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, 2000 根据对日本九所研究所和大学的实地考察, 综述了这些研究机构在光电子器件方面的研究和开发进展, 这些光电器件包括多波长光源和波长可选择光源、电吸收调制器与分布反馈激光器的集成、泵浦用大功率激光器、大功率GaN激光器和平面光波回路等 ...
余金中
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, 1992 本文指出，许多电动力学教科书中所给出的导体（本文指金属导体）中自由体电荷的衰减规律不适用于良导体，原因是所涉及的电场变化频率远比电子与晶格的碰撞频率为大，因而无色散欧姆定律实际并不适用．本文采用欧姆定律的推广形式导出较普遍的结论；并指出，在讨论定频的低频电磁波与导体的相互作用问题时，可直接证明电荷密度的实频分量■（ω实）为零，而不必涉及σ（ｔ）的衰减规律．此外，本文还指出电荷衰减过程中不会出现电子的“超光速运动 ...
朱如曾
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Gaoya dianqi为研究当35 kV XLPE电缆中存在导体尖刺缺陷时损耗电流中的谐波分量特征，文中基于跳跃电导理论构建了35 kV XLPE电缆导体尖刺缺陷仿真模型，分别就尖刺曲率半径、尖刺所在位置以及电极距离对损耗电流谐波特征的影响进行了仿真分析；而后制作了35 kV XLPE电缆导体尖刺缺陷试样，在尖刺曲率半径30 mm、尖刺位于屏蔽层处、电极间距3 mm的情况下进行了验证性实验。仿真与实验结果表明：当35 kV XLPE电缆中存在导体尖刺缺陷时 ...
李伟 +7 more
doaj
Dianci bileiqi, 2014 针对610 kV中压瓷绝缘子XP-7耐张串的污闪事故,分析了近年来重庆局部地区电网污闪事故与绝缘子表面污秽度的关系,通过对瓷绝缘子表面污层电导率指标和污闪电压的计算分析,来推广不同电压等级下污秽绝缘子的事前更换预警可行性。试验结果表明,局部电导率指标和污闪电压有着密切的相关性,用作基准的电导率指标的实测电压和估算电压应控制在±10%以内。后期推广阶段应再细化电导率指标和污闪电压一一对应的关系,确保数据的真实等价性,为在线预警监测系统地研制提供有力支撑。
张俊平 +5 more
doaj
Gongye shui chuli, 2014 基于自制CaCO3溶液临界过饱和度实验装置，通过测量加磁与未加磁对比实验的碳酸钙溶液电导率-滴定液容积，研究了电磁场作用对CaCO3过饱和度及成核诱导期的影响。在不同频率的电磁场作用下观察了CaCO3过饱和度及成核诱导期的变化，大量实验结果表明：在电磁场作用下，CaCO3的过饱和度减小，成核速率加快，成核诱导期减小。
王建国, 陆帅, 李松
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一种高功率非对称宽波导980nm半导体激光器结构，包括：一衬底，为(100)面的N型镓砷材料，该衬底用于在其上外延生长激光器各层材料；一缓冲层，为N-镓砷材料，该缓冲层制作在衬底上；一N型下限制层，为N-铝镓砷材料，该N型下限制层制作在缓冲层上；一下波导层，为N-铝镓砷材料，该下波导层制作在下限制层上；一下垒层，为镓砷磷材料，该下垒层制作在下波导层上；一量子阱层，该量子阱层制作在下垒层上；一上垒层，该上垒层制作在量子阱层上；一上波导层，该上波导层制作在上垒层上；一P型上限制层，为P-铝镓砷材料 ...
王俊, 马骁宇, 王冠, 崇锋
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Gaoya dianqi, 2018 针对空气污染导致雾水电导率增大,复合绝缘子污闪概率也随之增加这一情况,提出了用盐雾法研究复合绝缘子污秽闪络特性。在人工雾霾模拟实验箱内,通过控制雾水电导率和雾水含量,用均匀升压法对蒸汽雾生成到消散两个阶段对绝缘子进行大量试验,记录闪络电压,并用高速摄像仪观察闪络路径。结果表明:空气中雾水含量低时,雾水电导率对绝缘子闪络电压作用不明显;随着雾水含量增加,增大雾水电导率对绝缘子闪络电压作用明显。且干净复合绝缘子在其注塑痕迹处发生起弧和闪络的概率较高,而对于染污绝缘子该痕迹对闪络影响不大。
高磊 +5 more
doaj
一种提高MZI电光调制器速度和效率的电极结构，包括：一MZI调制器结构，包括第一调制臂和第二调制臂，该第一和第二调制臂为脊形光波导结构，该第一和第二调制臂分为第一平板区和第二平板区及第一内脊区和第二内脊区’，在第一和第二内脊区两旁的第一和第二平板区分别有第一、第二、第三和第四掺杂区域，该第一、第二、第三和第四掺杂区域在第一和第二平板区时为PIN电学调制结构；在第一和第二调制臂内侧相邻的第二和第三两个掺杂区域用金属导线连接在一起，形成高频驱动电路的第一极，在另外第一和第四两个掺杂区域用金属导线连接在一起 ...
陈少武, 程勇鹏
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Gaoya dianqi, 1998 对CuCr、CuCrFe触头材料经过不同温度和不同保温时间处理后的合金导电性能进行了研究。结果表明:500℃保温4h热处理后CuCr合金电导率提高20％以上,CuCrFe合金电导率提高30％以上,并从微观组织方面分析了热处理改善合金导电性能的原因。
周文元, 吕大铭, 周武平
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一种高功率基横模平板耦合光波导半导体激光器结构，其中包括：一衬底，用于在其上生长激光器各外延层材料；一缓冲层，制作在衬底上；一N型下限制层，制作在缓冲层上；一下波导层，制作在N型下限制层上；一有源区，制作在下波导层上；一界面层，制作在有源区上；一P型上限制层，制作在界面层上；一过渡层，制作在P型上限制层上；一电极接触层，制作在过渡层上；一双沟，刻蚀在电极接触层上，刻蚀深度至下波导层以内，在双沟之间形成脊型台面；一钝化膜层，制作在电极接触层的上表面和双沟底部及两侧，所述脊型台面上的钝化膜层为断开的 ...
王俊 +4 more
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