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Gaoya dianqi, 2011 基于传输线理论,介绍了一种电磁耦合等效电路模型,可用来分析外界电磁场照射下,有导线贯通的金属机箱其内部电路上的耦合干扰电压。分析了不同长度的贯通导线和不同强度的干扰电场对受害导线的影响。结果表明:穿出屏蔽机箱的导线越长,机箱内受害导线的干扰电压越大,并且在谐振频率处干扰电压产生峰值;受害导线的干扰电压随着干扰电磁场频率和强度的增大而增大。
郑春旭 +4 more
doaj
Gongye shui chuli, 1999 应用电化学理论对纯水级脱盐水的pH 值与电导率的关系进行研究。对于电导率小于0-2 μS/cm 的脱盐水，其pH 值必然在6-3 ～7-9 范围内。对纯水级脱盐水而言，pH 值由7 每降低1,则电导率就大约增大到原来的10倍。手动取样分析脱盐水的pH值，其误差主要来自空气的影响。
王晓伟
doaj +2 more sources
Dianci bileiqi, 2016 绕击是造成输电线路故障的主要原因之一,输电线路的绕击率受地形、塔形、落雷密度和线路工作电压等多种因素影响,其中关于线路工作电压对输电线路绕击概率的影响,国内外学者并未得到统一结论。为探究输电线路工作电压对输电线路绕击概率的影响机理,在已有学者展开的缩比放电试验的基础上,采用电磁场仿真软件对已有的试验模型进行静电场仿真,并结合其试验结果及现象对输电线路工作电压对线路绕击概率的影响进行分析。仿真结果表明:当雷电先导为负极性时,输电线路上正极性工作电压的存在显著地增加输电导线上的电场强度 ...
鄂盛龙 +6 more
doaj
, 2006 通过PECVD法制备了纳米硅薄膜(nc-Si:H),采用Raman散射谱,AFM对样品的结构和形貌进行了测试,并测试了样品的室温电导率。结果表明:制备出的纳米硅薄膜,其电导率达到4.9S·cm-1。另外制备了本征nc-Si:H膜作缓冲层,结构为ITO/n+-nc-Si:H/i-nc-Si:H/p-c-Si/Ag的PIN型太阳能电池,其Voc达到534.7mV,Isc达到49.24mA(3cm2),填充因子FF为0 ...
崔敏 +5 more
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Gaoya dianqi, 2019 考虑到输电线路附近电场可能对线路监测装置的无线通信造成影响,文中模拟线路实际运行环境搭建了交流电场下WIFI无线通信测试平台,通过模拟导线产生实验电场,测量在不同实验电场下WIFI终端间的通信速率,并在不同导线半径和环境湿度下进行了多组反复实验,研究了高压交流电场对WIFI无线网络通信的影响。研究结果表明:随着导线实验电压的升高,电场对通信速率的影响逐渐由负面转变为正面。导线表面电场强度较小时,空气未发生明显电离,通信速率与电场强度负相关;电场强度较大时,空气发生明显电离,通信速率与电场强度正相关。同时,
宋新明 +6 more
doaj
基于改进的Wait算法考虑跨越混合路径区域的城市配网线路雷电过电压研究
Dianci bileiqi, 2020 配电网具有运行环境复杂、分布广、绝缘水平相对较低的特点,极易发生雷害事故。基于Wait算法并对其进行改进,研究跨越水域-陆地-水域多路径区域情况下,雷电辐射场变化趋势,同时针对混合路径情况,设置多种参数方案研究其对配网线路耦合雷电过电压的影响。研究表明:三段区域混合路径情况下,从低电导率到高电导率的变化时,降低了水平电场分量,同时提高了垂直电场分量,中间陆地区域的增大对配电线路近端感应的雷电过电压峰值无影响,而减小了远端雷电过电压峰值。同时水平电场分量从高电阻率土壤行进到低电阻率土壤时 ...
王沛
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, 2010 本发明是一种高输出效率的半导体发光管，所述发光管包括两个等腰直角三角形构成的长方形半导体发光管单元，其中，两个等腰直角三角形构成的长方形结构的半导体发光管，半导体发光管平面内传播的自发辐射光线在直角三角形边上发生全反射并入射到其它三角形边时，在三角形不同边上的入射角不断变化，易于折射进入空气形成有效的发光管输出，提高发光管的耦合输出效率。本发明利用直角三角形发光管的高效耦合输出实现了高输出效率的半导体发光管 ...
黄永箴
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Gongye shui chuli, 2000 发电机冷却水控制 pH、电导率和水中铜离子含量,是为了保证发电机有足够的电气绝缘性能和防止对空芯铜导线产生侵蚀性。发电机冷却水水质标准有SD1 63— 1 985、GB1 2 1 45— 1 989、GB760 4— 1 986,其控制指标各异。阐述了三个标准中电导率、pH不同的原因,根据理论计算和实际分析,按SD1 63— 1 985控制电导率在 5 0 μS/cm以内,既能保证发电机的电气绝缘性能,又可通过提高 pH值或向冷却水中加入缓蚀剂,达到防腐目的。因此,建议采用SD1 63— 1 ...
刘瑛
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本发明公开了一种应用于导电桥存储器的纳米尺寸金属插塞电极阵列的制作方法，包括：在衬底上淀积金属，作为导电桥存储器的下电极，接着在下电极上制备一层绝缘材料；在绝缘材料上采用光刻方法制备金属插塞电极阵列的小孔，孔底部为在衬底上淀积的金属；采用无电化学镀的方法在小孔内填充金属；采用化学镀方法制作纳米尺寸的金属插塞电极阵列，作为导电桥存储器的金属离子源；淀积一层绝缘材料作为金属离子的扩散层；淀积金属，作为导电桥存储器的上电极；光刻、干法刻蚀顶部金属形成顶部电极图形；钝化开孔，引出电极 ...
杨富华 +4 more
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, 1993 本文首次报道p~+-i-n~+a-Si:H太阳电池的注入电流检测磁共振研究。实验研究了该自旋有关的注入电流效应与正向注入电流、辐照光强以及光电压检测磁共振(PDMR)的关系。结果表明该效应有比PDMR更高的灵敏度,可用于非晶及晶体势垒器件的例行检测。中文核心期刊要目总览(PKU)中国科学引文数据库(CSCD)012774 ...
傅济时 +4 more
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