞机的雷击防护措施。
聂茹
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原则上,激光腔中相干光的强度应由往返光束按场强叠加计算。本文比较按场强叠加和通常按光强叠加的计算,指出:腔中各处的饱和增益和光强确有可观的偏差 ...
吴中祥
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文中设计两套换流变压器直流出线装置,这两套出线装置的绝缘结构所用绝缘纸筒厚度相同,油隙大小不同。为验证两种结构的绝缘强度,文中利用Elec Net电场计算软件,对这两种设计方案进行电场强度及耐受电压计算。通过计算结果分析,小油隙结构的电场强度低于大油隙结构,因此出线装置绝缘结构采用小油隙结构较好。
肖淦
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超、特高压输电迅速发展,并逐渐成为跨区域、跨省的骨架电网,走廊的电磁辐射问题成为关注的热点之一。针对某500 kV单回路输电线路,首先采用模拟电荷法分析走廊沿线电场强度的空间分布特性,并基于多元敏感度分析给出线路参数对走廊附近电场分布特性的影响程度。其次,针对电场强度分布不均和部分区域场强明显超标的问题,同样基于敏感度分析了接地屏蔽导线线径、架设位置对其屏蔽效能的影响,并给出了接地屏蔽线的最佳线径和架设位置。
王礼 +5 more
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利用多种方法在不同基组水平下,对 TiO 基态分子的几何构型进行优化.通过对比选用密度泛函(DFT)B3LYP/6-311+G 方法研究在强外电场(—0.02 a.u.~+0.02 a.u.)作用下的 TiO 分子的基态键长、总能量、HOMO 能级、LUMO 能级、能隙及势能曲线的变化规律.结果表明:在一定外加电场范围内,随电场强度的增大,分子键长变小;总能量升高;HOMO 能级、LUMO 能级均依赖外加电场方向,随电场的增大而降低;能隙不依赖于电场方向,随电场强度的增大而减小;势能曲线在外电场中有 ...
闫安英, 宋晓书
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本发明公开了一种基于双探针计算非均匀等离子体电场强度的方法,所述方法包括如下内容:双探针的两根金属电极包裹于非均匀等离子体射流内,改变串接在所述双探针上的扫描电压的大小,采集每个扫描电压下所述双探针内的电流,根据扫描电压和对应的电流拟合I‑V曲线,通过所述I‑V曲线得到超声速非均匀等离子体射流的电场强度。本发明拓展了传统双探针的使用范围,从非均匀等离子体的特性出发,可以直接获得等离子体电场强度,解决了现有技术中非均匀等离子体的测量计算方法中,由于非均匀等离子体自身的不稳定性 ...
黄河激 +6 more
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应用ANSYS软件分析计算了支柱式12kV户外真空断路器真空灭弧室外表面的电场强度,得出在不同填充材料、气泡和不同外绝缘材料时的电场强度及分布曲线;分析得出不同条件对真空灭弧室外表面电场强度的影响,用以提高户外真空断路器灭弧室外表面的绝缘性能。
徐建源, 任春为, 王博
doaj
[Noninvasive nanosecond transcranial pulsed electric fields: deep-penetrating, high-field stimulation for suppressing hippocampal amyloid-β and improving cognitive function in an Alzheimer's disease model]. [PDF]
Chen Y, Yao C, Yan F, Xiao P, Lu X.
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