Results 31 to 40 of about 13,698 (193)
Study on the Growth and Thermal Transport of Copper-CVD Graphene [PDF]
, 2015 随着电子器件微型化进程的不断加快，主流计算机芯片的制程已经步入纳米级，由此带来的功耗增加和散热问题，已经成为芯片制造上无法回避的难题。为了解决芯片集成度越来越高，而散热空间却严重不足的窘境，芯片制造商不仅要进一步优化制造工艺，也对具有良好导热性能的纳米材料有着迫切的需求。而石墨烯作为一种真正意义上的二维材料，同时具备优异的电学性能和超高的热导率，使得人们对其作为一层高导热材料应用到微纳米电子器件中充满了期待。但是，在实际应用过程中，石墨烯的热导率不可避免地受到诸如应力、缺陷、褶皱、杂质原子 ...
李弘扬
core
Rare Metals, EarlyView.ABSTRACT The polyanionic compound Na3V2(PO4)3 (NVP) has emerged as a competitive cathode material for sodium‐ion batteries (SIBs), owing to its high‐voltage redox activity (3.4 V vs. the Na+/Na reference couple) and NASICON‐type framework that enables superior ionic conductivity.
Xiaolei Wu +5 more
wiley +1 more source
Fushe yanjiu yu fushe gongyi xuebao环氧树脂因耐腐蚀性强、耐热性好、力学强度高及电绝缘性能优异等优点，被广泛应用于核工业、高能加速器以及深太空探索领域。而这些应用环境中的电离辐射将破坏环氧树脂的三维网状结构，严重影响服役性能，这对其可靠性评估提出严峻地考验，因此，阐明辐射损伤行为成为必然需求。本文综述了近些年来关于环氧树脂辐射损伤的研究进展，重点分析了不同辐照条件下的交联和裂解反应对环氧树脂化学结构及性能（力学性能、热稳定性、导热性能、电气性能等）的影响。最后，结合目前环氧树脂辐射损伤研究方面存在的不足，展望了未来需要着重关注的研究方向。
孙 安苇, 杨 佳, 刘 艺, 高 志鹏
doaj +1 more source
Dianci bileiqi, 2021 研究了不同NiO含量对ZnO基压敏电阻微观结构、相组成电学性能的影响。结果表明,掺杂合适含量的NiO能够有效的改善ZnO基压敏电阻的电气性能,这可被归因为NiO的掺杂能够调整ZnO的晶粒取向,从而使ZnO压敏陶瓷形成了更加均一的显微结构。CE5样品（NiO摩尔分数为1.55%）具有优秀的综合电气性能,其电位梯度为184.00 V/mm,非线性系数α为72.7,漏电流为0.45μA,在20 kA和30 kA下的压比分别为2.20和2.38。此外,在20组20 kA及2组30 kA脉冲浪涌电流冲击后 ...
王曼玉 +9 more
doaj
Synthesis of graphene by PECVD and research on the performance of graphene-based Li-ion batteries [PDF]
, 2016 石墨烯是由碳六元环形成的二维蜂窝状晶格结构，只有一个碳原子的厚度，是第一种真正意义上的二维材料。由于这种特殊的结构，石墨烯拥有一些优异的物理和化学性能，如优异的力学性能、较好的柔韧性、良好的导电性能、很高的电子迁移率、较大的杨氏模量。这使得石墨烯在纳米电子器件、超级计算机、太阳能电池、透明电极等的应用方面具有很高的应用价值。但是所有这一切的前提是需要大规模制备出高质量的石墨烯。目前，石墨烯制备方法已有很多，但是要想实现石墨烯的产业化，就必须针对不同的应用实现石墨烯的大规模、高质量、可调控生长 ...
吴洁阳
core
MXene‐Based Electromagnetic Attenuation Materials in Microwave and Terahertz Bands
Rare Metals, EarlyView.ABSTRACT MXenes exhibit considerable potential for developing high‐performance electromagnetic (EM) shielding and absorption materials operating across microwave and terahertz frequencies, due to their tunable surface chemistry and exceptional charge carrier transport properties.
Guozheng Zhang +9 more
wiley +1 more source
Investigation of oxygen precipitates and copper complex in Czochralski silicon [PDF]
, 2015 用直拉法生长的单晶硅中，氧是最常见的杂质，硅材料制备过程使用的内吸杂工艺则是以氧沉淀及其诱生缺陷为基础。铜作为最常见的过渡族金属玷污之一，其沉淀及复合体将会较大程度地影响硅材料的性能。因此，研究氧沉淀和铜沉淀及其复合体在直拉硅单晶中的行为，除了具有重要的理论意义外，在实际生产中也可以提高硅器件的性能。本论文利用光学显微镜，傅立叶红外光谱仪及荧光光谱仪对不同热处理方式下硅中氧和铜的行为进行研究，得出的主要结论如下： （1）研究了线性升温（Ramping）的起始温度和升温速率对硅单晶中氧沉淀行为的影响 ...
谢婷婷
core
Giant Tunability of Individual Magnetic Skyrmion Size via an Oscillating Local Magnetic Field
Rare Metals, EarlyView.ABSTRACT Magnetic skyrmions hold great promise as memory and computing elements in future spintronic devices. Despite the demonstration of various devices, techniques for addressable and high‐precision manipulation of individual skyrmions remain scarce.
Cai‐Hong Xie +13 more
wiley +1 more source
Research on Ge n+/p shallow junction and SOI-based Ge waveguide photodetector [PDF]
, 2015 Ge由于其在光纤通信波段（1.3~1.55µm）有较大的吸收系数，比Si具有更高的电子和空穴迁移率，与标准CMOS工艺兼容性好等优点，被广泛应用于Si基光电集成和微电子等领域。本文针对Ge器件制备过程中遇到的n型杂质掺杂难度大、金属与n-Ge接接触费米钉扎效应严重等问题，提出低温预退火与脉冲激光退火相结合的方法获得高掺杂浓度n型Ge以及高性能Gen+/p浅结，开展了SOI基Ge波导探测器的结构设计以及研制工作，论文的主要工作内容和创新点如下： 1 ...
王尘
core
Rare Metals, EarlyView.ABSTRACT Organic‐inorganic metal halide perovskite solar cells (PSCs) are promising for photovoltaics due to their excellent optoelectronic properties. However, achieving high efficiency and stability remains challenging, mainly due to defects and energy losses at the electron transport layer (ETL)/perovskite interface.
Jiahui Jin +8 more
wiley +1 more source