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Dianci bileiqi山区局域雷电定位系统探测精度会受到雷电电磁场传播路径中起伏地形的严重影响。本研究采用三维时域有限差分方法（Three-Dimensional Finite Difference Time Domain，3D FDTD）模拟雷电电磁信号在中远距离范围（20 km）内沿起伏地形传播，研究起伏地形特征对雷电电磁场波形的影响规律。结果表明：中远距离雷电电磁场受传播路径中间范围山体影响程度较小，靠近传播路径两端的山体对不同回击电场和磁场的影响规律不同。其中，继后回击电磁场受到的影响较为显著 ...
徐肖伟 +5 more
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Dianci bileiqi, 2023 在总结特高压直流输电电场分析及均压环设计研究的基础上，通过模拟实际工况添加人工边界，将可控消能装置电场求解转化为在有界场域内的恒定电场问题，采用有限元分析中的直流传导场进行可控消能装置电场分布计算及均压环优化设计。对于导体与电介质电阻率差别太大导致的电位、场强发散问题，根据单元电阻的分压关系确定各电极电位，通过将不同介质的电导率同时增大相同的数量级加以解决。计算结果表明在可控消能装置未加装均压环时电场分布极不均匀。通过调整均压环的结构尺寸、安装间距、安装数量，以计算结果小于起晕场强为判据 ...
严伟 +5 more
doaj
[Rapid determination of 13 β-blockers in health foods by ultra performance liquid chromatography-quadrupole/electrostatic field orbitrap mass spectrometry]. [PDF]
Se Pu, 2023 Li TH, Feng F, Shen YM, Zhang F.
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Study on the properties of FeCrCo-Ni-PZT ternary multilayer magnetoelectric composites [PDF]
, 2015 磁电复合材料由于具有良好的室温磁电性能而受到广泛的应用。在运用中通常需要给磁电复合材料施加一个偏置磁场以获得高的磁电性能。这对于磁电器件的小型化是不利的，从而限制了磁电复合材料的应用。最近一些研究提出的一种具有自偏置磁电性能的磁电复合材料，这为磁电器件小型化提供了可能。具有自偏置磁电性的复合材料能够在外加偏置场为0时就获得较高的磁电性能。本文以FeCrCo-Ni-PZT三元系多层磁电复合材料为研究对象，对自偏置进行观测，结合同步分析手段进行了分析，最后基于弹性力学对FeCrCo-Ni ...
邓数文
core
Dianci bileiqi, 2019 建立了动车组车顶高压电器箱及其内部主要电气设备的三维有限元模型,考察了在标准雷电冲击电压下,高压箱内的整体电场分布随时间的变化规律。分析了箱内套管、支撑绝缘子表面和金属电极表面的电位及电场分布。结果表明,现有高压电器箱的设计结构存在不合理之处。箱内电极如断路器刀片、隔离开关表面电场集中,互感器金具表面电场强度越限,设备承受过电压时易发生电晕放电。对各电极表面电场畸变的原因进行分析,分别给出了改变电极形状、包裹绝缘护套等优化电场分布的合理建议。
张彦林 +4 more
doaj
Modeling of the photoelectronic characteristics of a new 4H-SiC avalanche photodiode [PDF]
, 2015 紫外波段的光电探测器广泛应用于火箭发射、导弹跟踪、火焰探测、紫外通信以及紫外辐射测量等领域，具有很高的应用价值。采用4H-SiC半导体材料制备的紫外光电探测器具有低漏电流、高的量子效率、紫外可见抑制比高、抗辐射和耐高温等优点，是目前最具应用前景的紫外光电探测器。国内外多个课题组都对4H-SiC基紫外光电探测器进行了研究，成功制备出了多种结构的性能优越的4H-SiC紫外光电探测器，并在继续探索新结构的性能更优越的光电探测器。 本文基于传统的PIN结构和吸收-倍增-分离(SAM)结构的4H ...
钟金祥
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[Determination of nine organic amine compounds in CO2 absorption liquid by hydrophilic interaction liquid chromatography-electrostatic field orbitrap high resolution mass spectrometry]. [PDF]
Se Pu, 2023 Tang ZK +8 more
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Study of L-band High Frequency Surface Acousitc Wave Sensors Based on E-Beam Lithography [PDF]
, 2015 谐振型声表面波传感器因具有体积小、测量精度高、易于无线无源化等特点，能够胜任封闭狭窄环境及高速转部件等复杂条件下的温度、压力、振动、湿度、应变等环境参数的测量。目前，谐振型声表面波传感器多工作在P波段，器件和天线的尺寸相对较大，灵敏度相对较低。为满足无线传感网络对传感器件微型化和无线无源化的需求，有必要对工作频段更高、特征尺寸为亚微米量级的谐振型声表面波传感器的设计和制造开展深入研究。 本文首先阐述了谐振型声表面波传感器的核心部件—声表面波谐振器(SAWR)的工作原理 ...
张鸿
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Gaoya dianqi, 2008 在高电压作用下,由复合绝缘介质构成的沿面绝缘结构的耐电强度远低于其绝缘材料自身的击穿场强,这一现象与其电场的分布特点密切相关。笔者针对真空中平行平板、平面和棒-板电极系统等多种典型沿面绝缘结构的电场分布进行了仿真计算,探讨了电极-介质结合处的间隙、圆台形绝缘子的圆锥角角度、平面电极的高度以及绝缘子介电常数等因素对电场分布的影响。仿真结果表明,接触间隙的存在导致局部电场的加强和电场方向的变化,间隙宽度越大、高度越小,间隙处电场畸变越大;圆锥角越大,绝缘子的介电常数越大,场强畸变也越大 ...
马奎 +4 more
doaj
Growth of HfO2 thin film by Remote Plasma Atomic Layer Deposition and the properties of HfO2/Ge interface [PDF]
, 2016 随着器件等比例缩小难度和成本的不断增加，以Si作为沟道材料SiO2作为栅介质的传统CMOS发展接近物理极限，高K介质HfO2栅高迁移率Ge沟道MOSFET成为未来CMOS集成电路技术发展的潜在选择之一。然而metal/HfO2/Ge结构MOS器件存在界面态密度高、栅极漏电流大等问题，因此研究高质量HfO2薄膜生长技术和减少HfO2/Ge界面态是提高metal/HfO2/GeMOS器件性能的有效途径之一。 本文采用远程等离子体辅助原子层沉积法(RP-ALD)生长HfO2薄膜，优化了HfO2薄膜的生长（温度）
池晓伟
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