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Gaoya dianqi, 1998 对CuCr、CuCrFe触头材料经过不同温度和不同保温时间处理后的合金导电性能进行了研究。结果表明:500℃保温4h热处理后CuCr合金电导率提高20％以上,CuCrFe合金电导率提高30％以上,并从微观组织方面分析了热处理改善合金导电性能的原因。
周文元, 吕大铭, 周武平
doaj
Shuitu Baochi Xuebao, 2006 在对芦苇小区调查取样的基础上，利用Pearson关联分析法研究了土壤水、电导率与芦苇生长和种群分布的关系。结果表明土壤电导率空间变率明显，最大值是最小值的2倍。芦苇小区土壤电导率超过110mS／m，且pH值大于10时，芦苇由单一种群落转变成伴生种群落（芦苇＋碱茅）。并随着电导率和pH值的增加，碱茅所占的比例增加。土壤电导率与芦苇生长指标（覆盖度、平均株高、生物量干重、鲜重）呈显著性相关（P〈0．01），说明土壤盐分是影响芦苇种群特征的重要因素。表层土壤含水量（10cm剖面）与芦苇生长指标中的覆盖度 ...
杨帆 +4 more
doaj +2 more sources
Gaoya dianqi, 2011 基于传输线理论,介绍了一种电磁耦合等效电路模型,可用来分析外界电磁场照射下,有导线贯通的金属机箱其内部电路上的耦合干扰电压。分析了不同长度的贯通导线和不同强度的干扰电场对受害导线的影响。结果表明:穿出屏蔽机箱的导线越长,机箱内受害导线的干扰电压越大,并且在谐振频率处干扰电压产生峰值;受害导线的干扰电压随着干扰电磁场频率和强度的增大而增大。
郑春旭 +4 more
doaj
本发明公开了一种基于InxGa1-xN纳米柱的半导体p-i-n结太阳能电池外延片，包括：一衬底，该衬底用于在其上进行InxGa1-xN材料外延生长；一InxGa1-xN材料模板，该InxGa1-xN材料模板外延生长在衬底上；一纳米柱阵列，该纳米柱阵列加工形成于InxGa1-xN材料模板上；一半导体太阳能电池p-i-n结构，该p-i-n结构外延生长在纳米柱阵列的侧壁、顶部及纳米柱之间的材料模板表面。本发明同时公开了一种基于InxGa1-xN纳米柱的半导体p-i-n结太阳能电池外延片的制备方法。利用本发明 ...
王辉, 张书明, 杨辉, 朱建军
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, 2015 一种测试装置，包括二块相向设置的板状极板、于二块极板间设有二张Nafion膜，于极板和Nafion膜间设有碳纸或碳布；二块极板通过导线分别与电化学工作站或电阻率测试仪相连。本发明弥补了现有技术的空白，实现了电极及其它电子导体中电子导电性与离子导电性的有效地分离，测试方法准确、高效、适用范围广，测试材料包括碳材料、金属材料、半导体材料以及均相 ...
孙公权 +3 more
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, 2006 介绍了不同截面大小的SOI(silicon-on-insulator)波导单模条件,详细描述了几种降低传输损耗,消除偏振相关,提高耦合效率的技术手段.分析比较了一种带有MOS(metal-oxide-semiconductor)电容结构和一种具有微环结构的高速电光调制器,其调制频率分别达到10和1 ...
黄庆忠, 余金中
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本发明公开了一种单晶薄膜异质结太阳电池及其制备方法，该单晶薄膜异质结太阳电池包括：第一导电类型衬底；在该第一导电类型衬底的迎光面上依序形成的迎光面第二导电类型单晶层和钝化介质层，且钝化介质层表面为绒面；在该第一导电类型衬底的背光面上依序形成的背光面第一导电类型单晶层和绝缘介质层；在该迎光面第二导电类型单晶层上形成的第一电极；以及在该背光面第一导电类型单晶层上形成的第二电极。利用本发明，避免了非晶硅薄膜中载流子迁移率低、少子寿命短的不足 ...
韩培德
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, 2014 本发明公开了一种提高全钒液流电池运行效率的方法，包括以下步骤：（1）将正极电解液以400-1000L/h的流速在所述电池正极和所述正极电解液储罐之间循环，将负极电解液以400-1000L/h的流速在所述电池负极和所述负极电解液储罐之间循环；（2）在操作温度为10-35℃，使所述正、负极电解液在电流密度为40-80mA/cm2、电压为0.8-1.65V下发生氧化或还原反应，完成全钒液流电池的充放电循环。上述提高全钒液流电池运行效率的方法使得全钒液流电池可长时间、高效、安全的运行，其库仑效率可达到92 ...
苏伟 +5 more
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Gaoya dianqi, 2010 为了揭示复合绝缘子在污秽潮湿环境中运行时的电场分布特性,笔者基于复合绝缘子的污闪理论,研究了绝缘污秽电场模型和计算方法,采用污层表面电导率和模拟导电污层的电阻层边界条件,应用有限元电场计算软件ElecNet对复合绝缘子污秽电场进行了交流时谐电场计算分析,比较了污层沿绝缘子轴向均匀分布和不均匀分布两种情况下的绝缘子电场分布,分析了污层表面电导率大小（即不同的污秽度）以及污层分布状态对绝缘子表面电场分布的影响。得出,当伞裙上表面电导率高于下表面时,沿泄漏路径的电位分布线性度降低 ...
王仲奕, 王琪, 陈青
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本发明涉及半导体器件技术领域，公开了一种调制掺杂增强型高电子迁移率晶体管结构，该增强型高电子迁移率晶体管结构由下至上依次包括：衬底、GaAs/AlAs超晶格层、GaAs量子阱层、Al0.3Ga0.7As层、AlxGa1-xAs层(x线性从0.3减至0.1)、Al0.1Ga0.9As层、GaAs层、源漏电极以及栅电极。本发明还公开了一种增强型高电子迁移率晶体管的制作方法。利用本发明，降低了HEMT器件的功耗，简化了制作工艺 ...
谈笑天, 郑厚植
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