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, 2000 科学家预测有机电子产业将超过无机电子产业并在未来几年形成数千亿美元的产业规模。电子输运性质是有机电子产业的核心，决定器件的响应速度和整体性能。本论文基于量子力学原理对有机电子材料的电子输运特性进行了理论研究，得到以下结论： 载流子迁移率各项异性是有机半导体材料的内在属性之一，但目前尚未有明确的数值模型预测有机半导体材料的各向异性迁移率。我们提出把有机半导体材料内部各堆栈方式的分子间电子耦合强度投影到各迁移率测量通道的方法，推导出载流子迁移率各项异性方程。此方程建立起迁移率与分子间电子耦合 ...
温书豪
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Gaoya dianqi为研究当35 kV XLPE电缆中存在导体尖刺缺陷时损耗电流中的谐波分量特征，文中基于跳跃电导理论构建了35 kV XLPE电缆导体尖刺缺陷仿真模型，分别就尖刺曲率半径、尖刺所在位置以及电极距离对损耗电流谐波特征的影响进行了仿真分析；而后制作了35 kV XLPE电缆导体尖刺缺陷试样，在尖刺曲率半径30 mm、尖刺位于屏蔽层处、电极间距3 mm的情况下进行了验证性实验。仿真与实验结果表明：当35 kV XLPE电缆中存在导体尖刺缺陷时 ...
李伟 +7 more
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Gaoya dianqi, 2012 笔者以变压器内部常见的油纸绝缘结构为例,利用自编程对换流变压器阀侧绕组直流电场进行了计算,并通过有限元软件ANSYS仿真,验证了文中方法的正确性。基于纸板材料电导率的各向异性特性,推导了电导率各向异性情况下直流电场的数学模型,给出了离散格式,分析了电导率对直流电场的影响,并对1台500 kV换流变压器进行了计算。计算结果表明,考虑材料的各向异性后纸板中场强减小,油中场强增大,变化的幅度与电导率初值有关。
李冬雪, 李岩, 李晓辉
doaj
Gaoya dianqi, 2020 电弧等离子体电导率是影响电弧能量的关键因素之一。文中从微观角度出发,通过库伦碰撞模型对SF6电弧等离子体内电子温度与重粒子温度进行计算,针对热力学非平衡态特点对Saha方程、Guldberg-Wagge方程进行修正,根据SF6放电时存在的电离、解离平衡计算得出不同压强、不同温度下的电子数密度;改进Spitzer电导率计算模型,得到压强为0.1～1 MPa、温度为300～20 000 K范围内非平衡态双温度SF6电弧等离子体电导率,并在压强为0.6 MPa下与平衡态电弧电导率计算结果进行对比。研究结果表明:
石岩 +6 more
doaj
本发明公开了一种提高太阳能电池效率的方法,该方法是采用脉冲激光对太阳能电池掺杂区域进行辐照,使掺杂区域中的杂质形成过饱和替位掺杂、且被激活,减少间隙掺杂数量,从而改善半导体结质量,减少载流子复合,达到提高短路电流和开路电压 ...
邢宇鹏, 范玉杰, 韩培德, 梁鹏
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Dianci bileiqi, 2014 针对610 kV中压瓷绝缘子XP-7耐张串的污闪事故,分析了近年来重庆局部地区电网污闪事故与绝缘子表面污秽度的关系,通过对瓷绝缘子表面污层电导率指标和污闪电压的计算分析,来推广不同电压等级下污秽绝缘子的事前更换预警可行性。试验结果表明,局部电导率指标和污闪电压有着密切的相关性,用作基准的电导率指标的实测电压和估算电压应控制在±10%以内。后期推广阶段应再细化电导率指标和污闪电压一一对应的关系,确保数据的真实等价性,为在线预警监测系统地研制提供有力支撑。
张俊平 +5 more
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本发明公开了一种InGaN半导体光电极的制作方法，该方法包括：步骤1：取一衬底(21)；步骤2：在该衬底(21)上外延生长InGaN层(22)；步骤3：在该InGaN层(22)上制作形成纳米微结构层(31)；步骤4：在该InGaN纳米微结构层(31)上，外延生长或沉积n型或p型表面层(41)。利用本发明，将纳米结构引入到半导体光电极表面，大大降低了电极表面对光的反射，提高了电极与电解液的有效接触面积，增加了电化学反应效率 ...
王辉, 张书明, 杨辉, 朱建军
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, 2009 研究了5种小孔径光电导天线的太赫兹发射特性,并且对它们所发射的太赫兹波进行了对比,为研制高效率的太赫兹波发射源提供了参考依据。利用太赫兹时域光谱技术测量了光电导天线发射的太赫兹(THz)脉冲,得到了时域发射光谱,并通过快速傅里叶变换得到相应的频域光谱。结果表明,太赫兹信号强度随偏置电压的增大而增强;随着泵浦激光功率的增大而增强并出现饱和现象。偏置电压与泵浦激光功率相同时,我们对比5种光电导天线产生的太赫兹信号,从中找到了一种发射效率较高的小孔径光电导天线,并且研究了电极形状 ...
赵国忠 +5 more
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, 2005 纳米线(管)的模板合成和导电原子力显微镜(C鄄AFM)结合是一种近期发展起来研究单根一维纳米结构及阵列导电性的有效方法.本文利用C鄄AFM测量了阳极氧化铝(AAO)模板电化学合成制备的单根聚苯胺纳米线的电导率,研究了直径、氧化还原态对单根聚苯胺纳米线电导率的影响.从I-V曲线可以看到,其导电性质与半导体类似,但又不同于半导体.尚未观察到反向击穿现象,可能原因是,在一定的反向偏压下的离子脱嵌使得它由部分氧化态(导电态)转变为还原态(绝缘态);电导率随纳米线直径减小而线性地增加;以ClO ...
周剑章 +6 more
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一种提高MZI电光调制器速度和效率的电极结构，包括：一MZI调制器结构，包括第一调制臂和第二调制臂，该第一和第二调制臂为脊形光波导结构，该第一和第二调制臂分为第一平板区和第二平板区及第一内脊区和第二内脊区’，在第一和第二内脊区两旁的第一和第二平板区分别有第一、第二、第三和第四掺杂区域，该第一、第二、第三和第四掺杂区域在第一和第二平板区时为PIN电学调制结构；在第一和第二调制臂内侧相邻的第二和第三两个掺杂区域用金属导线连接在一起，形成高频驱动电路的第一极，在另外第一和第四两个掺杂区域用金属导线连接在一起 ...
陈少武, 程勇鹏
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