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Guangtongxin yanjiu, 1976 <正> 一、什么是燃料电池?有何优点和用途? 化学电源的种类很多,分类方法也很多。目前常用的分类方法是把它们分为四类: （1）原电池即一次电池:电池的活性物质（起化学反应而产生电能的物质,在正极为氧化剂,在负极为还原剂）装在电池内部。当活性物质消耗完后 ...
doaj
Dianci bileiqi, 1997 给出了化学共沉淀法制备ZnO压敏电阻粉料的原则工艺流程；对用化学法粉料制作的压敏电阻作了初步电性能检测，在进行8／20μs雷电冲击时发现其单位体积可承受较大的冲击能量，并具有小的U1mA变化率。
费自豪 +4 more
doaj
Preparation and Properties of CaCu3Ti4O12 Ceramics with Giant Permittivity and Low Dielectric Loss via Tape Casting [PDF]
, 2014 本论文在固相反应法的基础上结合流延成型制备CaCu3Ti4O12（简称CCTO）陶瓷薄片，研究两步法烧结和Cu不同化学计量比对流延成型CCTO陶瓷致密度、微观结构和电学性能等方面影响；同时对CCTO陶瓷介电机理的表面效应进行初步探讨；成功制备多层CCTO陶瓷基双功能元件，并与铝电解电容器和超级电容器进行性能和充放电特性对比试验。 首先，采用两步法烧结流延成型CCTO陶瓷薄片。第二步保温时间和第二步烧结温度对流延成型CCTO陶瓷的性能都有较大的影响。随着第二步保温时间的延长和第二步烧结温度的升高 ...
李伟
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Dianci bileiqi, 2004 综述了近年来国内外在提高氧化锌电阻片通流能力方面的研究进展。认为影响氧化锌电阻片通流能力的关键因素是电阻片微观结构不均匀性导致电流分布的不均匀性。通过采用湿式化学粉料制备法来提高粉料的均匀性是提高电阻片通流能力的有效途径。而改善粉料的均匀性,从根本上讲是改善添加剂在粉料中的分散均匀性。因此,添加剂在粉料中应尽可能地细化和均匀。
迟屹君 +7 more
doaj
Research on the fabrication and performance of the key materials of silicon-based quantum dot heterojunction solar cells [PDF]
, 2017 传统化石能源的存储量逐渐减少，其消耗所产生的环境污染日趋严重，发展能源的新形式成了世界各国能源发展的一致共识。在各种新能源中，太阳能发电技术在革新着能源的构成。 本论文重点是研究一种新型硅基量子点异质结太阳能电池的关键材料制备及性能研究，这种电池的结构是采用P型单晶硅作为衬底，在其上生长纳米晶体硅薄膜作为本征层，N型镶嵌有硅量子点的非晶碳化硅薄膜作为窗口层，然后使用氧化锌纳米棒阵列作为太阳能电池的减反射层。 为了制备出所设计的太阳能电池，本论文进行了如下的实验研究： 1 ...
渠亚洲
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Dianci bileiqi, 2005 综述了近年来添加剂对氧化锌电阻片电学性能影响方面的研究进展,分析了不同添加剂对氧化锌电阻片电学性能的影响机理。通过比较发现,纳米添加剂可以降低高温烧成时的烧成温度,进而抑制晶粒长大,改善烧成均匀性,氧化锌晶粒平均尺寸可控制在1μm左右,泄漏电流2μA,通流容量可达250J/cm3。指出纳米添加剂进一步在氧化锌电阻片生产中的应用是今后研究的方向。
马书蕊 +4 more
doaj
Preparation, Characterization and Properties Study of Mo Electrode for Flexible CIGS Thin Film Solar Cell Application [PDF]
, 2013 本文系统研究了铜铟镓硒（CIGS）薄膜太阳能电池背接触钼电极在柔性基底上的制备。主要探究了Mo薄膜电极在柔性PI（聚酰亚胺）基底上直流磁控溅射方法和柔性不锈钢基底上化学涂膜方法的制备工艺，并与两种方法在玻璃基底上制备的Mo薄膜电极进行比较研究，对制备的Mo薄膜电极使用X射线衍射分析（XRD）、扫描电子显微镜分析（SEM）、电阻率、粘附性等测试手段，系统分析了不同实验条件对薄膜制备的影响，讨论了薄膜结构和性能的内在关联，然后优化了两种方法在柔性基底上Mo薄膜电极的制备工艺。 其中 ...
李超
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Growth and properties of ultra-thin Ge oxide and thermal annealing effect on HfO2/GeO2/Ge MOS structures [PDF]
, 2012 随着硅集成电路特征尺寸接近其物理极限，具有高迁移，且与硅工艺兼容性好的Ge成为下一代高性能集成电路的候选材料之一。然而由于Ge表面本征氧化层稳定性差，采用高介电常数（高k）介质栅往往会在界面引入高的界面态密度，成为影响器件性能的重要因素之一。研究表明超薄氧化锗可以有效降低高k介质与Ge界面处的界面态密度和界面散射，提高沟道载流子迁移率和器件性能。因此，制备超薄氧化锗并研究其在器件中的界面钝化效果对实现高性能Ge-MOSFET器件具有重要意义。 本文研究了氧化锗对高k介质GeMOS结构界面钝化机理 ...
路长宝
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Study on Ohmic Contact of AZO/N--+-Si [PDF]
, 2011 文章介绍了AzO/n+-SI欧姆接触特性的研究和AzO/n+-SI欧姆接触的制备新方法。实验发现AzO/n+-SI的退火温度和时间对其欧姆接触特性有很大的影响,在最优的退火温度和时间条件下,测得最小比接触电阻为7.32x10-4Ω.CM2。它满足多晶硅太阳能电池的要求,可用于高效率硅太阳能电池透明电极的制备。The fabrication method and electrical characteristics of AZO/N+-Si(polycrystalline silicon) contact
杨倩, 陈朝
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Investigation of transparent Al-doped ZnO films for high performance GaN-based light emitting diodes [PDF]
, 2008 多晶的或无定形的透明导电氧化物(Transparentconductingoxides，简称TCOs)，由于其独特的光学和电学性能，成为近年来研究的热点。其中，铝掺杂氧化锌（Al-dopedZnO,简称AZO）因具有低电阻率和高可见光区透过率，成为主要的透明导电氧化物材料之一，加上其原材料丰富，价格低廉且无污染，在光电器件领域有望替代ITO成为最理想的透明导电材料。本文采用射频磁控溅射技术首次在室温下，以ZnO:Al2O3(98：2wt%)为靶材，在石英玻璃衬底上制备多晶AZO透明导电薄膜 ...
杨伟锋
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