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Gaoya dianqi, 2016 高速列车车顶高压设备易出现电晕放电甚至沿面闪络,而电场分布特性是影响放电的重要因素之一。笔者结合实际运行中的某高速列车车顶高压设备的设计方案,利用有限元方法仿真计算了其电场分布,得到并分析了车顶高压设备电场分布的规律及特点,并优化了部分场强过高的金具结构。结果表明,车顶高压设备电场分布无轴对称性且极不均匀,设备伞裙的最高场强位于伞裙与高压端金具连接的部位;部分金具表面场强超过起晕控制场强,可能引发电晕放电,经优化后的金具表面场强满足起晕控制场强的要求。
邓志祥, 彭宗仁, 尹桂来
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Modeling of the photoelectronic characteristics of a new 4H-SiC avalanche photodiode [PDF]
, 2015 紫外波段的光电探测器广泛应用于火箭发射、导弹跟踪、火焰探测、紫外通信以及紫外辐射测量等领域，具有很高的应用价值。采用4H-SiC半导体材料制备的紫外光电探测器具有低漏电流、高的量子效率、紫外可见抑制比高、抗辐射和耐高温等优点，是目前最具应用前景的紫外光电探测器。国内外多个课题组都对4H-SiC基紫外光电探测器进行了研究，成功制备出了多种结构的性能优越的4H-SiC紫外光电探测器，并在继续探索新结构的性能更优越的光电探测器。 本文基于传统的PIN结构和吸收-倍增-分离(SAM)结构的4H ...
钟金祥
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Dianci bileiqi, 2017 地闪回击产生的水平电场是架空输电线路产生雷电感应过电压的主要原因,目前国内很多学者对电磁场时间变化规律进行了分析,但是针对电磁场空间分布特征还没有过多的研究。采用了二维时域有限差分法（2D FDTD）,研究土壤电导率水平分层情况下地闪回击水平电场时空分布特征。结果表明:1)在均匀有耗大地情况下,水平电场分布从回击通道开始以光的传播速度沿近似半球面向远处传播时,随着时间的增加,水平电场的分布也相应增加。在近地面处,水平电场极性与周围其他空间处的水平电场相反,且随着传播距离的增大,该区域范围也在扩大 ...
毕睿华
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Dianci bileiqi, 2023 在总结特高压直流输电电场分析及均压环设计研究的基础上，通过模拟实际工况添加人工边界，将可控消能装置电场求解转化为在有界场域内的恒定电场问题，采用有限元分析中的直流传导场进行可控消能装置电场分布计算及均压环优化设计。对于导体与电介质电阻率差别太大导致的电位、场强发散问题，根据单元电阻的分压关系确定各电极电位，通过将不同介质的电导率同时增大相同的数量级加以解决。计算结果表明在可控消能装置未加装均压环时电场分布极不均匀。通过调整均压环的结构尺寸、安装间距、安装数量，以计算结果小于起晕场强为判据 ...
严伟 +5 more
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Study on the properties of FeCrCo-Ni-PZT ternary multilayer magnetoelectric composites [PDF]
, 2015 磁电复合材料由于具有良好的室温磁电性能而受到广泛的应用。在运用中通常需要给磁电复合材料施加一个偏置磁场以获得高的磁电性能。这对于磁电器件的小型化是不利的，从而限制了磁电复合材料的应用。最近一些研究提出的一种具有自偏置磁电性能的磁电复合材料，这为磁电器件小型化提供了可能。具有自偏置磁电性的复合材料能够在外加偏置场为0时就获得较高的磁电性能。本文以FeCrCo-Ni-PZT三元系多层磁电复合材料为研究对象，对自偏置进行观测，结合同步分析手段进行了分析，最后基于弹性力学对FeCrCo-Ni ...
邓数文
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Dianci bileiqi, 2019 建立了动车组车顶高压电器箱及其内部主要电气设备的三维有限元模型,考察了在标准雷电冲击电压下,高压箱内的整体电场分布随时间的变化规律。分析了箱内套管、支撑绝缘子表面和金属电极表面的电位及电场分布。结果表明,现有高压电器箱的设计结构存在不合理之处。箱内电极如断路器刀片、隔离开关表面电场集中,互感器金具表面电场强度越限,设备承受过电压时易发生电晕放电。对各电极表面电场畸变的原因进行分析,分别给出了改变电极形状、包裹绝缘护套等优化电场分布的合理建议。
张彦林 +4 more
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Study of L-band High Frequency Surface Acousitc Wave Sensors Based on E-Beam Lithography [PDF]
, 2015 谐振型声表面波传感器因具有体积小、测量精度高、易于无线无源化等特点，能够胜任封闭狭窄环境及高速转部件等复杂条件下的温度、压力、振动、湿度、应变等环境参数的测量。目前，谐振型声表面波传感器多工作在P波段，器件和天线的尺寸相对较大，灵敏度相对较低。为满足无线传感网络对传感器件微型化和无线无源化的需求，有必要对工作频段更高、特征尺寸为亚微米量级的谐振型声表面波传感器的设计和制造开展深入研究。 本文首先阐述了谐振型声表面波传感器的核心部件—声表面波谐振器(SAWR)的工作原理 ...
张鸿
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[Determination of nine organic amine compounds in CO2 absorption liquid by hydrophilic interaction liquid chromatography-electrostatic field orbitrap high resolution mass spectrometry]. [PDF]
Se Pu, 2023 Tang ZK +8 more
europepmc +1 more source
Growth of HfO2 thin film by Remote Plasma Atomic Layer Deposition and the properties of HfO2/Ge interface [PDF]
, 2016 随着器件等比例缩小难度和成本的不断增加，以Si作为沟道材料SiO2作为栅介质的传统CMOS发展接近物理极限，高K介质HfO2栅高迁移率Ge沟道MOSFET成为未来CMOS集成电路技术发展的潜在选择之一。然而metal/HfO2/Ge结构MOS器件存在界面态密度高、栅极漏电流大等问题，因此研究高质量HfO2薄膜生长技术和减少HfO2/Ge界面态是提高metal/HfO2/GeMOS器件性能的有效途径之一。 本文采用远程等离子体辅助原子层沉积法(RP-ALD)生长HfO2薄膜，优化了HfO2薄膜的生长（温度）
池晓伟
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Dianci bileiqi, 2017 仿真研究了污秽绝缘子在直击雷作用下的电磁场特性,绝缘子污秽情况分成全污染和部分污染两种,并分别分析了这两种情况下绝缘子电磁场的分布特征,并对绝缘子六个绝缘薄弱点进行了分析评估。研究发现这六个点的电场和磁场数值与复合绝缘子常见放电损伤有关,同时绝缘子的具体污秽条件对电场以及磁场的分布有较大影响,研究结果显示两种污秽条件下,同一电磁场测量点处电场数值差异可达65.15%,磁场数值差异可达10.9%。
李明浩, 张冬谊, 高参, 李杨
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