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, 2014 本发明公开了一种提高全钒液流电池运行效率的方法，包括以下步骤：（1）将正极电解液以400-1000L/h的流速在所述电池正极和所述正极电解液储罐之间循环，将负极电解液以400-1000L/h的流速在所述电池负极和所述负极电解液储罐之间循环；（2）在操作温度为10-35℃，使所述正、负极电解液在电流密度为40-80mA/cm2、电压为0.8-1.65V下发生氧化或还原反应，完成全钒液流电池的充放电循环。上述提高全钒液流电池运行效率的方法使得全钒液流电池可长时间、高效、安全的运行，其库仑效率可达到92 ...
苏伟 +5 more
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Dianci bileiqi, 2000 提出氧化锌阀片的漏电流与其化工材料的电导率大小有关,在阀片的配方、工艺固定的情况下,组成材料的电导率高,所烧成的阀片的漏电流也相应增加,反之亦然。因此,在选购化工材料时,把控制材料的电导率应作为一项重要指标。
荆久长, 张长军, 张金秀, 田政
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Gaoya dianqi, 2016 在常规的固态缓慢积污与高导电性的液态污秽快速积污两种基本积污形式之外,在内陆地区,由于人类活动（例如秸秆焚烧、燃放爆竹等）或自然因素（山火、酸雨等）引起的高电导率、高湿度的天气条件,在固体积污的基础上叠加快速积污过程,更容易造成污闪。文中通过对XP-70型号的瓷绝缘子进行人工污秽试验,研究闪络电压与雾电导率之间的关系,指出高电导率雾对污闪发展过程具有促进作用,并对比清洁雾条件下的污层受潮过程,系统地研究在污层等值盐密相同时,高电导率雾条件下闪络电压的变化特征,建立了雾电导率与等值盐密之间的等效关系 ...
王铭民 +4 more
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, 2010 理论模拟研究了硅基绝缘(SOI)的slot波导中槽内限制功率与slot波导的结构参数以及包覆层折射率的关系.结果表明,如果包覆层的折射率偏离衬底SiO2的折射率,相同参数下的slot波导的传输损耗大于包覆层为SiO2的结构的传输损耗.分析表明,如果包层与衬底折射率不同,限制的光功率会从slot缝隙中渗透到折射率较高的衬底或者包层中,从而引起能量的损耗.理论模拟得到了在缝隙宽度为0.12μm的情况下, slot波导槽内最大的光功率限制为28.54 ...
胡雄伟, 安俊明, 宋世娇
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Gaoya dianqi, 2014 绝缘子污闪造成的事故严重威胁着电力系统的安全运行。在实际运行的线路中,由于周围环境污染,积污绝缘子表面在自然雾中受潮,绝缘性能下降,易引发污闪事故。在表征绝缘子污秽度的特征量中污层电导率是一个非常好的参量,研究影响绝缘子污层电导率的因素具有重大意义。笔者以XP-70、XP-160和LXY4-160绝缘子为研究对象,通过人工污秽试验分析了不同盐密、污秽成分和绝缘子型式对污层电导率的影响。结果表明:随着盐密的增大,污层电导率也逐渐增大;当盐密一定时,污层电导率值随着污秽成分中NaCl比例的减小而减小 ...
宋毅
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, 1986 电压--频率变换器,它具有一个由差分放大器构成的积分器,一个电平可控脉冲发生器,一个开关控制器和一个精密电荷分配器.该精密电荷分配器是由三个开关,一个定电荷电容,一个参考稳压管,一个充电电阻及一个负电源组成的.该定电荷电容放完电后,通过上述充电电阻,在上述差分放大器的反相输入端和上述负电源之间积分充电到上述参考稳压管的击穿电平而完成定电荷的.较之已有的积分定电荷反馈复原型电压--频率变换器的定电荷方式优越,提高了变换器的精度,稳定性和高频性能 ...
唐军
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Gaoya dianqi, 2005 提出了利用超导磁储能系统（SMES）来提高电力系统稳定性、提供紧急备用电源和实现新概念武器脉冲电源的“一机三职”功能的基础上,研究了一种基于超导电感储能系统和超导开关的脉冲功率成形技术,探讨了超导脉冲功率技术需要解决的重要基础问题;并根据超导电感储能系统及超导开关特性,提出了超导磁体和超导开关的理想结构,设计了一种脉冲成形网络模型;通过控制外加电流触发超导开关失超来控制超导开关断路,实现高密度无损耗储能、可控脉冲整形,并在电阻负载下,进行了脉冲成形回路放电仿真实验,得到了较理想的脉冲功率输出。
周羽生 +4 more
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, 2009 为探求碱土饱和导水率与出流液电导率及pH之间的关系,采用室内模拟实验对含沙粒碱土的饱和导水率、出流液电导率及pH进行测定,分析了沙粒添加量和粒径对碱土饱和导水率、出流液电导率及pH的影响。结果表明:随沙粒添加量逐渐增加,碱土饱和导水率不断升高,两者呈极显著指数关系;碱土饱和导水率随沙粒粒径增加呈无规律的变化趋势;出流液电导率和pH值随沙粒添加量增加而降低,电导率和沙粒添加量间存在指数函数关系,但pH与沙粒添加量间无函数关系;出流液电导率和pH值随沙粒粒径增加均呈无规律变化趋势 ...
迟春明, 王志春
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本发明公开了一种提高太阳能电池效率的方法,该方法是采用脉冲激光对太阳能电池掺杂区域进行辐照,使掺杂区域中的杂质形成过饱和替位掺杂、且被激活,减少间隙掺杂数量,从而改善半导体结质量,减少载流子复合,达到提高短路电流和开路电压 ...
邢宇鹏, 范玉杰, 韩培德, 梁鹏
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本发明公开了一种InGaN半导体光电极的制作方法，该方法包括：步骤1：取一衬底(21)；步骤2：在该衬底(21)上外延生长InGaN层(22)；步骤3：在该InGaN层(22)上制作形成纳米微结构层(31)；步骤4：在该InGaN纳米微结构层(31)上，外延生长或沉积n型或p型表面层(41)。利用本发明，将纳米结构引入到半导体光电极表面，大大降低了电极表面对光的反射，提高了电极与电解液的有效接触面积，增加了电化学反应效率 ...
王辉, 张书明, 杨辉, 朱建军
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